高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示,下列说法正确的是
A. 步骤①的化学方程式为:SiO2+C Si+CO2↑
B. 灼烧熔融的Na2CO3固体,可用石英坩埚
C. 二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
D. SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点67.6℃),可通过蒸馏(或分馏)提纯SiHCl3
高三化学单选题中等难度题
高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示,下列说法正确的是
A. 步骤①的化学方程式为:SiO2+C Si+CO2↑
B. 灼烧熔融的Na2CO3固体,可用石英坩埚
C. 二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
D. SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点67.6℃),可通过蒸馏(或分馏)提纯SiHCl3
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高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示,下列说法正确的是
A. 步骤①的化学方程式为:SiO2+C Si+CO2↑
B. 灼烧熔融的Na2CO3固体,可用石英坩埚
C. 二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
D. SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点67.6℃),可通过蒸馏(或分馏)提纯SiHCl3
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高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示,下列说法正确的是
A. 步骤①的化学方程式为:SiO2+C Si+CO2↑
B. 灼烧熔融的Na2CO3固体,可用石英坩埚
C. 二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
D. SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点67.6℃),可通过蒸馏(或分馏)提纯SiHCl3
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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。这种材料可以按下列方法制备,下列说法正确的是
SiO2 Si(粗) SiHCl3 Si(纯)
A. 步骤①的化学方程式为SiO2+CSi+CO2↑
B. 步骤①、②、③中每生成或反应1 mol Si,转移2 mol电子
C. 二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
D. SiHCl3(沸点33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6 ℃),通过蒸馏可提纯SiHCl3
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高纯度晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它可以按下列方法制备:
下列说法正确的是
A. 步骤①的化学方程式为:SiO2+CSi+CO2↑
B. 步骤①②③中每生成或反应1mol Si,转移2mol电子
C. SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6℃),通过蒸馏(或分馏)可提纯SiHCl3
D. 二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。这种材料可以按下列方法制备:
SiO2Si(粗) SiHCl3Si(纯)下列说法正确的是 ( )
A.步骤①的化学方程式为SiO2+CSi+CO2↑
B.步骤①②③中每生成或反应1 mol Si,转移4 mol 电子
C.二氧化硅能与氢氟酸反应,也能与氢氧化钠溶液反应,属于两性氧化物
D.SiHCl3(沸点33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6 ℃),通过蒸馏(或分馏)可提纯SiHCl3
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高纯度晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它可以按下列方法制备:
下列说法正确的是
A.步骤①的化学方程式为:SiO2+CSi+CO2↑
B.步骤①②③中每生成或反应1mol Si,转移4mol电子
C.二氧化硅能与氢氟酸反应,而硅不能与氢氟酸反应
D.SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6℃),通过蒸馏(或分馏)可提纯SiHCl3
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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,是制备半导体的重要材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备:用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含Fe、Al、B、P等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度为450~500℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。
相关信息:a.四氯化硅遇水极易水解;b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物;c.有关物质的物理常数见下表:
物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | — |
熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | — |
升华温度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
请回答下列问题:
(1)仪器e的名称为________,装置A中f管的作用是________,其中发生反应的离子方程式为________。
(2)装置B中的试剂是________。
(3)某学习小组设计了以下两种实验方案:方案甲:g接装置Ⅰ;方案乙:g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处,请你评价后填写下表。
方案 | 不足之处 |
甲 | |
乙 |
(4)在上述(3)的评价基础上,请设计一个合理方案:。
(5)通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的杂质元素是(填写元素符号)。
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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,是制备半导体的重要材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备:用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含Fe、Al、B、P等杂质),粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度为450~500℃),四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。
相关信息:a.四氯化硅遇水极易水解;b.硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物;c.有关物质的物理常数见下表:
物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | — |
熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | — |
升华温度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
请回答下列问题:
(1)仪器e的名称为____________,装置A中f管的作用是_______________________________________,其中发生反应的离子方程式为_________________________________________ _______。
(2)装置B中的试剂是____________。
(3)某学习小组设计了以下两种实验方案:方案甲:g接装置Ⅰ;方案乙:g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处,请你评价后填写下表。
方案 | 不足之处 |
甲 | |
乙 |
(4)在上述(3)的评价基础上,请设计一个合理方案:___________________________。
(5)通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏(类似多次蒸馏)得到高纯度四氯化硅,精馏后的残留物中,除铁元素外可能还含有的杂质元素是________(填写元素符号)。
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“材料”的发现和使用往往会极大地推动生产、生活的发展,一些材料的出现甚至具有划时代的意义。请你回答以下问题:
(1)无机非金属材料。高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。这种材料可以按下列方法制备:
SiO2Si(粗) SiHCl3Si(纯)
①写出步骤a的化学方程式_________________________________________________。
此反应不能证明C的非金属性比Si强,请你用一个化学方程式来说明C的非金属性比Si强的事实______________________________________。
②步骤b经过冷凝得到的SiHCl3(沸点33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸点57.6 ℃)和HCl(沸点-84.7 ℃),提纯SiHCl3的主要化学操作的名称是________;
(2)磁性材料。这种材料一般含有铁元素,铁以化学性质活泼用途广泛而著称。其中在工业上常用于印刷铜电路板工业,请写出反应的离子方程式_____________________________。
(3)激光材料。我国是激光技术先进的国家,红宝石(Al2O3)是最早用于产生激光的材料,它是一种两性氧化物,请用离子方程式加以说明:__________________________________,________________________________。
(4)纳米材料。胶体是一种物质以“纳米”颗粒的形式分散到另一种物质里形成的分散系,胶体粒子的直径大约是________,区分胶体和溶液最经典的方法是___________________。
(5)高分子材料。一种新型高效净水剂[AlFe(OH)nCl6-n]m属于无机高分子材料,广泛应用于生活用水和工业污水处理,其中铁元素的化合价为________价。
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