制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现：
①Si(s)+3HCl(g) 
SiHCl3(g)+H2(g);ΔH=-381 kJ·mol-1
②SiHCl3+H2
Si+3HCl 对上述两个反应的叙述中，错误的是
A.两个反应都是置换反应 B.反应②是吸热反应
C.两个反应互为可逆反应 D.两个反应都是氧化还原反应
高三化学选择题中等难度题
制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现：
①Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g);ΔH=-381 kJ·mol-1
②SiHCl3+H2Si+3HCl 对上述两个反应的叙述中，错误的是
A.两个反应都是置换反应 B.反应②是吸热反应
C.两个反应互为可逆反应 D.两个反应都是氧化还原反应
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制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现：
①Si(s)+3HCl(g) SiHCl3(g)+H2(g);ΔH=-381 kJ·mol-1
②SiHCl3+H2Si+3HCl 对上述两个反应的叙述中，错误的是
A.两个反应都是置换反应 B.反应②是吸热反应
C.两个反应互为可逆反应 D.两个反应都是氧化还原反应
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制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应实现：
①Si（s）+3HCl（g） SiHCl3（g）+H2（g）;ΔH=-381 kJ·mol-1
②SiHCl3+H2Si+3HCl 对上述两个反应的叙述中，错误的是
A．两个反应都是置换反应 B．反应②是吸热反应
C．两个反应互为可逆反应 D．两个反应都是氧化还原反应
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制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯度硅常用以下反应来实现：(1)Si(粗)＋3HCl
SiHCl3＋H2，(2)SiHCl3＋H2Si＋3HCl.对上述两个反应的下列叙述中，错误的是( )
A．两个反应都是置换反应
B．两个反应中的H2均为还原剂
C．两个反应的条件不同
D．两个反应都是氧化还原反应
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制造太阳能电池需要高纯度的硅，工业上制高纯硅常用以下反应：
①Si(s)＋3HCl(g) 
SiHCl3(g)＋H2(g) +381 kJ
②SiHCl3(g)＋H2(g) 
Si(s)＋3HCl(g)
对上述两个反应的叙述中，错误的是
A．两个反应都是置换反应 B．反应②是吸热反应
C．两个反应互为可逆反应 D．两个反应都是氧化还原反应
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(19分)晶体硅是信息科学和能源科学中的一种重要材料，可用于制芯片和太阳能电池等，.以下是工业上制取纯硅的一种方法.
已知：在一定条件下可发生反应：Si(s)＋3HCl(g) 
SiHCl3(g)＋H2(g) ΔH<0
I.反应②、③均需要加热，有如下两个温度区间分别供两反应选择，你认为反应②应选择_______（填序号字母），原因是_______________；
a .520~530K B．1350~1360K
II.现在实验室模拟工业上粗硅提纯的过程，已知SiHCl3遇水强烈水解，其他相关数据如下表所示：
| 物质 | SiCl4 | SiHCl3 | AlCl3 | FeCl3 |
| 沸点/℃ | 57.7 | 33.0 | － | 315 |
| 升华温度/℃ | － | － | 180 | 300 |
（1）现用如下装置进行模拟反应②的过程。实验室制HCl的反应原理为：
2NaCl(s) + H2SO4(浓) 
2HCl↑ + Na2SO4
A中是HCl的发生装置，你认为应选择下列哪套装置？____________（填装置的序号字母），装置D中碱石灰的作用为__________________、___________________；
（2）已知液态粗品SiHCl3中含有杂质SiCl4、AlCl3、FeCl3等，则流程中操作①为_____________(填操作名称)，下列不是该操作所需的仪器是____________________（填装置序号字母）；
a．冷凝管 b． 圆底烧瓶 c． 蒸馏烧瓶 d． 分液漏斗 e.温度计 f. 接受器
（3）用SiHCl3与H2反应制备纯硅的装置如下：
①按图示组装好仪器后，下列实验步骤的正确顺序为____________（填步骤的序号字母），
A．打开甲装置分液漏斗旋塞，滴加稀硫酸，反应生成H2；
B．向装置中添加药品；
C．打开丙装置分液漏斗的旋塞，滴加SiHCl3，并加热相应装置；
D．检查装置气密性；
e．停止向丙装置滴加SiHCl3，并停止加热相应装置；
f．停止通H2；
步骤c中需要加热的装置为____________（填装置序号“甲”、“乙”、“丙”、“丁”）
②该套装置的设计缺陷是________________________。
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工业上由粗硅制取纯硅有以下反应：
①Si(s)+3HCl(g)
SiHCl3(g)+H2(g)+318kJ·mol-1
②SiHCl3(g)+H2(g)
Si(s)+3HCl(g)
下列关于上述反应的说法不正确的是（ ）
A.均为置换反应 B.反应①②都是热化学方程式
C.由于反应①放热，则反应②一定吸热 D.反应①②不能互为可逆反应
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工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3与过量的H2在1000℃～1100℃反应制得纯硅。
有关物质的物理常数见下表：
| 物质 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | SiHCl3 | PCl5 |
| 沸点/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | 33.0 | — |
| 熔点/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | -126.5 | — |
| 升华温度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
（1）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4，提纯SiHCl3可采用
___________的方法
（2）实验室也可用SiHCl3与过量干燥的H2反应制取纯硅，装置如下图所示（加热和夹持装置略去）：
①装置B中的试剂是___________，装置C需水浴加热，目的是 ____________________。
②反应一段时间后，装置D中可观察到有晶体硅生成，装置D不能采用普通玻璃管的原因是_____________。
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三氯氢硅(SiHCl3)是光伏产业的一种关键化学原料，制备反应的方程式为Si(s)＋3HCl(g)
SiHCl3(g)＋H2(g)，同时还有其他副反应发生。当反应体系的压强为0.05 MPa时，分别改变进料比[n(HCl)∶n(Si)]和反应温度，二者对SiHCl3产率影响如图所示。下列说法正确的是
A. 降低压强有利于提高SiHCl3的产率
B. 制备SiHCl3的反应为放热反应
C. 温度为450 K，平衡常数：K(x)＞K (y)＞K (z)
D. 增加HCl的用量，SiHCl3的产率一定会增加
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三氯氢硅(SiHCl3)是光伏产业的一种关键化学原料，制备反应的方程式为Si(s)＋3HCl(g)SiHCl3(g)＋H2(g)，同时还有其他副反应发生。当反应体系的压强为0.05 MPa时，分别改变进料比[n(HCl)∶n(Si)]和反应温度，二者对SiHCl3产率影响如图所示。下列说法正确的是
A. 降低压强有利于提高SiHCl3的产率
B. 制备SiHCl3的反应为放热反应
C. 温度为450 K，平衡常数：K(x)＞K (y)＞K (z)
D. 增加HCl的用量，SiHCl3的产率一定会增加
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