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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：

（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；

（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；

（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；

（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；

a．配位键　　　 b.极性键　　　 c．离子键　　　　 d．非极性键

（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；

（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。

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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键　　　 b.极性键　　　 c．离子键　　　　 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。

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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键　　　 b.极性键　　　 c．离子键　　　　 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。

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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键　　　 b.极性键　　　 c．离子键　　　　 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。

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GaN、GaP、GaAs是人工合成的一系列新型半导体材料，其晶体结构均与金刚石相似。铜是重要的过渡元素，能形成多种配合物，如Cu2＋与乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成如图所示配离子。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价电子的轨道表达式为________________；
（2）熔点：GaN_____GaP（填“>”或“<”）；
（3）第一电离能：As_____Se（填“>”或“<”）；
（4）Cu2＋与乙二胺所形成的配离子内部不含有的化学键类型是______；
a．配位键　　　 b.极性键　　　 c．离子键　　　　 d．非极性键
（5）乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为________，乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺。但乙二胺比三甲胺的沸点高很多，原因是___________；
（6）Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，铜原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______型（填“A1”、“A2”或“A3”），该晶体密度为____g/cm3（用含a和NA的代数式表达），该晶体中铜原子的空间利用率为______（用含a和r的代数式表达）。

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（12分） “物质结构与性质”
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为。在四大晶体类型中，GaN属于晶体。
（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有的原子或离子
（3）CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是。
②SO₂分子的空间构型为。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为。
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为。

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[化学--物质结构与性质]
（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．Ga原子的电子排布式为______．在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为______．在四大晶体类型中，GaN属于______晶体．
（2）NH₃分子的空间构型是：______，中心原子N的杂化轨道类型是：______．
（3）NH₃与PH₃相比，热稳定性更强的是：______，理由是：______．
（4）一定压强，将NH₃和PH₃混合气体降温时，首先液化的物质是______，理由是：______．
（5）铜、铁元素能形成多种配合物．微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有______的原子或离子．
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（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有▲ 的原子或离子
⑶CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是▲ 。
②SO₂分子的空间构型为▲ 。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为▲ 。

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⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于▲ 晶体。
⑵铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有▲ 的原子或离子
⑶CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是▲ 。
②SO₂分子的空间构型为▲ 。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为▲ 。

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：
（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为________。
（2）下列说法正确的是（选填序号）。
A．砷和镓都属于p区元素 B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体
C．电负性：As＞Ga D．第一电离能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是________（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为________。
Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：
（1）晶体中Ca²⁺的配位数为________。
（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，
该晶体的密度为________g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

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（10分）请完成下列各题：
（1）前四周期元素中，基态原子中未成对电子数与其所在周期数相同的元素有　　种。
（2）第ⅢＡ、ⅤＡ族元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ｇａ原子的电子排布式为　　　　　　　。在GaN晶体中，每个Ｇａ原子与　　个Ｎ原子相连，与同一个Ｇａ原子相连的Ｎ原子构成的空间构型为　　　　。在四大晶体类型中，GaN属于　　　　晶体。
（3）在极性分子ＮＣｌ₃中，Ｎ原子的化合价为-3，Ｃｌ原子的化合价为＋1，请推测
ＮＣｌ₃水解的主要产物是　　　　　　　　（填化学式）。

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