多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三...

多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示：

下列说法错误的是

A. Y、Z分别为H2、Cl2

B. 制取粗硅的过程中焦炭与石英会发生副反应生成碳化硅，在该副反应中，氧化剂与还原剂的物质的量之比为1：1

C. SiHCl3极易水解，其完全水解的产物为H2SiO3、H2、HCl，据此推测SiHCl3中硅元素的化合价为+2价

D. Y与SiHCl3制备多晶硅的反应属于置换反应

高三化学单选题困难题查看答案及解析

多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示：

下列说法错误的是

A. Y、Z分别为H2、Cl2

B. 制取粗硅的过程中焦炭与石英会发生副反应生成碳化硅，在该副反应中，氧化剂与还原剂的物质的量之比为1：1

C. SiHCl3极易水解，其完全水解的产物为H2SiO3、H2、HCl，据此推测SiHCl3中硅元素的化合价为+2价

D. Y与SiHCl3制备多晶硅的反应属于置换反应

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NaC1O3可用于制取二氧化氯、亚氯酸钠及高氯酸盐等。以原盐(主要成分为NaC1)为原料制备氯酸钠的工艺流程如下：

已知：Cr2O72-+H2O2CrO42-+2H+。

回答下列问题：

(1)“粗制盐水”中加入NaOH和Na2CO3的目的是___________________。

(2)过滤时，使用的玻璃仪器有烧杯、玻璃棒和____________。

(3)在pH：6.4～6.8，温度：40～50℃的条件下电解，理论上最终产物只有NaC1O3。电解时阳极的产物为C12，溶液中发生的反应有C12+H2O====HC1O+H++C1-，HC1OH++C1O-和__________。

(4)电解槽中温度不宜过高，其原因是_________________________。加入的Na2Cr2O7可以调节电解液酸度，若酸度过大，则电解液中主要存在__________(填“Cr2O72-”或“CrO42-”)。

(5)为检测电解后盐水中NaC1O3的物质的量浓度进行下列实验：

I．准确吸取10．00mL电解后的盐水，加入适量的3％H2O2溶液充分搅拌并煮沸。

Ⅱ．准确吸取0.10mol·L-1的(NH4)2Fe(SO4)2标准溶液25．00 mL于300mL锥形瓶中，加入足量稀硫酸。

III．将I的溶液加入Ⅱ的锥形瓶中，隔绝空气煮沸10min，加热充分反应。冷却至室温后，加入10mL0.4mol·L-1MnSO4溶液、5mL 85％磷酸溶液，用c mol·L-1的KMnO4标准溶液滴定剩余的Fe2+至溶液变为微红色，即滴定终点，此时消耗高锰酸钾V mL。

①步骤I中加入H2O2溶液的作用是______________________。

②步骤Ⅱ中C1O3-被Fe2+还原为C1-的离子方程式为________________________。

③该盐水中NaC1O3的物质的量浓度为________mol·L-1。

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NaC1O3可用于制取二氧化氯、亚氯酸钠及高氯酸盐等。以原盐(主要成分为NaC1)为原料制备氯酸钠的工艺流程如下：

已知：Cr2O72-+H2O2CrO42-+2H+。

回答下列问题：

(1)“粗制盐水”中加入NaOH和Na2CO3的目的是___________________。

(2)过滤时，使用的玻璃仪器有烧杯、玻璃棒和____________。

(3)在pH：6.4～6.8，温度：40～50℃的条件下电解，理论上最终产物只有NaC1O3。电解时阳极的产物为C12，溶液中发生的反应有C12+H2O====HC1O+H++C1-，HC1OH++C1O-和__________。

(4)电解槽中温度不宜过高，其原因是_________________________。加入的Na2Cr2O7可以调节电解液酸度，若酸度过大，则电解液中主要存在__________(填“Cr2O72-”或“CrO42-”)。

(5)为检测电解后盐水中NaC1O3的物质的量浓度进行下列实验：

I．准确吸取10．00mL电解后的盐水，加入适量的3％H2O2溶液充分搅拌并煮沸。

Ⅱ．准确吸取0.10mol·L-1的(NH4)2Fe(SO4)2标准溶液25．00 mL于300mL锥形瓶中，加入足量稀硫酸。

III．将I的溶液加入Ⅱ的锥形瓶中，隔绝空气煮沸10min，加热充分反应。冷却至室温后，加入10mL0.4mol·L-1MnSO4溶液、5mL 85％磷酸溶液，用c mol·L-1的KMnO4标准溶液滴定剩余的Fe2+至溶液变为微红色，即滴定终点，此时消耗高锰酸钾V mL。

①步骤I中加入H2O2溶液的作用是______________________。

②步骤Ⅱ中C1O3-被Fe2+还原为C1-的离子方程式为________________________。

③该盐水中NaC1O3的物质的量浓度为________mol·L-1。

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NaC1O3可用于制取二氧化氯、亚氯酸钠及高氯酸盐等。以原盐(主要成分为NaC1)为原料制备氯酸钠的工艺流程如下：

已知：Cr2O72-+H2O2CrO42-+2H+。

回答下列问题：

(1)“粗制盐水”中加入NaOH和Na2CO3的目的是___________________。

(2)过滤时，使用的玻璃仪器有烧杯、玻璃棒和____________。

(3)在pH：6.4～6.8，温度：40～50℃的条件下电解，理论上最终产物只有NaC1O3。电解时阳极的产物为C12，溶液中发生的反应有C12+H2O====HC1O+H++C1-，HC1OH++C1O-和__________。

(4)电解槽中温度不宜过高，其原因是_________________________。加入的Na2Cr2O7可以调节电解液酸度，若酸度过大，则电解液中主要存在__________(填“Cr2O72-”或“CrO42-”)。

(5)为检测电解后盐水中NaC1O3的物质的量浓度进行下列实验：

I．准确吸取10．00mL电解后的盐水，加入适量的3％H2O2溶液充分搅拌并煮沸。

Ⅱ．准确吸取0.10mol·L-1的(NH4)2Fe(SO4)2标准溶液25．00 mL于300mL锥形瓶中，加入足量稀硫酸。

III．将I的溶液加入Ⅱ的锥形瓶中，隔绝空气煮沸10min，加热充分反应。冷却至室温后，加入10mL0.4mol·L-1MnSO4溶液、5mL 85％磷酸溶液，用c mol·L-1的KMnO4标准溶液滴定剩余的Fe2+至溶液变为微红色，即滴定终点，此时消耗高锰酸钾V mL。

①步骤I中加入H2O2溶液的作用是______________________。

②步骤Ⅱ中C1O3-被Fe2+还原为C1-的离子方程式为________________________。

③该盐水中NaC1O3的物质的量浓度为________mol·L-1。

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汞(熔点－39℃，沸点356℃)是制造电池、电极等的重要原料，历史上曾用“灼烧辰砂法”制取汞。目前工业上制粗汞的一种流程图如下。

下列分析错误的是（　 ）

A．“灼烧辰砂法”过程中电子转移的方向和数目可表示为：

B．辰砂与氧化钙加热反应时，CaSO4为氧化产物

C．洗涤粗汞可用5%的盐酸代替5%的硝酸

D．减压蒸馏的目的是降低汞的沸点，提高分离效率

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汞(熔点－39℃，沸点356℃)是制造电池、电极等的重要原料，历史上曾用“灼烧辰砂法”制取汞。目前工业上制粗汞的一种流程图如下。

下列分析错误的是

A．“灼烧辰砂法”过程中电子转移的方向和数目可表示为：

B．辰砂与氧化钙加热反应时，CaSO₄为氧化产物

C．洗涤粗汞可用5%的盐酸代替5%的硝酸

D．减压蒸馏的目的是降低汞的沸点，提高分离效率

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汞(熔点－39℃，沸点356℃)是制造电池、电极等的重要原料，历史上曾用“灼烧辰砂法”制取汞。目前工业上制粗汞的一种流程图如下。

下列分析错误的是

A．“灼烧辰砂法”过程中电子转移的方向和数目可表示为：

B．辰砂与氧化钙加热反应时，CaSO4为氧化产物

C．洗涤粗汞可用5%的盐酸代替5%的硝酸

D．减压蒸馏的目的是降低汞的沸点，提高分离效率

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汞（熔点-39℃，沸点356℃）是制造电池、电极的重要原料，历史上曾用“灼烧辰砂法”制取汞。目前工业上制粗汞的一种流程图如下。

下列分析错误的是

A.洗涤粗汞可用5%的盐酸代替5%的硝酸

B.辰砂与氧化钙加热反应时，CaSO4为氧化产物

C.“灼烧辰砂法”过程中电子转移的方向和数目可表示为：

D.减压蒸馏的目的是降低汞的沸点，提高分离效率

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汞（熔点-39℃，沸点356℃）是制造电池、电极的重要原料，历史上曾用“灼烧辰砂法”制取汞。目前工业上制粗汞的一种流程图如下。

下列分析错误的是

A．洗涤粗汞可用5%的盐酸代替5%的硝酸

B．辰砂与氧化钙加热反应时，CaSO4为氧化产物

C．“灼烧辰砂法”过程中电子转移的方向和数目可表示为：

D．减压蒸馏的目的是降低汞的沸点，提高分离效率

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