第ⅢA族元素及某些常见非金属元素的化合物在晶体材料等方面的用途非常广泛。回答下列问题:(1...

第ⅢA族元素及某些常见非金属元素的化合物在晶体材料等方面的用途非常广泛。回答下列问题:

(1)写出基态Ga原子的价电子轨道表示式__________________

(2)NH4HF2中HF2-的结构为F-H···F-，则NH4HF2中含有的化学键有_________

A.离子键　　 B.共价键　　 C.金属键　 氢键　 E.配位键

(3)CH3OH分子中的键角：H-C-H_______H-O-C。(填“<”、“>”、“=”)

(4)B、Al、Ga单质的熔点依次为2300°C，660°C，29.8°C，解释熔点产生差异的原因：___________________　　

(5)黑磷是磷的一种同素异形体，与石墨烯类似，其晶体结构片段如图所示：其中最小的环为____元环，每个环平均含有____个P原子。

(6)铊化钠(NaTl)可看作是由两个金刚石晶格穿插得到的(如图)，已知晶胞参数为a pm。

①铊化钠中Tl-Tl间最小距离为__________pm。

②设阿伏加德罗常数的值为NA，则NaTl的密度是________g·cm-3(列出计算表达式)。

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铬及其化合物在材料、颜料及超导等方面用途非常广泛。回答下列问题：

（1）基态Cr原子的价电子排布式为__；Cr成为阳离子时首先失去__轨道的电子。

（2）铬与钾均位于第四周期，铬的熔点和沸点均比钾的高，这是因为__。

（3）甘氨酸铬（结构如图）是一种配合物，其配位原子是__。

（4）反应：6KSCN+13K2Cr2O7+55H2SO4=13Cr2(SO4)3+6SO2↑+6CO2↑+16K2SO4+55H2O

①KSCN的四种组成元素中第一电离能最大的是__（填元素符号）；KSCN中阴离子的空间构型为___形，中心原子的杂化方式是__。

②分子中的大键可用符号表示，其中m代表参与形成大键的原子数，n代表参与形成大键的电子数（如苯分子中的大键可表示为），则NO2的大键可表示为__。

（5）立方CrO2晶体的结构如图所示，晶胞参数为apm。

①设NA为阿伏加德罗常数的值，则CrO2的密度为__（列出计算式）g·cm-3。

②1、2号原子的坐标依次为(0，0，0)、(，0，)，则原子坐标为(，，)和(，，)间的距离为__pm。

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铬及其化合物在材料、颜料及超导等方面用途非常广泛。回答下列问题：

（1）基态Cr原子的价电子排布式为__；Cr成为阳离子时首先失去__轨道的电子。

（2）铬与钾均位于第四周期，铬的熔点和沸点均比钾的高，这是因为__。

（3）甘氨酸铬（结构如图）是一种配合物，其配位原子是__。

（4）反应：6KSCN+13K2Cr2O7+55H2SO4=13Cr2(SO4)3+6SO2↑+6CO2↑+16K2SO4+55H2O

①KSCN的四种组成元素中第一电离能最大的是__（填元素符号）；KSCN中阴离子的空间构型为___形，中心原子的杂化方式是__。

②分子中的大键可用符号表示，其中m代表参与形成大键的原子数，n代表参与形成大键的电子数（如苯分子中的大键可表示为），则NO2的大键可表示为__。

（5）立方CrO2晶体的结构如图所示，晶胞参数为apm。

①设NA为阿伏加德罗常数的值，则CrO2的密度为__（列出计算式）g·cm-3。

②1、2号原子的坐标依次为(0，0，0)、(，0，)，则原子坐标为(，，)和(，，)间的距离为__pm。

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硼及其化合物在材料制造、有机合成等方面用途非常广泛。回答下列问题：

(1)VB2是一种导电陶瓷材料，基态钒原子的价电子排布图为___________

(2)B、C、N、O四种元素第一电离能由小到大的顺序为_______________。

(3)硼的卤化物在工业中有重要作用，硼的四种卤化物的沸点如下表所示：

①四种卤化物沸点依次升高的原因是_________________。

②用BF3分子结构解释反应BF3(g)+NH4F(s)=NH4BF4(s)能够发生的原因：_________________。

③制备环硼氨烷的方法如下：

BCl3、LiBH4中硼原子的杂化轨道类型依次为_________________；与B3N3H6互为等电子体的分子的结构简式为___________________。

(4)立方氮化硼的晶胞结构与金刚石结构相似(如下图)，是超硬材料。

①晶胞中每个氮原子周围与其最近且等距离的硼原子有_____个；

②结构化学上常用原子坐标参数表示晶胞内部各原子的相对位置，立方氮化硼的晶胞中， B原子的坐标参数分别有：B(0，0，0)，B(，0， )；B(0， ， )等，则距离上述三个B原子最近且等距离的N原子的坐标参数为___________________。

③已知氮化硼晶胞边长为apm，则氮化硼晶体的密度为____g·cm-3(设NA为阿伏加德罗常数值，只要求列算式)。

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硼及其化合物在材料制造、有机合成等方面用途非常广泛。回答下列问题：

(1) VB2是一种导电陶瓷材料，基态钒原子的价电子排布图为_______。

(2)B、C、N三种元素第一电离能由小到大的顺序为________。

(3)硼的卤化物在工业中有重要作用，硼的四种卤化物的沸点如下表所示。

①四种卤化物沸点依次升高的原因是__________________。

②用BF3分子结构解释反应BF3(g)+NH4F(s)==NH4[BF4] (s)能够发生的原因：____________。

制备环硼氨烷的方法如下：

BCl3、LiBH4中硼原子的杂化轨道类型依次为_________；与B3N3H6互为等电子体的分子的结构简式为________________。

(4)立方氮化硼的熔点为3000℃，其晶胞结构如图所示，晶胞参数a=361.5pm。

①立方氮化硼的晶体类型为_______________。

②紧邻的两个硼原子间的距离为_______(列出计算式即可) pm。

③立方氮化硼的密度为_____(列出计算式即可)g•㎝-3。

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硼及其化合物在材料制造、有机合成等方面用途非常广泛。回答下列问题：

(1) VB2是一种导电陶瓷材料，基态钒原子的价电子排布图为_______。

(2)B、C、N三种元素第一电离能由小到大的顺序为________。

(3)硼的卤化物在工业中有重要作用，硼的四种卤化物的沸点如下表所示。

①四种卤化物沸点依次升高的原因是__________________。

②用BF3分子结构解释反应BF3(g)+NH4F(s)==NH4[BF4] (s)能够发生的原因：____________。

制备环硼氨烷的方法如下：

BCl3、LiBH4中硼原子的杂化轨道类型依次为_________；与B3N3H6互为等电子体的分子的结构简式为________________。

(4)立方氮化硼的熔点为3000℃，其晶胞结构如图所示，晶胞参数a=361.5pm。

①立方氮化硼的晶体类型为_______________。

②紧邻的两个硼原子间的距离为_______(列出计算式即可) pm。

③立方氮化硼的密度为_____(列出计算式即可)g•㎝-3。

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卤族元素及其化合物的用途非常广泛。回答下列问题：

(1)基态氯原子价电子轨道表示式(电子排布图)为___；处于最高能级电子云轮廓图形状为____。

(2)和的中心原子相同且杂化方式也相同，它们的键长和键角如下图所示：

①O-F键的键长比O-Cl键的小，其原因是______。

②键角：∠FOF_____(填“＞”、“＜”或“＝”)∠ClOCl。

(3)①试解释酸性HBrO4＞HBrO3的原因_________ 。

②试解释酸性HClO3＞HBrO3＞HIO3的原因_________ 。

(4)的熔点为1040℃；的熔点为194℃，沸点为181℃，前者的熔点比后者高得多，其原因是______。

(5)氯化亚铜晶胞结构如图所示，晶胞参数a=0.542nm。

①Cu+的配位数为_____。

②氯化亚铜的密度为____(用含NA的计算式表示)。

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【化学-选修3：物质结构与性质】磷是人体含量较多的元素之一，磷的化合物在药物生产和农药制造等方面用途非常广泛。回答下列问题：

（1）基态磷原子核外共有________个未成对的电子。

（2）P4S3可用于制造火柴,其结构如图所示。

①电负性：磷_______硫；第一电离能：磷_______硫; (填“>”或“<)。

②P4S3中硫原子的杂化轨道类型为_______。

（3）N、P、As、Sb均是第VA族的元素。

①上述元素的氢化物的沸点关系如图乙所示，沸点：PH33，原因是_______；沸点：PH333，原因是_______。

②某种磁性氮化铁的晶胞结构如图丙所示，该化合物的化学式为_______。

（4）磷化铝熔点为2000℃，它与晶体硅互为等电子体，磷化铝晶胞结构如图丁所示。

①图中A点和B点的原子坐标参数如图丁所示，则C点的原子坐标参数为_______。

②磷化铝晶体的密度为ρg·cm-3用NA表示阿伏加德罗常数的数值，则该晶胞中距离最近的两个铝原子之间的距离为_______cm。

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磷是人体含量较多的元素之一，磷的化合物在药物生产和农药制造等方面用途非常广泛。回答下列问题：

（1）基态磷原子的核外电子排布式为____________________。

（2）P4S3可用于制造火柴,其分子结构如图甲所示。

①第一电离能：磷_____________硫;电负性：磷_____________硫(填“>”或“<”)。

②P4S3分子中硫原子的杂化轨道类型为_____________。

③每个P4S3分子中含孤电子对的数目为______________。

（3）N、P、As、Sb均是第VA族的元素。

①上述元素的氢化物的沸点关系如图乙所示，沸点：PH3<NH3,其原因是____________________;沸点：PH3<AsH3<SbH3，其原因是_____________________________________________________。

②某种磁性氮化铁的晶胞结构如图丙所示,该化合物的化学式为_________________。

（4）磷化铝熔点为2000℃，它与晶体硅互为等电子体，磷化铝晶胞结构如图丁所示。

①图中A点和B点的原子坐标参数如图丁所示，则C点的原子坐标参数为_______________。

②磷化铝晶体的密度为ρg·cm-3用NA表示阿伏加德罗常数的数值，则该晶胞中距离最近的两个铝原子之间的距离为_____________________________cm。

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氟及其化合物用途非常广泛。回答下列问题：

（1）聚四氟乙烯是一种准晶体，该晶体是一种无平移周期序，但有严格准周期位置序的独特晶体。可通过___方法区分晶体、准晶体和非晶体。

（2）K元素的基态原子的电子填充于___个不同的能级。

（3）[H2F]+[SbF6]-(氟酸锑)是一种超强酸，存在[H2F]+，该离子的空间构型为___，写出一种与[H2F]+具有相同空间构型和键合形式的阴离子是___。

（4）NH4F(氟化铵)可作为玻璃蚀刻剂、防腐剂、消毒剂等。NH4+的中心原子的杂化类型是___；氟化铵中存在___(填字母)。

A.离子键　　　 B.σ键　　　 C.π键　　　 D.氢键

（5）SbF6被广泛用作高压电气设备绝缘介质。SbF6是一种共价化合物，可通过类似BornHaber循环能量构建能量图(见图a)计算相关键能。则F—F键的键能为___kJ·mol-1，S—F的键能为___kJ·mol-1。

（6）CuCl的熔点为426℃，熔化时几乎不导电；CuF的熔点为908℃，密度为7.1g·cm-3。

①CuF比CuCl熔点高的原因是___；

②已知NA为阿伏加德罗常数的值。CuF的晶胞结构如“图b”。则CuF的晶胞参数a=___nm(列出计算式)。

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