Cu3N具有良好的电学和光学性能,在电子工业领域、航空航天领域、国防领域、通讯领域以及光学工业等领域中,发挥着广泛的、不可替代的巨大作用。
(1)N位于周期表中的位置为_____________,NF3的分子立体构型名称是____________。类比NH3·H2O表示出代表性分子NH4F含有的氢键________________________。
(2)写出N2O的等电子体__________________(1个分子和1个离子)。
(3)Cu原子的基态外围电子排布式为____________;已知:CuO在高温下会分解成Cu2O,试从洪特规则角度解释其原因__________________________________________________。
(4) 在Cu的催化作用下,乙醇可被空气氧化为乙醛(CH3CHO),乙醛分子中H—C=O的键角______(填“大于”“等于”或“小于”)乙醇分子中的H—C—O的键角。
(5) 某化肥厂从生产的硫酸铵中检出一种组成为N4H4(SO4)2的物质。其水溶液中的N4H44+遇碱生成一种形似白磷的N4分子。画出N4H44+的结构式(标明其中的配位键)__________________。
高二化学综合题中等难度题
Cu3N具有良好的电学和光学性能,在电子工业领城、航空航天领域、国防领域、通讯领域以及光学工业等领域中,发挥着广泛的、不可替代的作用。
(1)Cu+的核外电子排布式为__________;N元素与O元素的第一电离能比较:N____O(填“>”、“<”或“=”)。
(2)与N3-含有相同电子数的四原子分子的空间构型为____________________。
(3)在Cu催化作用下,乙醇可被空气氧化为乙醛(CH3CHO),乙醛分子中醛其()碳原子的杂化方式为_________。
(4)[Cu(H2O)4]2+为平面正方形结构,其中的两个H2O被C1-取代可生成Cu(H2O)2Cl2,试画出其具有极性的分子的结构式________________。
(5)Cu3N的晶胞结构如图所示,N3-的配位数为________;若晶胞棱长为anm,NA表示阿伏加德罗常数的值,则Cu3N的密度p=______g/cm3 [用含a 和NA 的式子表示,Mr(Cu3N)=206]
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Cu3N具有良好的电学和光学性能,在电子工业领域、航空航天领域、国防领域、通讯领域以及光学工业等领域中,发挥着广泛的、不可替代的巨大作用。
(1)N位于周期表中的位置为_____________,NF3的分子立体构型名称是____________。类比NH3·H2O表示出代表性分子NH4F含有的氢键________________________。
(2)写出N2O的等电子体__________________(1个分子和1个离子)。
(3)Cu原子的基态外围电子排布式为____________;已知:CuO在高温下会分解成Cu2O,试从洪特规则角度解释其原因__________________________________________________。
(4) 在Cu的催化作用下,乙醇可被空气氧化为乙醛(CH3CHO),乙醛分子中H—C=O的键角______(填“大于”“等于”或“小于”)乙醇分子中的H—C—O的键角。
(5) 某化肥厂从生产的硫酸铵中检出一种组成为N4H4(SO4)2的物质。其水溶液中的N4H44+遇碱生成一种形似白磷的N4分子。画出N4H44+的结构式(标明其中的配位键)__________________。
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纳米ZnS具有独特的光电效应,在电学、磁学、光学等领域应用广泛。以工业废渣锌灰(主要成分为Zn、ZnO,还含有Fe2O3、FeO、CuO等杂质)为原料制备纳米ZnS的工业流程如下:
请回答下列问题。
(1)酸浸时FeO与稀HNO3反应的离子方程式_______________________。
(2)将酸浸的尾气循环利用,加入的X气体可以是____________________________。
(3)流程中加入ZnO调pH的目的是__________________________________________。
(4)滤渣2中的成分是___________________。
(5)已知ZnS的溶度积Ksp=1.6×10-24,溶液中Zn2+浓度为0.01mol/L,则溶液中S2-浓度大于______mol/L,才生成ZnS沉淀。
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镁稀土合金广泛应用于航空、航天、电子、通讯和汽车制造业等领域。熔盐电解法是一种高效制备镁稀土合金的方法,实验室制取Mg-Gd合金(物质的量比为1:1)的电解槽示意图如下(相对原子质量Mg—24,Gd—157),下列说法正确的是
A.添加LiF、BaF2的作用是催化剂
B.阳极的电极反应式为2F——2e—= F2 ↑
C.当电路中通过0.1mol电子时,生成Mg- Gd合金的质量为3.62 g
D.电解结束后,铝、碳电极质量不变
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新中国成立70年以来,高分子材料以独特的结构和性能在科学技术、国防建设和国民经济等领域发挥重要作用。下列材料中主要成分不属于有机高分子的是( )
A.塑料制品 | B.汽车轮胎 | C.宇航服 | D.石墨烯 |
A.A B.B C.C D.D
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锆()是现代工业的重要金属原料,具有良好的可塑性,抗蚀性能超过钛。以锆英石(主要成分是,还含有少量等杂质)为原料生产锆及其化合物的流程如图所示
(1)写出的电子式____________________。
(2)高温气化过程中,不考虑损失,发现分馏后得到的质量通常比由纯发生的反应得到的质量大,用化学方程式来解释原因_________________________。
(3)高温气化后的固体残渣除碳外,还有和,加水浸取得氯化铁溶液,过滤,从滤渣中分离出碳和两种固体的方法是____________________。
(4)写出上述流程中与水反应的化学方程式:____________________________。
(5)已知氧化锆()是一种两性氧化物,与氢氧化钠共熔融可形成酸盐,请写出化学方程式_________________________________________。
(6)工业上可用钾还原时制得金属,被还原时生成的钾盐的物质的量为_________________。
(7)已知,。下列说法正确的是__________
A.,电解质溶液的与之和均为14
B.用盐酸滴定某浓度的溶液,滴定过程中逐渐增大
C.溶液中逐滴加入硫酸溶液,滴加过程中逐渐减小
D.某温度下,则其溶液中
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非线性光学晶体在信息、激光技术、医疗、国防等领域具有重要应用价值。我国科学家利用Cs2CO3、XO2(X=Si、Ge)和H3BO3首次合成了组成为CsXB3O7的非线性光学晶体。回答下列问题:
(1)C、O、Si三种元素电负性由大到小的顺序为__________;第一电离能I1(Si) ____ I1(Ge)(填“>”或“<”)。
(2)基态Ge原子核外电子排布式为_____________;SiO2、GeO2具有类似的晶体结构,其中熔点较高的是________,原因是______。
(3)如图为H3BO3晶体的片层结构,其中B的杂化方式为________;硼酸在热水中比在冷水中溶解度显著增大的主要原因是_____________。
(4)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标。CsSiB3O7属于正交晶系(长方体形),晶胞参数为a pm,b pm和c pm。如图为沿y轴投影的晶胞中所有Cs原子的分布图和原子分数坐标。据此推断该晶胞中Cs原子的数目为_______;CsSiB3O7的摩尔质量为M g·mol-1,设NA为阿伏加德罗常数的值,则CsSiB3O7晶体的密度为_____________g·cm-1(用代数式表示)。
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钪及其化合物具有许多优良的性能,在宇航、电子、超导等方面有着广泛的应用。从钛白工业废酸(含钪、钛、铁、锰等离子)中提取氧化钪(Sc2O3)的一种流程如下:
回答下列问题:
(1)洗涤“油相”可除去大量的钛离子。洗涤水是用93%的硫酸、27.5%的双氧水和水按一定比例混合而成。混合的实验操作是______________________________。
(2)先加入氨水调节pH=3,过滤,滤渣主要成分是__________;再向滤液加入氨水调节pH=6,滤液中Sc3+的浓度为_____________。(已知:Ksp[Mn(OH)2]=1.9×10-13、Ksp[Fe(OH)3]=2.6×10-39,Ksp[Sc(OH)3]=9.0×10-31)
(3)用草酸“沉钪”。25 ℃时pH=2的草酸溶液中=__________(保留两位有效数字)。写出“沉钪”得到草酸钪的离子方程式__________________________________。[已知Ka1(H2C2O4)=5.9×10-2,Ka2(H2C2O4)=6.4×10-5]
(4)草酸钪“灼烧”氧化的化学方程式为_____________________________。
(5)废酸中含钪量为15 mg·L-1,V L废酸最多可提取Sc2O3的质量为____________。
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镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料,应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题:
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______;与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种;SeO3的空间构型是_______。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga ___As,第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)
(3)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是______,硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等,与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________,丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因___。
(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3,GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。
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氮化铝(AlN)具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,被广泛应用于电子工业、陶瓷工业等领域。在一定条件下,氮化铝可通过如下反应合成:
Al2O3 + N2 + 3 C 2 AlN + 3 CO 下列叙述正确的是 ( )
A.在氮化铝的合成反应中,N2是还原剂,Al2O3是氧化剂
B.上述反应中每生成2 mol AlN,N2得到3 mol电子
C.氮化铝中氮元素的化合价为-3
D.氮化铝晶体属于分子晶体
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