科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如左图,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,并利用某CH4燃料电池(右图)作为电源。有关说法不正确的是
A. 电极c与a相连,d与b相连
B. 左侧电解槽中:Si 优先于Cu被还原,Cu优先于Si被氧化
C. 三层液熔盐的作用是增大电解反应面积,提高硅沉积效率
D. 相同时间下,通入CH4、O2的体积不同,会影响硅提纯速率
高三化学单选题困难题
科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如图所示,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,下列说法正确的是( )
A.电子由液态Cu-Si合金流出,流入液态铝电极
B.三层液熔盐的作用是使电子能够在三层间自由流动
C.在该液相熔体中Cu优先于Si被氧化,Si4+优先于Cu2+被还原
D.液态铝电极与正极相连,作为电解池的阳极
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如图所示,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,有关说法不正确的是( )
A. 在该液相熔体中Cu优先于Si被氧化,Si4+优先 于Cu2+被还原
B. 电子由液态Cu-Si合金流出,从液态铝流入
C. 三层液熔盐的作用是增大电解反应面积,提高硅沉积效率
D. 电流强度不同,会影响硅提纯速率
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如图所示,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,有关说法不正确的是
A. 在该液相熔体中Cu优先于Si被氧化,Si4+优先于Cu2+被还原
B. 电子由液态Cu-Si合金流出,从液态铝流入
C. 三层液熔盐的作用是增大电解反应面积,提高硅沉积效率
D. 电流强度不同,会影响硅提纯速率
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解装置如图所示,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,有关说法正确的是
A.在该液相熔体中Cu优先于Si被氧化,Si4+优先于Cu2+被还原
B.液态Cu-Si合金作阳极,固体硅作阴极
C.电流强度的大小不会影响硅提纯速率
D.三层液熔盐的作用是增大电解反应接触面积,提高硅沉积效率
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如左图,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,并利用某CH4燃料电池(右图)作为电源。有关说法不正确的是
A. 电极c与a相连,d与b相连
B. 左侧电解槽中:Si 优先于Cu被还原,Cu优先于Si被氧化
C. 三层液熔盐的作用是增大电解反应面积,提高硅沉积效率
D. 相同时间下,通入CH4、O2的体积不同,会影响硅提纯速率
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如左图,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,并利用某CH4燃料电池(右图)作为电源。有关说法不正确的是
A. 电极c与a相连,d与b相连
B. 左侧电解槽中:Si 优先于Cu被还原,Cu优先于Si被氧化
C. 三层液熔盐的作用是增大电解反应面积,提高硅沉积效率
D. 相同时间下,通入CH4、O2的体积不同,会影响硅提纯速率
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如左图,用Cu-Si合金作硅源,在950℃利用三层液熔盐进行电解精炼,并利用某CH4燃料电池(右图)作为电源。有关说法不正确的是
A. 电极c与a相连,d与b相连
B. 左侧电解槽中:Si 优先于Cu被还原,Cu优先于Si被氧化
C. 三层液熔盐的作用是增大电解反应面积,提高硅沉积效率
D. 相同时间下,通入CH4、O2的体积不同,会影响硅提纯速率
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科学家发现对冶金硅进行电解精炼提纯可降低高纯硅制备成本。相关电解槽装置如左下图所示,用Cu—Si合金作硅源,在950℃下利用三层液熔盐进行电解精炼,并利用某CH4燃料电池(如下图所示)作为电源。下列有关说法不正确的是
A. 电极c与b相连,d与a相连
B. 左侧电解槽中;Si优先于Cu被氧化
C. a极的电极反应为CH4-8e—+4O2— ===CO2+2H2O
D. 相同时间下,通入CH4、O2的体积不同,会影响硅的提纯速率
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科学家利用CH4燃料电池(如图)作为电源,用Cu-Si合金作硅源电解制硅可以降低制硅成本,高温利用三层液熔盐进行电解精炼,下列说法不正确的是( )
A.电极d与b相连,c与a相连
B.电解槽中,Si优先于Cu被氧化
C.a极的电极反应为CH4-8e-+8OH-=CO2+6H2O
D.相同时间下,通入CH4、O2的体积不同,会影响硅的提纯速率
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普通电解精炼铜的方法所制备的铜中仍含杂质,利用如图中的双膜(阴离子交换膜和过滤膜)电解装置可制备高纯度的Cu。下列有关叙述正确的是( )
A.电极a为粗铜
B.甲膜为过滤膜,可阻止阳极泥及漂浮物杂质进入阴极区
C.乙膜为阴离子交换膜,可阻止杂质阳离子进入阴极区
D.当电路中通过1mol电子时,可生成32g精铜
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