锗元素在周期表中位于第四周期、第IVA族,下列说法正确的是
A.锗元素与氧元素同主族
B.单质可能做半导体材料
C.锗元素的金属性比位于第六周期同主族的铅元素强
D.锗的最高价氧化物的水化物是强酸
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锗元素在周期表中位于第四周期、第IVA族,下列说法正确的是
A.锗元素与氧元素同主族
B.单质可能做半导体材料
C.锗元素的金属性比位于第六周期同主族的铅元素强
D.锗的最高价氧化物的水化物是强酸
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a、b、c、d四种元素在周期表中的位置如下图,则下列说法正确的是
A. a与b之间容易形成离子化合物
B. 若b的单质可作半导体材料,则c的单质不可能为半导体材料
C. 若b的单质与H2易化合,则c的单质与H2更易化合
D. 若b的最高价氧化物对应水化物为H2bO4,则a的氢化物的化学式为aH3
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结合元素周期律,根据下列事实所得推测不合理的是
事 实 | 推 测 | |
A. | IVA 族 14Si 和 32Ge 的单质是半导体材料 | 同族 82Pb 的单质是半导体材料 |
B. | HI 在 220℃时分解,HCl 在 1500℃时分解 | HF 的分解温度大于 1500℃ |
C. | H3PO4 是中强酸,H2SO4 是强酸 | HClO4 是强酸 |
D. | Na、Al 通常用电解法冶炼 | Mg 可用电解法冶炼 |
A.A B.B C.C D.D
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锗(Ge)是第四周期第IVA族元素,处于元素周期表中金属区与非金属区的交界线处,下列叙述正确的是( )
A.锗是一种金属性很强的元素 B.锗的单质具有半导体的性能
C.锗化氢(GeH4)稳定性很强 D. 锗酸(H4GeO4)是难溶于水的强酸
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关于元素周期表的说法正确的是
A. 同周期IA族和IVA族元素的原子序数之差可能是13
B. 周期表中每个族均占据一个竖列
C. 周期表中非金属元素均位于过渡元素右侧
D. 同主族相邻元素原子序数之差不可能是2
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短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X的族序数是周期序数的3倍,Y原子的最外层有2个电子,Z的单质晶体是应用最广泛的半导体材料,W与X位于同一主族。下列说法正确的是
A.离子半径.r(Y)>r(W)
B.由X、Y组成的化合物是离子化合物
C.Z的最高价氧化物对应水化物的酸性比W的强
D.W只能形成一种氧化物
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短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X是地壳中含量最多的元素,Y原子的最外层有2个电子,Z的单质晶体是应用最广泛的半导体材料,W与X位于同一主族。下列说法正确的是( )
A.原子半径:r(Y)>r(Z)>r(W)>r(X)
B.由X、Y组成的化合物是离子化合物
C.Z的最高价氧化物对应水化物的酸性比W的强
D.W的简单气态氢化物的热稳定性比X的强
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已知在周期表中第118号元素位于周期表的第七周期0族,预测第114号元素的下列叙述中,错误的是 ( )
A. 位于周期表的第七周期第ⅣA族 B. 该元素的单质可做半导体材料
C. 该元素的最高价氧化物对应的水化物具有碱性 D. 常见的化合价有+2和+4价
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下列叙述正确的是
A. 同周期的ⅡA族与ⅢA族元素的原子序数一定相差1
B. 第三周期非金属元素含氧酸的酸性从左到右依次增强
C. 硅位于元素周期表中金属和非金属的交界处,其单质可作半导体材料
D. 元素的非金属性越强,其气态氢化物越不稳定
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下列关于元素周期表应用的说法不正确的是
A. 在过渡元素中,可以找到半导体材料
B. 第 118 号元素 Og 在周期表中位于第七周期 0 族
C. 在元素周期表中共有 18 列,16 个族
D. 元素周期表为元素性质的系统研究提供指导,为新元素的发现提供线索
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