材料是人类文明进步的阶梯,第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题:
(1)基态硼核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为____。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为___。
(2)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同,则其基态原子的价层电子排布式为____。
(3)NH3能与众多过渡元素离子形成配合物,向CuSO4溶液中加入过量氨水,得到深蓝色溶液,向其中加人乙醇析出深蓝色晶体,加入乙醇的作用____,该晶体的化学式为_____。
(4)铜与(SCN)2反应生成Cu(SCN)2,1 mol(SCN)2中含有π键的数目为_____,HSCN结构有两种,硫氰酸(H-S-C≡N)的沸点低于异硫氰酸(H-N=C=S)的原因是_______。
(5)MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
(6)NH3分子在独立存在时H-N-H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2+离子的部分结构以及H-N-H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H-N-H键角变大的原因:_________。
(7)某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质,并具有高储氢密度。阳离子为Li+,每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示,其堆积方式为_____,Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心,该化合物的化学式为_____(用最简整数比表示)。假设晶胞边长为anm,NA代表阿伏伽德罗常数的值,则该晶胞的密度为________g/cm3。(用含a,NA的代数式表示)
高三化学综合题困难题
材料是人类文明进步的阶梯,第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题:
(1)基态B核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为________。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为______。
(2)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同,则其基态原子的价层电子排布式为_____。
(3)经测定发现,N2O5固体由NO2+和NO3-两种离子组成,该固体中N原子杂化类型有__。
(4)MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
(5)NH3分子在独立存在时H-N-H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2+离子的部分结构以及H-N-H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H-N-H键角变大的原因:_________。
(6)某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质,并具有高储氢密度。阳离子为Li+,每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示,其堆积方式为_____,Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心,该化合物的化学式为_____(用最简整数比表示)。假设晶胞边长为anm,NA代表阿伏伽德罗常数的值,则该晶胞的密度为_____g/cm3。
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
材料是人类文明进步的阶梯,第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题:
(1)基态硼核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为____。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为___。
(2)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同,则其基态原子的价层电子排布式为____。
(3)NH3能与众多过渡元素离子形成配合物,向CuSO4溶液中加入过量氨水,得到深蓝色溶液,向其中加人乙醇析出深蓝色晶体,加入乙醇的作用____,该晶体的化学式为_____。
(4)铜与(SCN)2反应生成Cu(SCN)2,1 mol(SCN)2中含有π键的数目为_____,HSCN结构有两种,硫氰酸(H-S-C≡N)的沸点低于异硫氰酸(H-N=C=S)的原因是_______。
(5)MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
(6)NH3分子在独立存在时H-N-H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2+离子的部分结构以及H-N-H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H-N-H键角变大的原因:_________。
(7)某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质,并具有高储氢密度。阳离子为Li+,每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示,其堆积方式为_____,Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心,该化合物的化学式为_____(用最简整数比表示)。假设晶胞边长为anm,NA代表阿伏伽德罗常数的值,则该晶胞的密度为________g/cm3。(用含a,NA的代数式表示)
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材料是人类文明进步的阶梯,第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题:
(1)基态B核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为________。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为______。
(2)某元素位于第四周期Ⅷ族,其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同,则其基态原子的价层电子排布式为_____。
(3)经测定发现,N2O5固体由NO2+和NO3-两种离子组成,该固体中N原子杂化类型有__。
(4)MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
(5)NH3分子在独立存在时H-N-H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2+离子的部分结构以及H-N-H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H-N-H键角变大的原因:_________。
(6)某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质,并具有高储氢密度。阳离子为Li+,每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示,其堆积方式为_____,Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心,该化合物的化学式为_____(用最简整数比表示)。假设晶胞边长为anm,NA代表阿伏伽德罗常数的值,则该晶胞的密度为_____g/cm3。
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材料是人类文明进步的阶梯,第ⅢA、ⅣA、ⅤA族元素是组成特殊材料的重要元素。请回答下列问题:
(1)基态Ge原子的核外电子有__种不同的空间运动状态。
(2)P、S、Cl的第一电离能由大到小的顺序为__。
(3)M与Ga位于同周期,M3+的一种配合物组成为[M(NH3)5(H2O)]Cl3。
①下列有关NH3、H2O的说法正确的是__(填字母)。
a.分子空间构型相同
b.中心原子杂化类型相同
c.键角大小相同
②1mol[M(NH3)5(H2O)]3+含__个σ键。
③配合物T与[M(NH3)5(H2O)]Cl3组成元素的种类和数目相同,中心离子的配位数相同。1molT溶于水,加入足量AgNO3溶液可生成2molAgCl。则T的化学式为___。
(4)如图甲为硼酸晶体的片层结构,其中硼的杂化方式为__。H3BO3在热水中比冷水中溶解度显著增大的主要原因是__。
(5)磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料,其晶胞结构如图乙所示,该晶胞中B原子相连构成几何体的空间构型为__(填“立方体”或“正四面体”或“正八面体”)。已知该晶体的密度为ρg·cm-3,NA是阿伏加德罗常数的值。BP晶胞中面心上6个P原子相连构成正八面体,该正八面体的边长为__pm(列式即可)。
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材料是人类文明进步的阶梯,第ⅢA、ⅣA、VA族元素是组成特殊材料的重要元素。请回答下列问题:
(1)基态Ge原子的价层电子排布图为___________;基态As原子核外能量最高能级的电子云形状为___________。
(2)Si、P、S、Cl的第一电离能由大到小的顺序为___________。
(3M与Ga位于同周期,M3+的一种配合物组成为[M(NH3)5(H2O)]Cl3。
①下列有关NH3、H2O的说法正确的是___________(填字母)。
a分子空间构型相同 b中心原子杂化类型相同 c.键角大小相同
②1mol[M(NH3)5(H2O)]3+含___________molσ键。
③配合物T与[M(NH3)5(H2O)]Cl3组成元素相同,中心离子的配位数相同。1molT溶于水,加入足量AgNO3溶液可生成2 mol AgCl。则T的化学式为______________________。
(4)碳和钨组成一种晶体,其熔点为2870℃,硬度接近金刚石,其晶胞结构如图甲所示,则其化学式为______________________。
(5)磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料,其晶胞结构如图乙所示,该晶胞中B原子所处空间类型为___________(填“立方体”“正四面体”或“正八面体”),空间的填充率为___________。
已知该晶体的密度为ρg·cm-3,NA是阿伏加德罗常数的值。BP晶胞中面心上6个P原子相连构成正八面体,该正八面体的边长为___________pm(列式即可)。
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B、N、Co均为新型材料的重要组成元素。请回答下列问题:
(1)基态Co原子核外电子占据_________种不同的能级,其中有__________个未成对电子。
(2)Co 能形成[Co(CNO)6]3-。
①1mol 该离子中含有σ键的数目为_____________________。
②与CNO-互为等电子体的分子为_______________(填化学式,任写一种)
③C、N、O 三种基态原子的第一电离能由大到小的顺序为___________(用元素符号表示)。
④相同压强下,CO 晶体的熔点高于N2 晶体的原因为____________________________。
(3)多硼酸根的结构之一为链状(如图1),化学式为______________,其中B原子的杂化形式为______________。
(4)BN 晶体有多种结构,其中立方氮化硼具有金刚石型结构(如图2)。
①晶体的最小环中含有____________个B原子。
②若晶胞参数为a nm,晶胞密度为ρg·cm-3,则阿伏加德罗常数的值可表示为_____________。
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B、N、Co均为新型材料的重要组成元素,请回答下列问题:
⑴基态Co原子核外电子占据________种不同的能级,其中有________个未成对电子。
⑵Co能形成[Co(CNO)6]3-
①1 mol该离子中含有δ键的数目为________。
②与CNO-互为等电子体的分子为________(填化学式,任写一种)。
③相同压强下,CO晶体的熔点高于N2晶体的原因是________。
⑶氟硼酸铵(NH4BF4)用作铝、铜和铝合金焊接助熔剂、镁铸件防氧化添加剂、阻燃剂、农用杀虫、杀菌剂、树脂黏结剂等.是合成氮化硼纳米管的原料之一。
①1 mol NH4BF4含有_______ mol配位键。
②第一电离能大小介于B和N之间的基态原子第一电离能由大到小的顺序为________(用元素符号表示)。
③BF4-的空间立体构型为________,其中硼原子的杂化轨道类型为________。
④BN晶体有多种结构,其中六方相氮化硼如图甲是通常存在的稳定相,其结构与石墨相似却不导电,原因是_______,而立方氮化硼具有金刚石型结构,其晶胞如图乙所示,若晶胞参数为a pm,晶胞密度为d g∙cm-3,则阿伏加德罗常数的值可表示为________mol-1。
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决定物质性质的重要因素是物质结构。请回答下列问题:
(1)基态K原子中,核外电子占据最高能层的符号是_______,占据该能层电子的电子云轮廓图形状为______________。
(2)已知元素M是组成物质的一种元素。元素M的气态原子逐个失去第1个至第5个电子所需能量(即电离能,用符号至表示)如表所示:
电离能 | 589.8 | 1145.4 | 4912.4 | 6491 | 8153 |
元素M化合态常见化合价是_________价,其基态原子电子排布式为_______
(3)的中心原子的杂化方式为__________,键角为____________
(4)中非金属元素电负性由大到小的顺序为_____________
(5)下列元素或化合物的性质变化顺序正确的是_______________
A.第一电离能: B.共价键的极性:
C.晶格能: D.热稳定性:
(6)如图是晶胞,构成二氧化硅晶体结构的最小环是由________个原子构成。已知晶胞参数为,则其晶胞密度为________。
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铜、硼、硅、砷等元素的化合物是制造新型激光武器和新型太阳能电池的重要材料。回答下列问题:
(1)基态硅原子电子占据的最高能层符号是_____,其中能量最高的电子所占据能级的原子轨道有_____个伸展方向,原子轨道呈_____形。
(2)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有____________。
(3)硒为第四周期元素,相邻的元素有砷和溴,则三种元素的第一电离能从大到小的顺序为________(用元素符号表示)。H2SeO3的酸性_______H2SeO4(填“强于”或“弱于”),原因是___________(从分子结构的角度回答)。
(4)氮化硼(BN)晶体有多种相结构。六方相氮化硼是通常存在的稳定相,与石墨相似,具有层状结构,可作高温润滑剂。它的晶体结构如下左图所示。六方相氮化硼______π键(填“含有”或“不含”),其质地软的原因是_________。NaBH4是一种重要的储氢载体,阴离子的的立体结构为_______。
(5)砷化镓是优良的第三代半导体材料。如上图所示为GaAs的晶胞结构。
①与GaAs互为等电子体的一种原子晶体的化学式为________。
②已知晶胞的密度是ρ g·cm−3,阿伏加德罗常数值为NA,棱长a=_____pm。
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
AlN 氮化铝是重要的半导体材料,Ga(镓)、P、As(砷)都是形成化合物半导体材料的重要元素。回答下列问题:
(1)As基态原子的电子占据了______个能层,最高能级的电子排布式为______。和As位于同一周期,且未成对电子数也相同的元素还有______种。
(2)元素周期表中,与P紧邻的4种元素中电负性最大的是______ (填元案符号)。Si、P、S三种元素的 第一电离能由大到小的顺序是______。
(3)NH3、PH3、AsH3三者的沸点由高到低的顺序是______。原因是______。
(4)白磷是由P4分子形成的分子晶体,P4分子呈正四面体结构,P原子位于正四面体的四个顶点,则P原子的杂化形式为_____,白磷易溶于CS2,难溶于水,原因是__________________。
(5)采用GaxIn1-xAs(镓铟砷)等材料,可提高太阳能电池的效率。GaxIn1-xAs立方体形晶胞中每个顶点和面心都有一个原子,晶胞内部有4 个原子,则该晶胞中含有_________个砷原子。
(6)AlN晶体的晶胞结构与金刚石相似(见下图),设晶胞的边长为ɑ pm,NA表示阿伏加德罗常数,则该晶体的密度为__________g·cm-3。
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