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金属镓是由门捷列夫第一个预言成真的元素，有“电子工业脊梁”的美誉，它与铝同主族，其氧化物和氢氧化物均为两性化合物，镓及其化合物应用广泛。粉煤灰中可以提取镓，粉煤灰中的主要成分为Ga2O3，含CaO、SiO2、Al2O3等杂质。镓的熔点较低（29.8℃）.沸点很高（2403℃）。
（1）滤渣1的主要成分为：___________。
（2）为了提高溶浸效率可以采用的措施有（写两种）：____________。
（3）写出镓单质与氢氧化钠溶液反应的离子方程式：___________。
（4）其他镓的化合物在生活和前沿科技上有广泛应用，根据已学知识回答下列问题：
①GaCl3溶液制备GaCl3固体，应如何操作：_________。
②当代工业上固态氮化镓（GaN）的制备方法是利用镓与NH3在1000℃高温下合成，同时生成氢气，每消耗1 mol Ga时放出15.135 kJ热量。该可逆反应的热化学方程式是______。
（5）下表是两种两性氢氧化物的电离常数。
将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液，再往反应后的溶液中缓缓通入CO2，最先析出的氢氧化物是____。
（6）电解法可以提纯粗镓（内含Zn、Fe、Cu等杂质），以NaOH水溶液为电解质，在阴极析出高纯度的镓，请写出阴极电极反应：_____（离子氧化顺序为：Zn2＋<Ga3＋<Fe2＋）。
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，它与铝同主族，曾被称为“类铝”，其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如下图所示：
(1)元素Ga位于Al的下一周期，写出镓(Ga)的原子结构示意图为 ____________CO2的电子式为_____________________
(2)下列有关Al、Ga的说法不正确的是______
A.由流程图可知酸性：Al(OH)3＞Ga(OH)3 B.Ga2O3可与盐酸反应生成GaCl3
C.Ga(OH)3可由Ga2O3与水反应得到 D.与酸反应的剧烈程度：Al<Ga
(3)图中涉及到的Al、Na、O三种元素简单离子半径由大到小的顺序_____________
(4)步骤二中不能通入过量的CO2，理由_________________(用离子方程式表示)
(5)工业上通常用电解精炼法提纯镓。某待提纯的粗镓内含Zn、Fe、Cu杂质，以NaOH水溶液为电解质溶液。在电流作用下使粗镓溶解进入电解质溶液，通过某种离子迁移技术到达阴极，并在阴极放电析出高纯镓。(离子氧化性顺序为：Zn2+<Ga3+<Fe2+)
①下列有关电解精炼说法正确的是_______
A．阳极发生氧化反应，其主要电极反应式：Ga-3e- ═ Ga3+
B．电解过程中，阳极质量的减少与阴极质量的增加相等
C．在阴极除了析出高纯度的镓之外，还有H2产生
D．电解后，电解槽底部的阳极泥中只有Cu和Fe
②阴极析出高纯度镓的电极反应式__________________________________
(6)氮化镓在电和光的转化方面性能突出，是迄今理论上光电转化效率最高的材料。氮化镓(GaN)的一种制备方法是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应，写出该反应的化学方程式__________________
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，它与铝同主族，曾被称为“类铝”，其氧化物和氢氧化物均为两性化合物。工业制备镓的流程如下图所示：
(1)元素Ga位于Al的下一周期，写出镓(Ga)的原子结构示意图为 ____________CO2的电子式为_____________________
(2)下列有关Al、Ga的说法不正确的是______
A.由流程图可知酸性：Al(OH)3＞Ga(OH)3 B.Ga2O3可与盐酸反应生成GaCl3
C.Ga(OH)3可由Ga2O3与水反应得到 D.与酸反应的剧烈程度：Al<Ga
(3)图中涉及到的Al、Na、O三种元素简单离子半径由大到小的顺序_____________
(4)步骤二中不能通入过量的CO2，理由_________________(用离子方程式表示)
(5)工业上通常用电解精炼法提纯镓。某待提纯的粗镓内含Zn、Fe、Cu杂质，以NaOH水溶液为电解质溶液。在电流作用下使粗镓溶解进入电解质溶液，通过某种离子迁移技术到达阴极，并在阴极放电析出高纯镓。(离子氧化性顺序为：Zn2+<Ga3+<Fe2+)
①下列有关电解精炼说法正确的是_______
A．阳极发生氧化反应，其主要电极反应式：Ga-3e- ═ Ga3+
B．电解过程中，阳极质量的减少与阴极质量的增加相等
C．在阴极除了析出高纯度的镓之外，还有H2产生
D．电解后，电解槽底部的阳极泥中只有Cu和Fe
②阴极析出高纯度镓的电极反应式__________________________________
(6)氮化镓在电和光的转化方面性能突出，是迄今理论上光电转化效率最高的材料。氮化镓(GaN)的一种制备方法是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应，写出该反应的化学方程式__________________
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1） 镓（Ga）的原子结构示意图为
，镓元素在周期表中的位置是_______。
（2）镓能与沸水剧烈反应生成氢气和氢氧化镓，该反应的化学方程式是______________。
（3）氮化镓在电和光的转化方面性能突出，是迄今理论上光电转化效率最高的材料。
资料：镓的熔点较低（29．8℃），沸点很高（2403℃）。
①传统的氮化镓（GaN）制备方法是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应，该反应的化学方程式是____________________。
②当代工业上固态氮化镓（GaN）的制备方法是利用镓与NH3在1000℃高温下合成，同时生成氢气，每生成l mol H2时放出10.27 kJ热量。该可逆反应的热化学方程式是 ____________________________________。
③在密闭容器中，充入一定量的Ga与NH3发生上述反应，实验测得反应平衡体系中NH3的体积分数与压强P和温度T的关系曲线如图1所示。
图中A点和C点化学平衡常数的关系是：KA_____ KC （填“＞”“＝”或“＜”），理由是_____________________________。
（4）电解法可以提纯粗镓，具体原理如图2所示：
①粗镓与电源____极相连。（填“正”或“负”）
②镓在阳极溶解生成的Ga3+与NaOH溶液反应生成GaO2－，GaO2－在阴极放电的电极反应式是
_____________________________。
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
(1)基态Ga原子中有_____种能量不同的电子，其价电子排布式为_________。
(2)第四周期的主族元素中，基态原子未成对电子数与镓相同的元素有_______(填元素符号)。
(3)三甲基镓[(CH3)3Ga]是制备有机镓化合物的中间体。
①在700℃时，(CH3)3Ga和AsH3反应得到GaAs，化学方程式为____________________。
②(CH3)3Ga中Ga原子的杂化方式为__________；AsH3的空间构型是________________。
(4)GaF3的熔点为1000℃，GaC13的熔点为77.9℃，其原因是_______________________。
(5)砷化镓是半导体材料，其晶胞结构如图所示。
①晶胞中与Ga原子等距离且最近的As原子形成的空间构型为_______。
②原子坐标参数是晶胞的基本要素之一，表示晶胞内部各原子的相对位置。图中a(0，0，0)、b(1，
)，则c原子的坐标参数为______________。
③砷化镓的摩尔质量为M g·mol-1，Ga的原子半径为p nm，则晶体的密度为____g·cm-3。
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1）一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
①镓（Ga）的原子结构示意图为
，镓元素在周期表中的位置是___。
②“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。
③“酸浸”操作目的是___。
（2）某学校化学兴趣小组在实验室利用如图装置模拟制备氮化镓：
①仪器X中的试剂是__，加热前需先通入一段时间的H2，原因是__。
②取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应GaN+OH﹣+H2O
GaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生
NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3
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金属镓有“电子工业脊梁”的美誉，镓及其化合物应用广泛。
（1）一种镍催化法生产GaN的工艺如图：
①镓（Ga）的原子结构示意图为，镓元素在周期表中的位置是___。
②“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。
③“酸浸”操作目的是___。
（2）某学校化学兴趣小组在实验室利用如图装置模拟制备氮化镓：
①仪器X中的试剂是__，加热前需先通入一段时间的H2，原因是__。
②取某GaN样品m克溶于足量热NaOH溶液，发生反应GaN+OH﹣+H2OGaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
已知：NH3+H3BO3=NH3•H3BO3；NH3•H3BO3+HCl=NH4Cl+H3BO3
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镓是一种低熔点高沸点的稀有金属，有“电子工业脊梁”的美誉，被广泛应用到光电子工业和微波通信工业；镓（Ga）与铝位于同一主族，金属镓的熔点是29.8℃，沸点是2403℃。
（1）工业上利用Ga(l)与NH3(g)在1000℃高温下合成半导体固体材料氮化镓（GaN），同时生成氢气，每生成lmol H2时放出10.3 kJ热量。写出该反应的热化学方程式__________________。
（2）在密闭容器中，充入一定量的Ga与NH3发生反应，实验测得反应平衡体系中NH3的体积分数与压强P和温度T的关系曲线如图1所示。
① 图1中A点和C点化学平衡常数的大小关系是：KA_____KC，（填“＜”、“＝”或“＞”），理由是__________________________________________________。
② 该反应在T1和P6条件下至3min时达到平衡，此时改变条件并于D点处重新达到平衡，H2的浓度随反应时间的变化趋势如图2所示（3～4 min的浓度变化未表示出来），则改变的条件为__________（仅改变温度或压强中的一种）。
（3）若用压强平衡常数Kp表示，此时B点对应的Kp＝__________（用含P6的式子表示）（Kp为压强平衡常数，用平衡分压代替平衡浓度计算，气体平衡分压=总压×气体体积分数）
（4）电解精炼法提纯镓的具体原理如下：以粗镓（含Zn、Fe、Cu杂质）为阳极，以高纯镓为阴极，以NaOH溶液为电解质。在电流作用下使粗镓溶解进入电解质溶液，并通过某种离子迁移技术到达阴极并在阴极放电析出高纯镓。
①已知离子氧化性顺序为：Zn2＋＜Ga3＋＜Fe2＋＜Cu2＋。电解精炼镓时阳极泥的成分是_________。
②阳极溶解生成的Ga3＋与NaOH溶液反应生成GaO2-，写出GaO2-在阴极放电的电极反应式是_____________。
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Ⅰ.1871 年门捷列夫最早预言了类硅元素锗，1886 年德国化学家温克勒发现和分离了锗元素，并以其祖国的名字命名为“Ge”。锗是重要的半导体材料，其有机化合物在治疗癌症方面有着独特的功效。下图为工业上利用锗锌矿(主要成分GeO2和ZnS)来制备高纯度锗的流程。
已知：
1．丹宁是一种有机沉淀剂，可与四价锗络合形成沉淀；
2．GeCl4易水解，在浓盐酸中溶解度低。
(1)锗元素在周期表中的位置：_____。
(2)步骤②操作A方法是_____。
(3)步骤③中的物质在_____(填仪器名称)中加热。
(4)步骤④不能用稀盐酸，原因可能是_____。
(5)写出步骤⑦的化学方程式_____。
Ⅱ.将过量的氨水加到硫酸铜溶液中，溶液最终变成深蓝色，继续加入乙醇，析出晶体Cu(NH3)4SO4·H2O。
(1)Cu2+基态核外电子排布式为 _________；1mol [Cu(NH3)4]2+中
键的数目为_______。
(2)SO42-的S原子轨道杂化类型_______________。
(3)NH3极易溶于H2O中，原因为______________________。
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1871年门捷列夫最早预言了类硅元素锗，1886年德国化学家温克勒发现和分离了锗元素，并以其祖国的名字命名为“Ge”。锗是重要的半导体材料，其有机化合物在治疗癌症方面有着独特的功效。下图为工业上利用锗锌矿(主要成分GeO2和ZnS)来制备高纯度锗的流程。
已知：1．丹宁是一种有机沉淀剂，可与四价锗络合形成沉淀；2．GeCl4易水解，在浓盐酸中溶解度低。
(1)简述步骤①中提高酸浸效率的措施___________(写两种)。
(2)步骤②操作A方法是___________。
(3)步骤③中的物质在___________(填仪器名称)中加热。
(4)步骤④不能用稀盐酸，原因可能是___________。
(5)写出步骤⑤的化学方程式___________。写出步骤⑦的化学方程式___________。
(6)请写出一种证明步骤⑦反应完全的操作方法___________。
)，则c原子的坐标参数为______________。
，镓元素在周期表中的位置是___。
GaO2-+NH3↑，用H3BO3溶液将产生
NH3完全吸收，滴定吸收液时消耗浓度为cmol/L的盐酸VmL，则样品的纯度是___。
键的数目为_______。