前四周期元素A、B、C、D、E、F的原子序数依次增大。A原子的阴离子的电子排布式与基态锂离子的相同，A和E位于同主族，基态B原子核外有3个能级且各能级上容纳的电子数相等，基态D原子有2个未成对电子，最外能层符号为L。+1价F离子的3d能级达到全充满结构。
回答下列问题：
（1）基态C原子价电子排布图为_____。
（2）B、C、D三种元素第一电离能由大到小排序为_____(填元素符号，下同)，它们的电负性由小到大排序为_____。
（3）C、F组成的晶体的晶胞如图1所示。已知该晶体密度为ρg·cm-3，NA代表阿伏加德罗常数，则C、F最近的核间距为_____cm。
（4）A和E组成晶体，其晶胞如图2所示。E粒子周围有_____个E紧密相邻且最近；连接与E等距离且最近的A粒子构成的形状是_____。
高二化学推断题中等难度题
前四周期元素A、B、C、D、E、F的原子序数依次增大。A元素的基态阴离子的电子排布式与基态锂离子的相同，A和E位于同主族，基态B原子核外有3个能级且各能级上容纳的电子数相等，基态D原子核外有2个未成对电子，最外能层符号为L。+1价F离子的3d能级达到全充满结构。
回答下列问题：
(1)基态C原子价电子排布图为_________。
(2)B、C、D三种元素第一电离能由大到小排序为____(填元素符号，下同)，它们的电负性由小到大排序为____。
(3)标准状况下，a L C2气体含π键的物质的量为__。与C2D互为等电子体的分子有___(任写一种)。B、C分别与D构成的阴离子中，立体构型为平面三角形的有___(填离子符号)。
(4)由A、B、C、D中的几种原子构成的分子中，含极性键的非极性分子有___(填一种，下同)；既含极性键，又含非极性键的极性分子有___。
(5)C、F组成的晶体的晶胞如图所示。已知该晶体密度为ρ g·cm-3，NA代表阿伏加德罗常数的值，则C、F最近的核间距为____ pm。
(6)A和E组成晶体，其晶胞如图所示。E粒子周围有___个E紧密相邻且最近；连接与E粒子等距离且最近的A粒子构成的形状是_____。
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前四周期元素A、B、C、D、E、F的原子序数依次增大。A原子的阴离子的电子排布式与基态锂离子的相同，A和E位于同主族，基态B原子核外有3个能级且各能级上容纳的电子数相等，基态D原子有2个未成对电子，最外能层符号为L。+1价F离子的3d能级达到全充满结构。
回答下列问题：
（1）基态C原子价电子排布图为_____。
（2）B、C、D三种元素第一电离能由大到小排序为_____(填元素符号，下同)，它们的电负性由小到大排序为_____。
（3）C、F组成的晶体的晶胞如图1所示。已知该晶体密度为ρg·cm-3，NA代表阿伏加德罗常数，则C、F最近的核间距为_____cm。
（4）A和E组成晶体，其晶胞如图2所示。E粒子周围有_____个E紧密相邻且最近；连接与E等距离且最近的A粒子构成的形状是_____。
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高二化学解答题中等难度题查看答案及解析
已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A与B，C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子，B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
(1)写出A元素的基态原子外围电子排布式：_______________________________。F的离子电子排布式：__________。
(2)写出X涉及化工生产中的一个化学方程式：______________________。
(3)试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：_____________。
(4)CE、FA的晶格能分别为786 kJ·mol－1、3 401 kJ·mol－1，试分析导致两者晶格能差异的主要原因是___________________________。
(5)F与B可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示。F与B形成的离子化合物的化学式为________________；该离子化合物晶体的密度为ag·cm－3，则晶胞的体积是____________________(只要求列出算式)。
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已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A与B，C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子，B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
（1）请写出F离子的电子排布式_________。
（2）写出X的化学式________，X的化学名称为______。
（3）写出X涉及化工生产中的一个化学方程式：__________。
（4）试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：____________。
（5）F与B可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示。F与B形成的离子化合物的化学式为__________；该离子化合物晶体的密度为a g·cm－3，则晶胞的体积是________（只要求列出算式）。
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（15分）已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A与B；C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子， B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X,，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
（1）写出A元素的基态原子价电子排布式 ________ ；F离子电子排布式________。
（2）写出X的化学式 ________
（3）试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：________。
（4）CE、FA的晶格能分别为786 KJ/mol l、3401KJ/mo，试分析导致两者晶格能差异的主要原因是：。
（5）F与B可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示：F与B形成离子化合物的化学式为________；该离子化合物晶体的密度为a g/cm3，则晶胞的体积是________________(只要求列出算式)。
高二化学简答题简单题查看答案及解析
已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A与B；C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子， B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X,，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
（1）写出A元素的基态原子价电子排布式 ________ ；F离子电子排布式________。
（2）写出X的化学式 ________
（3）试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：________。
（4）CE、FA的晶格能分别为786 KJ/mol l、3401KJ/mo，试分析导致两者晶格能差异的主要原因是：________。
（5）F与B可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示：F与B形成离子化合物的化学式为________；该离子化合物晶体的密度为a g/cm3，则晶胞的体积是________________(只要求列出算式)。
高二化学填空题中等难度题查看答案及解析
短周期主族元素X、Y、Z、W原子序数依次增大，X原子的最外层有6个电子，Y是迄今发现的非金属性最强的元素，在周期表中Z位于IA族，W与X属于同一主族。下列说法正确的是
A.元素X、W的简单阴离子具有相同的电子层结构
B.原子半径：r(X)＜r(Y)＜r(Z)＜r(W)
C.W的简单气态氢化物的热稳定性比Y的强
D.由Y、Z两种元素组成的化合物是离子化合物
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短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大。X的最高正价和最低负价代数和为零，Y、Z、W位于同一周期，Y的三价阳离子与氖原子具有相同的核外电子排布，Z与X位于同一主族， W的最外层电子数等于Y、Z最外层电子数之和。下列说法正确的是
A. 原子半径：r(W)＞r(Y)＞r(Z)＞r(X)
B. Z的简单气态氢化物的稳定性比X的强
C. Z的氧化物是制造太阳能电池板的主要材料
D. Y、W的最高价氧化物对应的水化物能相互反应
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已知元素X、Y、Z、W均为短周期元素，其中X、Y、Z位于同一周期，其原子核外均有三个电子层且价电子数依次增大1，Y2+与W-其具有相同的电子层结构，下列说法正确的是（ ）
A. 离子半径：W-＞Y2+
B. X的含氧化合物中只含有离子键
C. W的最高正化合价为+7
D. 工业上常用电解Z的氯化物来制备Z的单质
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