高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场 ...

高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示，下列说法正确的是

A. 步骤①的化学方程式为：SiO2＋C Si＋CO2↑

B. 灼烧熔融的Na2CO3固体，可用石英坩埚

C. 二氧化硅能与氢氟酸反应，而硅不能与氢氟酸反应

D. SiHCl3（沸点33.0℃）中含有少量SiCl4（沸点67.6℃），可通过蒸馏（或分馏）提纯SiHCl3

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高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示，下列说法正确的是

A. 步骤①的化学方程式为：SiO2＋C Si＋CO2↑

B. 灼烧熔融的Na2CO3固体，可用石英坩埚

C. 二氧化硅能与氢氟酸反应，而硅不能与氢氟酸反应

D. SiHCl3（沸点33.0℃）中含有少量SiCl4（沸点67.6℃），可通过蒸馏（或分馏）提纯SiHCl3

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高纯度晶体硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它的制备方法如下图所示，下列说法正确的是

A. 步骤①的化学方程式为：SiO2＋C Si＋CO2↑

B. 灼烧熔融的Na2CO3固体，可用石英坩埚

C. 二氧化硅能与氢氟酸反应，而硅不能与氢氟酸反应

D. SiHCl3（沸点33.0℃）中含有少量SiCl4（沸点67.6℃），可通过蒸馏（或分馏）提纯SiHCl3

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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。这种材料可以按下列方法制备，下列说法正确的是

SiO2 Si(粗) SiHCl3 Si(纯)

A. 步骤①的化学方程式为SiO2＋CSi＋CO2↑

B. 步骤①、②、③中每生成或反应1 mol Si，转移2 mol电子

C. 二氧化硅能与氢氟酸反应，而硅不能与氢氟酸反应

D. SiHCl3(沸点33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6 ℃)，通过蒸馏可提纯SiHCl3

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高纯度晶硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它可以按下列方法制备：

下列说法正确的是

A. 步骤①的化学方程式为：SiO2＋CSi＋CO2↑

B. 步骤①②③中每生成或反应1mol Si，转移2mol电子

C. SiHCl3（沸点33.0℃）中含有少量的SiCl4（沸点67.6℃），通过蒸馏（或分馏）可提纯SiHCl3

D. 二氧化硅能与氢氟酸反应，而硅不能与氢氟酸反应

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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。这种材料可以按下列方法制备：

SiO2Si(粗) SiHCl3Si(纯)下列说法正确的是　 (　　 )

A．步骤①的化学方程式为SiO2＋CSi＋CO2↑

B．步骤①②③中每生成或反应1 mol Si，转移4 mol 电子

C．二氧化硅能与氢氟酸反应，也能与氢氧化钠溶液反应，属于两性氧化物

D．SiHCl3(沸点33.0 ℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6 ℃)，通过蒸馏(或分馏)可提纯SiHCl3

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高纯度晶硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场 “革命”。它可以按下列方法制备：

下列说法正确的是

A．步骤①的化学方程式为：SiO2＋CSi＋CO2↑

B．步骤①②③中每生成或反应1mol Si，转移4mol电子

C．二氧化硅能与氢氟酸反应，而硅不能与氢氟酸反应

D．SiHCl3（沸点33．0℃）中含有少量的SiCl4（沸点67．6℃），通过蒸馏（或分馏）可提纯SiHCl3

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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。

相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：

请回答下列问题：

（1）仪器e的名称为________，装置A中f管的作用是________，其中发生反应的离子方程式为________。

（2）装置B中的试剂是________。

（3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。

（4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案：。

（5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是（填写元素符号）。

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高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，是制备半导体的重要材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。高纯硅通常用以下方法制备：用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含Fe、Al、B、P等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度为450～500℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置图。

相关信息：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接化合生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：

请回答下列问题：

（1）仪器e的名称为____________，装置A中f管的作用是_______________________________________，其中发生反应的离子方程式为_________________________________________ _______。

（2）装置B中的试剂是____________。

（3）某学习小组设计了以下两种实验方案：方案甲：g接装置Ⅰ；方案乙：g接装置Ⅱ。但是甲乙两个方案中虚线内装置均有不足之处，请你评价后填写下表。

（4）在上述（3）的评价基础上，请设计一个合理方案：___________________________。

（5）通过上述合理的装置制取并收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素外可能还含有的杂质元素是________（填写元素符号）。

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“材料”的发现和使用往往会极大地推动生产、生活的发展，一些材料的出现甚至具有划时代的意义。请你回答以下问题：

(1)无机非金属材料。高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料，又称“半导体”材料，它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”。这种材料可以按下列方法制备：

SiO₂Si(粗) SiHCl₃Si(纯)

①写出步骤a的化学方程式_________________________________________________。

此反应不能证明C的非金属性比Si强，请你用一个化学方程式来说明C的非金属性比Si强的事实______________________________________。

②步骤b经过冷凝得到的SiHCl₃(沸点33.0 ℃)中含有少量的SiCl₄(沸点57.6 ℃)和HCl(沸点－84.7 ℃)，提纯SiHCl₃的主要化学操作的名称是________；

(2)磁性材料。这种材料一般含有铁元素，铁以化学性质活泼用途广泛而著称。其中在工业上常用于印刷铜电路板工业，请写出反应的离子方程式_____________________________。

(3)激光材料。我国是激光技术先进的国家，红宝石(Al₂O₃)是最早用于产生激光的材料，它是一种两性氧化物，请用离子方程式加以说明：__________________________________，________________________________。

(4)纳米材料。胶体是一种物质以“纳米”颗粒的形式分散到另一种物质里形成的分散系，胶体粒子的直径大约是________，区分胶体和溶液最经典的方法是___________________。

(5)高分子材料。一种新型高效净水剂[AlFe(OH)_nCl_6－n]_m属于无机高分子材料，广泛应用于生活用水和工业污水处理，其中铁元素的化合价为________价。

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