硅是制作光伏电池的关键材料。在Si晶体中掺杂不同种类的元素，可形成多电子的n型或缺电子的p型半导体。n型和p型半导体相互叠加形成p-n结，此时自由电子发生扩散运动，在交界面处形成电场。下列说法正确的是
A.1molSi晶体中含有的Si-Si键数目为4NA
B.若在Si晶体中掺入P元素，可得n型半导体
C.p-n结中，n型一侧带负电，p型一侧带正电
D.光伏电池的能量转化形式为：光能→化学能→电能
高三化学单选题中等难度题
硅是制作光伏电池的关键材料。在Si晶体中掺杂不同种类的元素，可形成多电子的n型或缺电子的p型半导体。n型和p型半导体相互叠加形成p-n结，此时自由电子发生扩散运动，在交界面处形成电场。下列说法正确的是
A.1molSi晶体中含有的Si-Si键数目为4NA
B.若在Si晶体中掺入P元素，可得n型半导体
C.p-n结中，n型一侧带负电，p型一侧带正电
D.光伏电池的能量转化形式为：光能→化学能→电能
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硅是制作光伏电池的关键材料。在Si晶体中掺杂不同种类的元素，可形成多电子的n型或缺电子的p型半导体。n型和p型半导体相互叠加形成p-n结，此时自由电子发生扩散运动，在交界面处形成电场。下列说法正确的是
A.1molSi晶体中含有的Si-Si键数目为4NA
B.若在Si晶体中掺入P元素，可得n型半导体
C.p-n结中，n型一侧带负电，p型一侧带正电
D.光伏电池的能量转化形式为：光能→化学能→电能
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硒(Se)是第四周期ⅥA族元素，是人体内不可或缺的微量元素，其氢化物H2Se是制备新型光伏太阳能电池、半导体材料和金属硒化物的基础原料。
T℃时，向一恒容密闭容器中加入3molH2和lmolSe，发生反应H2(g)+Se(s)
H2Se(g)。
①当反应达到平衡后，将平衡混合气体通入气体液化分离器使H2Se气体转化为液体H2Se，并将分离出的H2再次通入发生反应的密闭容器中继续与Se反应时，Se的转化率会提高。请用化学平衡理论解释___。
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硒(Se)是第四周期ⅥA族元素，是人体内不可或缺的微量元素，其氢化物H2Se是制备新型光伏太阳能电池、半导体材料和金属硒化物的基础原料。
（1）已知：①2H2Se(g)+O2(g)
2Se(s)+2H2O(l) ΔH1=a kJ·mol−1
②2H2(g)+O2(g)= 2H2O(l) ΔH2=b kJ·mol−1
反应H2(g)+Se(s)H2Se(g)的反应热ΔH3=___________kJ·mol−1(用含a、b的代数式表示)。
（2）T℃时，向一恒容密闭容器中加入3molH2和lmolSe，发生反应H2(g)+Se(s)H2Se(g)。
①下列情况可判断反应达到平衡状态的是___________（填字母）。
a．气体的密度不变 b．υ(H2)=υ(H2Se)
c．气体的压强不变 d．气体的平均摩尔质量不变
②当反应达到平衡后，将平衡混合气体通入气体液化分离器使H2Se气体转化为液体H2Se，并将分离出的H2再次通入发生反应的密闭容器中继续与Se反应时，Se的转化率会提高。请用化学平衡理论解释_________________________________。
③以5小时内得到的H2Se为产量指标，且温度、压强对H2Se产率的影响如下图所示：
则制备H2Se的最佳温度和压强为______________________。
（3）已知常温下H2Se的电离平衡常数K1=1.3×10−4，K2=5.0×10−11，则NaHSe溶液呈___________(填“酸性”或“碱性”)，该溶液中的物料守恒关系式为____________________。
（4）用电化学方法制备H2Se的实验装置如下图所示：
写出Pt电极上发生反应的电极反应式：_________________________________。
（5）H2Se在一定条件下可以制备CuSe，已知常温时CuSe的Ksp=7.9×10−49，CuS的Ksp=1.3×10−36，则反应CuS(s)+Se2-(aq)CuSe(s)+S2-(aq)的化学平衡常数K=________（保留2位有效数字）。
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砷化稼（GaAs）是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]_______________。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga______（填“大于”或“小于”, 下同）As，第一电离能B ____ Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空问构型为______，As原子采取________杂化。
(4)组成相似的GaF3和GaCl3晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是____________。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价健数为______；A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为______ （用x表示）pm ；该晶胞的密度为_____g·cm-3。（阿伏伽德罗常数用NA表示）。
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砷化稼（GaAs）是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]_______________。
(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga______（填“大于”或“小于”, 下同）As，第一电离能B ____ Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______。
(3)杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空问构型为______，As原子采取________杂化。
(4)组成相似的GaF3和GaCl3晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是____________。
(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价健数为______；A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为______ （用x表示）pm ；该晶胞的密度为_____g·cm-3。（阿伏伽德罗常数用NA表示）。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]________。
（2）根据元素周期律，元素的电负性Ga________(填“大于”或“小于”，下同)As，第一电离能B________Ga；BF3和NH3的分子能够通过配位键相结合的原因是_______________________。
（3）杀虫剂Na3AsO4中阴离子的空间构型为________，As原子采取________杂化。
（4）组成相似的GaF3和GaCl3晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体，从F－和Cl－结构的不同分析其原因是_____________。
（5）原子晶体GaAs的晶胞参数a＝x pm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为________；A原子距离B原子所在六面体的侧面的最短距离为________(用x表示)pm；该晶体的密度为________g·cm－3(阿伏加德罗常数的值用NA表示)
。
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【化学——选修3：物质结构】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式 。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为 ，其中As的杂化轨道类型为 。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77．9℃，其原因是 。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为
，其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为
和
，原子半径分别为
和
，阿伏加德罗常数值为
，则
晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。（已知1m=1012pm）
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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