W是由A、B两种元素组成的AB2型化合物。
(1)若W和焦炭在高温下发生反应,所制得的半导体材料应用广泛。则W为________(填化学式)。
(2)若取两支试管分别加入少量W溶液,往一支试管中滴入KSCN溶液,无明显现象。往另一支试管中加入足量氯水,再加入适量CCl4,振荡,静置,下层溶液呈紫红色;往上层溶液中滴入KSCN溶液,溶液呈红色。
①W溶液中所含金属阳离子为________。
②上述实验中,W与足量氯水反应的离子方程式为_____________________。
(3)若W是离子化合物,其阴、阳离子均含18个电子,且阴、阳离子个数比为1∶1。
①阴离子的电子式为________。
②1 mol W与足量水充分反应,转移电子的物质的量为________mol。
高三化学简答题困难题
W是由A、B两种元素组成的AB2型化合物。
(1)若W和焦炭在高温下发生反应,所制得的半导体材料应用广泛。则W为________(填化学式)。
(2)若取两支试管分别加入少量W溶液,往一支试管中滴入KSCN溶液,无明显现象。往另一支试管中加入足量氯水,再加入适量CCl4,振荡,静置,下层溶液呈紫红色;往上层溶液中滴入KSCN溶液,溶液呈红色。
①W溶液中所含金属阳离子为________。
②上述实验中,W与足量氯水反应的离子方程式为_____________________。
(3)若W是离子化合物,其阴、阳离子均含18个电子,且阴、阳离子个数比为1∶1。
①阴离子的电子式为________。
②1 mol W与足量水充分反应,转移电子的物质的量为________mol。
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W是由A、B两种元素组成的AB2型化合物。
(1)若W和焦炭在高温下发生反应,所制得的半导体材料应用广泛。则W为________(填化学式)。
(2)若取两支试管分别加入少量W溶液,往一支试管中滴入KSCN溶液,无明显现象。往另一支试管中加入足量氯水,再加入适量CCl4,振荡,静置,下层溶液呈紫红色;往上层溶液中滴入KSCN溶液,溶液呈红色。
①W溶液中所含金属阳离子为________。
②上述实验中,W与足量氯水反应的离子方程式为_____________________。
(3)若W是离子化合物,其阴、阳离子均含18个电子,且阴、阳离子个数比为1∶1。
①阴离子的电子式为________。
②1 mol W与足量水充分反应,转移电子的物质的量为________mol。
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W是由A、B两种元素组成的AB2型化合物。
(1)若W和焦炭在高温下发生反应,所制得的半导体材料应用广泛。则W为_________(填化学式)。
(2)若取两支试管分别加入少量W溶液,往一支试管中滴入KSCN溶液,无明显现象。往另一支试管中加入足量氯水,再加入适量CCl4,振荡,静置,下层溶液呈紫红色;往上层溶液中滴入KSCN溶液,溶液呈红色。
①W溶液中所含金属阳离子为______________。
②上述实验中,W与足量氯水反应的离子方程式为____________________________________。
(3)若W是AB2型的离子化合物,其阴、阳离子均含18个电子,且阴、阳离子个数比为1∶1。
①W的化学式为_________________,阴离子的电子式为__________________。
②1 mol W与足量水充分反应,转移电子的物质的量为________________mol。
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氯气用途十分广泛,可用于生产半导体材料硅,其生产的流程如下,下列说法不正确的是( )
A.①③是置换反应,②是化合反应
B.高温下,焦炭与氢气的还原性均强于硅的
C.任一反应中,每消耗或生成28 g硅,均转移4 mol电子
D.高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合可得高纯硅
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氯气用途十分广泛,可用于生产半导体材料硅,其生产的流程如下,下列说法不正确的是( )
A.①③是置换反应,②是化合反应
B.高温下,焦炭与氢气的还原性均强于硅的
C.任一反应中,每消耗或生成28 g硅,均转移4 mol电子
D.高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合可得高纯硅
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氯气用途十分广泛,可用于生产半导体材料硅,其生产的流程如下,下列说法不正确的是
A.①③是置换反应,②是化合反应
B.高温下,焦炭与氢气的还原性均强于硅的
C.任一反应中,每消耗或生成28 g硅,均转移4 mol电子
D.高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合可得高纯硅
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硫、氮、稀土元素的单质和化合物应用广泛。
Ⅰ.(1)将硫铁矿和焦炭放在炼硫炉中,在有限空气中燃烧,发生下列反应:
3FeS2 + 12 C + 8O2 = Fe3O4 + 12CO + 6S
生成3mol硫时,被氧化的物质物质的量为___________。
(2)过硫酸钾化学式为:K2S2O8,过硫酸结构式为
①过硫酸钾和过硫酸均有强氧化性,不稳定,容易分解,如2H2S2O8=2H2SO4+2SO3+O2
下列能加快过硫酸分解的固体物质是________。
A.CuO B.MnO2 C.Fe2O3 D.NaNO3
②已知硫酸锰(MnSO4)和过硫酸钾两种盐溶液在催化剂存在下可发生氧化还原反应,生成高锰酸钾、硫酸钾和硫酸。请写出上述反应的化学方程式:______________________________。
③若该反应所用的硫酸锰改为氯化锰,当它跟过量的过硫酸钾反应时,除有高锰酸钾、硫酸钾、硫酸生成外,其他的生成物还有_________________。
Ⅱ.稀土元素是宝贵的战略资源,我国的蕴藏量居世界首位。铈(Ce)是地壳中含量最高的稀土元素。在加热条件下CeCl3易发生水解,由CeCl3·6H2O制备无水CeCl3应采取的措施是_ _。
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第ⅢA族硼、稼及其化合物在材料科学领域有广泛应用。
(1)基态硼原子电子排布图为___。
(2)常温下,Ga(CH3)3呈液态。在高温条件下,Ga(CH3)3和AsH3反应可制备半导体材料GaAs和另一产物为M,
①M是__分子(填“极性”或“非极性”);Ga(CH3)3中Ga原子和C原子构成的空间构型是__。
②Ga(CH3)3的晶体类型是__晶体;B、Ga和As均属于__区元素(填字母)。
A.s B.p C.d D.ds
(3)硼酸(H3BO3)是层状结构晶体(如图甲所示),在冷水中溶解度很小,加热时溶解度增大。
①硼酸晶体中存在的作用力有__(填字母)。
a.σ键极 b.π键 c.氢键 d.范德华力
②硼酸在水中溶解度随着温度升高而增大的主要原因可能是__。
(4)NaBH4、LiBH4常作有机合成的还原剂,其中B原子的杂化轨道类型是__。
(5)磷化硼(BP)是一种超硬耐磨涂层材料,其晶胞如图乙所示。已知:P-B键键长为Rnm,NA是阿伏加德罗常数的值。
①该晶胞中B原子位于P原子形成的正四面体的体心,该正四面体的边长为___nm。
②BP晶体密度为__g·cm-3(用含R和NA的代数式表示)。
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硅及其化合物是重要的材料,应用范围很广。请回答下列问题:
(1)制备硅半导体材料必须先得到高纯硅,三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法,生产过程示意图如下:
①用石英砂和焦炭高温加热时有碳化硅生成,该反应的化学方程式为______________。
②写出由纯SiHCl3制备高纯硅的化学反应方程式:________________。
③SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl和另一种物质,写出并配平该化学反应方程式:________________。
(2)水泥属于硅酸盐工业产品,是重要的建筑材料。水泥熟料的主要成分为CaO、SiO2,并含有一定量的铁、铝和镁等金属的氧化物。实验室测定水泥样品中钙含量的过程如图所示:
回答下列问题:
①在分解水泥样品过程中,以盐酸为溶剂,氯化铵为助溶剂,还需加入几滴硝酸。加入硝酸的目的是_______________,还可使用_________代替硝酸。
②沉淀A的主要成分是__________,其不溶于强酸但可与一种弱酸反应,该反应的化学方程式为________。
③加氨水过程中加热的目的是_______。沉淀B的主要成分为________、_______(写化学式)。
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根据以下背景资料,回答下列问题:
Ⅰ、不锈钢以其优异的抗腐蚀性能越来越受到人们的靑睐,它主要是由铁、铬、镍、铜、碳等元索所组成的合金。
Ⅱ、锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。
Ⅲ、砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。
Ⅳ、K2Cr2O7曾用于检测司机是否酒后驾驶:
Cr2O72-(橙色)+CH3CH2OHCr3+(绿色)+CH3COOH (未配平)
(1)镍元素基态原子的电子排布式为_________________。
(2)CH3COOH分子中所含元素的电负性由大到小的顺序为___________,碳原子的轨道杂化类型为_________,所含σ键与π键的数目之比为______________________。
(3)AsCl3分子的立体构型为_____________,铁原子中有_________个未成对电子。
(4)硫酸镍溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4蓝色溶液,在[Ni(NH3)6]2+中Ni2+与NH3之间形成的化学键称为______,提供孤电子对的原子是_____。
(5)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因____________________。
GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔点/℃ | −49.5 | 26 | 146 |
沸点/℃ | 83.1 | 186 | 约400 |
(6)某镍白铜合金的立方晶胞结构如图所示。
①晶胞中铜原子与镍原子的数量比为_____。
②若合金的密度为dg/cm3,晶胞参数a=________nm
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