四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl4+2H24...

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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl₄+2H₂

4HCl+Si下列说法不合理的是（）
A．反应制得的硅可用于制造半导体材料
B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D．混入少量空气对上述反应无影响

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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：SiCl₄+2H₂4HCl+Si下列说法不合理的是（）
A．反应制得的硅可用于制造半导体材料
B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D．混入少量空气对上述反应无影响
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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法，有关反应的化学方程式为：
SiCl₄＋2H₂4HCl＋Si
下列说法不合理的是
A．反应制得的硅可用于制造半导体材料
B．增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率
C．四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得
D．混入少量空气对上述反应无影响

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制备单质硅的主要化学反应如下：
①SiO₂+2Ci+2CO↑ ②Si+2Cl₂ SiCl₄③SiCl₄+2H₂Si+4HCl
下列对上述三个反应的叙述中，错误的是
A．①③为置换反应
B．①②③均为氧化还原反应
C．三个反应的反应物中硅元素均被氧化
D．①是工业上制粗硅的反应，②③是粗硅提纯的反应

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工业上生产氮化硅陶瓷反应为3SiCl4＋2N2＋6H2Si3N4＋12HCl，有关该反应说法正确的是
A. SiCl4是氧化剂　　 B. N2失电子　　 C. H2被还原　　 D. N2发生还原反应

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工业上生产氮化硅陶瓷反应为3SiCl4＋2N2＋6H2Si3N4＋12HCl，有关该反应说法正确的是
A. SiCl4是氧化剂　　 B. N2发生还原反应
C. H2被还原　　 D. N2失电子

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工业上生产氮化硅陶瓷反应为3SiCl4＋2N2＋6H2Si3N4＋12HCl，有关该反应说法正确的是
A. SiCl4是氧化剂　　 B. N2失电子　　 C. H2被还原　　 D. N2发生还原反应

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工业上生产氮化硅陶瓷的反应为：3SiCl4+2N2+6H2Si3N4+12HCl，有关该反应的说法正确的是
A．SiCl4是氧化剂　　　
B．Si3N4是氧化产物　　
C．H2被还原
D．N2发生还原反应

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制备硅单质时，化学反应如下：（1）SiO₂＋2C==== Si＋2CO↑ (2)Si＋2Cl₂ ===SiCl₄ （3）SiCl₄＋2H₂ ===Si＋4HCl。下列对上述三个反应的叙述中，不正确的是：（    ）
A．（1）（3）为置换反应      B．（1）（2）（3）均为氧化还原反应
C．（2）为化合反应          D．三个反应的反应物中硅元素均被还原

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工业上制备纯硅反应的热化学方程式如下：
SiCl₄（g）+2H₂（g）⇌Si（s）+4HCl（g）；△H=+QKJ/mol（Q＞0），某温度、压强下，将一定量反应物通入密闭容器进行以上反应，下列叙述正确的是（）
A．反应过程中，若压缩容器体积，增大压强能提高SiCl₄的转化率
B．若反应开始时SiCl₄为1mol，则达平衡时，吸收热量为QkJ
C．当反应吸收热量为0.025QkJ时，生成的HCl通入100mL1mol/L的NaOH溶液恰好反应
D．反应至4min时，若HCl浓度为0.12mol/L，则H₂的反应速率为0.03mol/
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工业上制备纯硅反应的热化学方程式：SiCl₄（g）+2H₂（g）⇌Si（s）+4HCl（g）△H=+QkJ/mol（Q＞0），一定温度、压强下，将一定量的反应物通入密闭容器中进行以上反应，下列叙述正确的是（）
A．反应过程中，减小压强能提高SiCl₄的转化率
B．若反应开始时SiCl₄为1mol，则达平衡时，吸收热量为QkJ
C．当反应吸收热量为0.025QkJ时，生成的HCl通入100mL 1mol/L的NaOH溶液得到的溶液呈中性
D．反应至4min时，若HCl浓度为0.12mol/L，则2min时，HCl浓度为0.06mol/L
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