镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料,应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题:
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______;与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种;SeO3的空间构型是_______。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga ___As,第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)
(3)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是______,硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等,与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________,丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因___。
(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3,GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。
高二化学综合题中等难度题
镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料,应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题:
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______;与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种;SeO3的空间构型是_______。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga ___As,第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)
(3)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是______,硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等,与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________,丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因___。
(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加德罗常数的值为NA。
①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3,GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。
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砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题:
(1)Ga基态原子核外电子排布式为__________________,As基态原子核外有____个未成对电子。
(2)Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是___________,Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是_________________。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和佛点,分析其变化规律及原因:_________________。
镓的卤化物 | GaI3 | GaBr3 | GaCl3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000 ℃,可能的原因是______________。
(4)二水合草酸镓的结构如图1所示,其中镓原子的配位数为___________,草酸根中碳原子的杂化轨道类型为______________。
(5)砷化镓的立方晶胞结构如图2所示,晶胞参数为a=0.565nm,砷化镓晶体的密度为_____g/ cm3(设NA为阿伏加德罗常数的值,列出计算式即可)。
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镍与VA族元素形成化合物是重要半导体材料,砷化镓(GaAs)是应用广泛的化工材料,回答问题:
(1)基态Ga原子核外电子排布式为_____,基态As原子核外有____个未成对电子。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因:______________。
镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000 ℃,可能的原因是________。
(4)二水合草酸镓的结构如图所示,其中镓原子的配位数为___,草酸根中碳原子的杂化方式为______。
(5)砷化镓熔点为1238℃,立方晶胞结构如图所示,晶胞边长为a=565 pm。该晶体的类型为____,晶体的密度为_____(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。(Ga和As的相对原子质量分别为70和75)
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律,元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”,下同)As,第一电离能B____Ga;BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____,As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm,它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____;该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律,元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”,下同)As,第一电离能B____Ga;BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____,As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm,它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____;该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga______As,第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________,其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃,GaCl3的熔点为77.9 ℃,其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为ρ g·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
高二化学综合题困难题查看答案及解析
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga____As,第一电离能Ga______As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________ ,其中As的杂化轨道类型为_________。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是_________。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
高二化学简答题困难题查看答案及解析
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)写出基态As原子的核外电子排布式________________。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga____As,第一电离能Ga______As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________ ,其中As的杂化轨道类型为_________。
(4)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是_________。
(5)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·cm-3,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1,原子半径分别为rGa pm和rAs pm,阿伏伽德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
高二化学简答题困难题查看答案及解析
CH4 | SiH4 | NH3 | PH3 | |
沸点(K) | 101.7 | 161.2 | 239.7 | 185.4 |
分解温度(K) | 873 | 773 | 1073 | 713.2 |
高二化学解答题中等难度题查看答案及解析
下列比较中,错误的是
A.原子半径:K>Ga>Se>S B.第-电离能:Si>Al>Mg>Na
C.电负性:O>N>P>As D.非金属性:P>Si>Ge>Ga
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