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硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了一个又一个奇迹。
（1）硅在元素周期表中的位置是_______。
（2）工业生产粗硅的反应有：SiO2+2C
Si（粗）+2CO↑，SiO2+3CSiC+2CO↑。若产品中单质硅与碳化硅的物质的量之比为1：1，则参加反应的C和SiO2的质量之比为________。
（3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：
①若反应I为 Si（粗）+3HCl
SiHCl3+H2，
则反应II的化学方程式为________。
②整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另 一种物质，写出该反应的化学方程式：________。
③假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCl的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93.75%，则在第二轮次的生产中，补充投入HCl 和H2的物质的量之比是________。
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硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了一个又一个奇迹。
（1）硅在元素周期表中的位置是_______。
（2）工业生产粗硅的反应有：SiO2+2C
Si（粗）+2CO↑，SiO2+3CSiC+2CO↑。若产品中单质硅与碳化硅的物质的量之比为1：1，则参加反应的C和SiO2的质量之比为 。
（3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：
①若反应I为 Si（粗）+3HCl
SiHCl3+H2，
则反应II的化学方程式为 。
②整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另 一种物质，写出该反应的化学方程式： 。
③假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCl的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93.75%，则在第二轮次的生产中，补充投入HCl 和H2的物质的量之比是 。
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【化学选修2： 化学与技术】（15分）
硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了一个有一个奇迹。
（1）新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定。工业上可以采用化学气相沉积法，在H2的保护下，使SiCl4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面，写出该反应的化学方程式 。
（2）一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物），已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种合成氮化硅的工艺主要流程如下:
①净化N2和H2时，铜屑的作用是： ；硅胶的作用是 。
②在氮化炉中3SiO2（s）+2N2（g）=Si3N4（s） △H=－727.5kJ/mol，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度 ；体系中要通入适量的氢气是为了 。
③X可能是 （选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）。
（3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：
①整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应，写出该反应的化学方程式 。
②假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCl的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93.75%。则在第二轮次的生产中，补充投入HCl 和H2的物质的量之比是 。
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硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了一个有一个奇迹。
（1）新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定。工业上可以采用化学气相沉积法，在H2的保护下，使SiCl4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面，写出该反应的化学方程式 。
（2）一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物），已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种合成氮化硅的工艺主要流程如下:
①净化N2和H2时，铜屑的作用是： ；硅胶的作用是 。
②在氮化炉中3SiO2（s）+2N2（g）=Si3N4（s） △H=－727.5kJ/mol，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度 ；体系中要通入适量的氢气是为了 。
③X可能是 （选填：“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”、“氢氟酸”）。
（3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：
①整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水剧烈反应，写出该反应的化学方程式 。
②假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCl的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93.75%。则在第二轮次的生产中，补充投入HCl 和H2的物质的量之比是 。
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硅是带来人类文明的重要元素之一，从传统材料到信息材料的发展过程中创造了许多奇迹。
（l）新型陶瓷Si3N4的熔点高、硬度大、化学性质稳定。工业上可以采用化学气相沉积法，在H2的保护下，使SiCI4与N2反应生成Si3N4沉积在石墨表面，写出该反应的化学方程式_ ___。
（2）已知硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅。一种用工业硅（含少量钾、钠、铁、铜的氧化物）合成氮化硅的主要工艺流程如下：
①净化N2和H2时，铜屑的作用是 ；硅胶的作用是__________。
②在氮化炉中3Si（s） +2N2（g） =Si3N4（S） △H= -727.5kJ．mol-l，开始时为什么要严格控制氮气的流速以控制温度？ ；体系中要通人适量的氢气是为了__________。
③X可能是 （选填“盐酸”、“硝酸”、“硫酸”或“氢氟酸”）。
（3）工业上可以通过如下图所示的流程制取纯硅：
①整个制备过程必须严格控制无水无氧。SiHCl3遇水能发生剧烈反应，写出该反应的化学方程式 。
②假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应I中HCI的利用率为90%，反应II中H2的利用率为93．75%。则在第二轮次的生产中，补充投入HC1和H2的物质的量之比是 。
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材料是人类文明进步的阶梯，第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题：
（1）基态B核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为________。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为______。
（2）某元素位于第四周期Ⅷ族，其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同，则其基态原子的价层电子排布式为_____。
（3）经测定发现，N2O5固体由NO2+和NO3-两种离子组成，该固体中N原子杂化类型有__。
（4）MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
（5）NH3分子在独立存在时H－N－H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2＋离子的部分结构以及H－N－H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H－N－H键角变大的原因：_________。
（6）某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质，并具有高储氢密度。阳离子为Li+，每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示，其堆积方式为_____，Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心，该化合物的化学式为_____（用最简整数比表示）。假设晶胞边长为anm，NA代表阿伏伽德罗常数的值，则该晶胞的密度为_____g/cm3。
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材料是人类文明进步的阶梯，第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题：
（1）基态硼核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为____。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为___。
（2）某元素位于第四周期Ⅷ族，其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同，则其基态原子的价层电子排布式为____。
（3）NH3能与众多过渡元素离子形成配合物，向CuSO4溶液中加入过量氨水，得到深蓝色溶液，向其中加人乙醇析出深蓝色晶体，加入乙醇的作用____，该晶体的化学式为_____。
（4）铜与(SCN)2反应生成Cu(SCN)2，1 mol(SCN)2中含有π键的数目为_____，HSCN结构有两种，硫氰酸(H－S－C≡N)的沸点低于异硫氰酸(H－N=C=S)的原因是_______。
（5）MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
（6）NH3分子在独立存在时H－N－H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2＋离子的部分结构以及H－N－H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H－N－H键角变大的原因：_________。
（7）某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质，并具有高储氢密度。阳离子为Li+，每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示，其堆积方式为_____，Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心，该化合物的化学式为_____（用最简整数比表示）。假设晶胞边长为anm，NA代表阿伏伽德罗常数的值，则该晶胞的密度为________g/cm3。（用含a，NA的代数式表示）
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材料是人类文明进步的阶梯，第ⅢA、ⅣA、VA及Ⅷ族元素是组成特殊材料的重要元素。
回答下列问题：
（1）基态B核外电子占据的最高能级的电子云轮廓图形状为________。与硼处于同周期且相邻的两种元素和硼的第一电离能由大到小的顺序为______。
（2）某元素位于第四周期Ⅷ族，其基态原子的未成对电子数与基态氮原子的未成对电子数相同，则其基态原子的价层电子排布式为_____。
（3）经测定发现，N2O5固体由NO2+和NO3-两种离子组成，该固体中N原子杂化类型有__。
（4）MgCO3的热分解温度_____(填“高于”或“低于”)CaCO3的原因是________。
（5）NH3分子在独立存在时H－N－H键角为107°。如图是[Zn(NH3)6]2＋离子的部分结构以及H－N－H键角的测量值。解释NH3形成如图配合物后H－N－H键角变大的原因：_________。
（6）某种金属锂的硼氢化物是优质固体电解质，并具有高储氢密度。阳离子为Li+，每个阴离子是由12个硼原子和12个氢原子所构成的原子团。阴离子在晶胞中位置如图所示，其堆积方式为_____，Li+占据阴离子组成的所有正四面体中心，该化合物的化学式为_____（用最简整数比表示）。假设晶胞边长为anm，NA代表阿伏伽德罗常数的值，则该晶胞的密度为_____g/cm3。
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材料是人类赖以生存的重要物质基础。铜、镍等金属材料在现代社会中有着重要应用。请回答下列问题：
（1）铜在元素周期表中的位置为，镍的基态电子排布式为________。
（2）在配离子[Ni(NH3)4]2+中，配体中N元素与它相邻的C和O元素的第一电离能由大到小的顺序为________，这三种元素电负性由大到小的顺序为________；配体NH3中N原子的杂化方式为________。
（3）据报道，只含镁、镍和碳三种元素的晶体竟然也具有超导性。鉴于这三种元素都是常见元素，从而引起广泛关注。该晶体的结构可看作由镁原子和镍原子在一起进行面心立方最密堆积，如图，晶体中每个镁原子周围距离最近的镍原子有________个，若已知晶胞的边长为a pm，阿伏伽德罗常数为NA，则该晶体的密度的数学表达式为________g•cm-3（用a和NA表示，只列式，可不用化简）。
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人类社会的发展与进步与材料的发展密不可分，而金属是人类常用的一类材料如铜、铁合金等等。
（1）基态Cu原子的价电子排布式为__________，在元素周期表中的位置为___________。
（2）Cu2O为半导体材料，可由乙醛（CH3CHO）和新制氢氧化铜反应得到。乙醛中碳原子的杂化方式有______________，乙醛分子中
键与
键的数目之比为____________。
（3）制造单晶硅太阳能电池片时，一般掺杂微量的铜、碳、硼、氮等。铜、碳、硼、氮元素的电负性由大到小的顺序是_________________。（用元素符号表示）
（4）Cu(OH)2溶于氨水形成深蓝色的[Cu(NH3)4]2+，该配合物中NH3的价层电子对互斥模型为_____________。
（5）铁在不同温度范围有不同的晶体结构，在室温下为体心立方，当温度升高到912℃，则转变为面心立方。铁的体心立方堆积和面心立方最密堆积的配位数分别为____、_____。若铁原子半径为r pm，则铁为面心立方最密堆积时的晶体密度为___________g/cm3（阿伏伽德罗常数的值用NA 表示，1pm=10-12m,写出计算式即可）。
面心立方晶胞
Si（粗）+2CO↑，SiO2+3C
SiHCl3+H2，
Si（粗）+2CO↑，SiO2+3C
SiHCl3+H2，
键与
键的数目之比为____________。