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我国在砷化镓太阳能电池研究方面国际领先。砷（As）和镓（Ga）都是第四周期元素，分别属于ⅤA和ⅢA族．下列说法中，不正确的是( )
A．原子半径：Ga＞As＞P B．热稳定性：NH3＞PH3＞AsH3
C．酸性：H3AsO4＞H2SO4＞H3PO4 D．Ga（OH）3 可能是两性氢氧化物
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2008年9月25日21时10分，“神舟七号”顺利升空，并实施首次空间出舱活动。飞船的太阳能电池板有“飞船血液”之称，我国在砷化镓太阳能电池研究方面处于国际领先水平，下列有关说法正确的是
A．砷元素符号为As，位于元素周期表中第四周期ⅤA族
B．酸性：砷酸＞磷酸
C．镓元素符号为GA，单质不能与水反应
D．碱性：GA（OH)3＜Al（OH)3
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2008年9月25日21时10分，“神舟7号”顺利升空，并实施首次空间出舱活动。飞船的太阳能电池板有“飞船血液”之称，我国在砷化镓（GaAs）太阳能电池研究方面处于国际领先水平，下列有关说法正确的是（ ）
A. 砷元素位于元素周期表中第四周期VA族 B. 酸性：砷酸＞磷酸
C. 镓单质不能与水反应 D. 碱性：Ga(OH)3＜Al(OH)3
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小米公司在2020年2月13日发布了65W 氮化镓充电器。氮化镓是第三代半导体材料。下列说法中正确的是
A.镓的第一电离能比同周期前后两种元素的都小 B.氮化镓属于分子晶体
C.镓元素的简单离子半径大于原子半径 D.基态镓原子的核外电子排布式为[Ar]4S24P1
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我国的超级钢研究居于世界领先地位。某种超级钢中除Fe外，还含Mn 10%、C 0.47%、Al 2%、V 0.7%。下列说法中错误的是
A.上述五种元素中，有两种位于周期表的p区
B.超级钢的晶体一定是金属晶体
C.X-射线衍射实验可以确定超级钢的晶体结构
D.超级钢中存在金属键和离子键
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B____Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是____。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为____，As原子采取____杂化。
(4)GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是____。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为____；该晶体的密度为______g/cm3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga____As，第一电离能Ga______As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为____________ ，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________,
Ga与As以________键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________。
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