制备单质硅的主要化学反应如下：①SiO2+2Ci+2CO↑ ②Si+2Cl2 SiCl4③...

制备单质硅的主要化学反应如下：

①SiO₂+2Ci+2CO↑  ②Si+2Cl₂     SiCl₄③SiCl₄+2H₂Si+4HCl

下列对上述三个反应的叙述中，错误的是

A．①③为置换反应

B．①②③均为氧化还原反应

C．三个反应的反应物中硅元素均被氧化

D．①是工业上制粗硅的反应，②③是粗硅提纯的反应

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制备硅单质时，化学反应如下：（1）SiO₂＋2C==== Si＋2CO↑ (2)Si＋2Cl₂ ===SiCl₄ （3）SiCl₄＋2H₂ ===Si＋4HCl。下列对上述三个反应的叙述中，不正确的是：（    ）

A．（1）（3）为置换反应      B．（1）（2）（3）均为氧化还原反应

C．（2）为化合反应          D．三个反应的反应物中硅元素均被还原

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工业上制取高纯度硅的反应之一为SiCl4＋2H2Si＋4HCl。该反应属于(　　)

A. 化合反应 B. 分解反应

C. 置换反应 D. 复分解反应

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半导体工业用石英砂做原料通过三个重要反应生产单质硅：

①SiO2(s)＋2C(s)===Si(s)＋2CO(g)　　 ΔH＝＋682.44 kJ·mol－1，

(石英砂)　　 (粗硅)

②Si(s)＋2Cl2(g)===SiCl4(g)　　 ΔH＝－657.01 kJ·mol－1

(粗硅)

③SiCl4(g)＋2Mg(s)===2MgCl2(s)＋Si(s)　　 ΔH＝－625.63 kJ·mol－1

(纯硅)

用石英砂生产1.00 kg纯硅的总放热为

A．2.43×104 kJ　　 　　 B．2.35×104 kJ　　　　 C．2.23×104 kJ　 　 　 D．2.14×104 kJ

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工业上制备纯硅反应的热化学方程式如下：SiCl₄(g)＋2H₂(g) Si(s)＋4HCl(g)；△H＝＋QkJ·mol^－1(Q＞0)，某温度、压强下，将一定量的反应物通入密闭容器进行以上的反应(此条件下为可逆反应)，下列叙述正确的是(   )

A．反应过程中，若增大压强能提高SiCl₄的转化率

B．若反应开始时SiCl₄为1mol，则达到平衡时，吸收热量为QkJ

C．反应至4min时，若HCl的浓度为0.12mol·L^－1，则H₂的反应速率为0.03mol/(L·min)

D．当反应吸收热量为0.025QkJ时，生成的HCl通入100mL1mol·L^－1的NaOH恰好反应

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工业上制备纯硅反应的热化学方程式如下：

SiCl₄(g)＋2H₂(g)== Si(s)＋4HCl(g)；△H＝＋QkJ/mol(Q＞0)

某温度、压强下，将一定量的反应物通入密闭容器进行以上的反应(此条件下为可逆反应)，下列叙述正确的是

A．反应过程中，若增大压强能提高SiCl₄的转化率

B．若反应开始时SiCl₄为1mol，则达到平衡时，吸收热量为QkJ

C．反应至4min时，若HCl的浓度为0.12mol/ L，则H₂的反应速率为0.03mol/(L·min)

D．当反应吸收热量为0.025QkJ时，生成的HCl通入100mL1mol/L的NaOH恰好反应

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工业上制备纯硅的热化学方程式如下：SiCl4(g)＋2H2(g) Si(s)＋4HCl(g)ΔH ＝ ＋Q kJ·mol－1 (Q >0)；某温度、压强下，将一定量反应物通入密闭容器进行反应，下列叙述正确的是 (　　　 　)

A. 反应过程中，若增大压强能提高SiCl4的转化率

B. 若反应开始时SiCl4为1 mol，则在平衡时，吸收热量为Q kJ

C. 将反应的温度由T1升高至T2，则对应温度下的平衡常数K1>K2

D. 当反应吸收热量为0.25Q kJ时，生成的HCl恰好与1 mol NaOH反应

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工业上制备纯硅反应的热化学方程式如下：SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g) △H＝＋QkJ·mol-1(Q＞0)，某温度、压强下，将一定量的反应物通入密闭容器中进行以上的反应(此条件下为可逆反应)，下列叙述正确的是

A. 反应过程中，若增大压强能提高SiCl4的转化率

B. 若反应开始时SiCl4为1mol，则达到平衡时，吸收热量为QkJ

C. 反应至4min时，若HCl的浓度为0.12mol·L－1，则H2的反应速率为0.03mol/(L·min

D. 当反应吸热为0.025QkJ时，生成的HCl与100mL1mol·L－1的NaOH溶液恰好反应

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