高一化学填空题中等难度题
高一化学填空题中等难度题查看答案及解析
周期表中第三周期元素,按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是
A.原子半径逐渐增大
B.金属性减弱,非金属性增强
C.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
D.简单离子的离子半径减小
高一化学单选题简单题查看答案及解析
对于元素周期表中第三周期的元素来说,按原子序数递增顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是( )
A. 原子半径和离子半径均减小 B. 金属性减弱,非金属性增强
C. 氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强 D. 单质的熔点降低
高一化学单选题中等难度题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ,氧化性最弱的简单阳离子是 。
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是 ;
制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是 。
(4)晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
写出SiCl4的电子式: ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量,写出该反应的热化学方程式:
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400 ℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式:
(7)工业上,通过如下转化可制得KClO3晶体:
完成Ⅰ中反应的总化学方程式:
Ⅱ该反应过程能析出KClO3晶体而无其他晶体析出的原因是 。
高一化学简答题极难题查看答案及解析
(12分)元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是 。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水合物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为 ,氧化性最弱的简单阳离子是 。
(3)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
写出SiCl4的电子式: ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量,则生成1mol纯硅吸收的热量为
(4)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式: 。
高一化学填空题极难题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是______。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.单质的熔点降低
d.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_____,氧化性最弱的简单阳离子是____。
(2)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是_____;制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是_____。
(3)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)
写出SiCl4的电子式:_____;
(4)下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是_____。
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(5)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式:____。
高一化学综合题中等难度题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是________。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为________,氧化性最弱的简单阳离子是________。
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________ ___;
制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是____________________________ __。
(4)晶体硅(熔点1410 ℃)是良好的半导体材料,SiCl4(熔点-70 ℃)。由粗硅制纯硅过程如下:
SiCl4属于 晶体。在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量,写出该反应的热化学方程式:______________________________________ 。
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是________。
a.NH3b.HI c.SO2d.CO2
高一化学填空题简单题查看答案及解析
元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是____________。
a.原子半径和离子半径均减小
b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强
d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为_________,氧化性最弱的简单阳离子是_______。
(3)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:
Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)。写出SiCl4的结构式_________________。
(4)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是__________。
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(5)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1︰1。写出该反应的化学方程式_____________________。
高一化学填空题困难题查看答案及解析
下列说法正确的是
A. 碱金属的单质中,锂的还原性最强
B. 第ⅠA族元素比第ⅡA族元素的金属性强
C. 同周期中,原子半径随原子序数的增大而减小(稀有气体元素除外)
D. 随着核电荷数的递增,第三周期元素的氧化物对应的水化物的酸性逐渐增强
高一化学选择题简单题查看答案及解析
下列关于元素周期律的说法错误的是
A、同一主族从上至下,元素的原子半径逐渐减小
B、同一周期从左至右,元素的原子半径逐渐减小(稀有气体除外)
C、同一周期从左至右,元素金属性逐渐减弱,非金属性逐渐增强。
D、同一主族从上至下,元素金属性逐渐增强,非金属性逐渐减弱
高一化学选择题简单题查看答案及解析