LED照明是我国制造业为人类做出的一大贡献。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如下图。试回答：
(1)镓的基态原子的电子排布式是__________。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为__________，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为__________。
(3)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是__________。(用氢化物分子式表示)
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为__________。
(5)比较二者的第一电离能：As__________Ga(填“<”、“>”或“＝”)。
(6)下列说法正确的是__________(填字母)。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As>Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
高三化学填空题困难题
LED照明是我国制造业为人类做出的一大贡献。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如下图。试回答：
(1)镓的基态原子的电子排布式是__________。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为__________，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为__________。
(3)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是__________。(用氢化物分子式表示)
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为__________。
(5)比较二者的第一电离能：As__________Ga(填“<”、“>”或“＝”)。
(6)下列说法正确的是__________(填字母)。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As>Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
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2012年在全球市场需求增速减缓形势下，我国LED产业进入了行业格局重组和竞争模式转变的新阶段。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、InGaN(氮化铟镓)为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如右图。
试回答：
(1)镓的基态原子的电子排布式是 。
(2)砷化镓晶胞中所包含的砷原子(白色球)个数为 ，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为 。
(3)N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是 (用氢化物分子式表示)。
(4)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为 。
(5)比较二者的第一电离能：As Ga(填“<”“＞”或“＝”)。
(6)下列说法正确的是 (填字母)。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As＞Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
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LED灯是一种环保的光源，在相同照明效果下比传统光源节能80%以上。目前市售LED晶片材质基本以砷化镓、磷化铝镓钢(AlGaInP)、氮化铟镓( InGaN)为主，砷化镓的晶胞结构如图。回答下列问题：
（1）砷的基态原子的电子排布式是___________。
（2）磷和砷是同一族的元素，第一电离能：磷___________(填“>”“<”或“=”，下同)砷，它们形成的氢化物的沸点：PH3___________AsH3，原因是______________________。
（3）AsH3是无色、稍有大蒜味的气体。AsH3中砷原子的杂化轨道方式为___________，AsH3的空间结构为___________。
（4）砷元素的常见化合价有+3和+5，它们对应的含氧酸有H3AsO3和H3AsO4两种，其中H3AsO4的酸性比H3AsO3的酸性强，从物质结构与性质的关系来看，H3AsO4的酸性比H3AsO3的酸性强的原因是_________________________________。
（5）此晶胞中所含的砷原子的个数为___________，砷化镓的化学式为___________。
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[化学——选修3：物质结构与性质]2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管 （LED）．目前市售LED品片，材质基本以GaAs （砷化镓）、AlGaInP （磷化铝镓铟）、lnGaN （氮化铟镓）为主．已知镓是铝同族下一周期的元素．砷化镓的晶胞结构如图。
试回答：
（1）镓的基态原子的电子排布式是 。
（2）砷化镓晶胞中所包含的砷原子 （白色球）个数为 ，与同一个镓原子相连的砷原子成的空间构型为 。
（3）N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是 ． （用氢化物分子式表示）
（4）砷化镓可由 （CH3）3Ga和AsH3在700℃时制得． （CH3）3Ga中镓原子的杂化方式为 。
（5）下列说法正确的是 （填字母）．
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As＞Ga
D．砷化镓晶体中含有配位键
（6）若GaAs相对分子质量用M表示，阿伏伽德罗常数用NA表示Ga-As之间紧邻核间距用acm 表示，则砷化镓晶体密度近似为 。
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某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为：GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题：
（1）砷基态原子的核外电子排布式为______________________。
（2）上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________。
（3）下列说法正确的是___________
a．电负性：As<Ga b．SiC与GaAs互为等电子体 c．第一电离能：As>Se>Ga
（4）如图所示为GaAs的晶胞结构，晶体熔点为1237℃。
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________。
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________。
③一个晶胞的组成为___________。
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m，则该晶胞密度为ρ=___________。
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某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为：GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题：
（1）砷基态原子的核外电子排布式为______________________。
（2）上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________。
（3）下列说法正确的是___________
a．电负性：As<Ga b．Sic与GaAs互为等电子体 c．第一电离能：As>Se>Ga
（4）如图所示为GaAs的晶胞结构，晶体熔点为1237℃。
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________。
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________。
③一个晶胞的组成为___________。
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m,相对原子质量Ga∶70,As∶75,则该晶胞密度为ρ=___________。
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某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为：GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题：
（1）砷基态原子的核外电子排布式为______________________。
（2）上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________。
（3）下列说法正确的是___________
a．电负性：As<Ga b．SiC与GaAs互为等电子体 c．第一电离能：As>Se>Ga
（4）如图所示为GaAs的晶胞结构，晶体熔点为1237℃。
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________。
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________。
③一个晶胞的组成为___________。
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m，则该晶胞密度为ρ=___________。
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某市售照明材料LED晶片是一种发光二极管。材质组成为：GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓铟)、GaInN(氮化镓铟)等。请回答下列问题：
（1）砷基态原子的核外电子排布式为______________________。
（2）上述非金属元素氢化物的沸点从高到低的顺序为___________。
（3）下列说法正确的是___________
a．电负性：As<Ga b．SiC与GaAs互为等电子体 c．第一电离能：As>Se>Ga
（4）如图所示为GaAs的晶胞结构，晶体熔点为1237℃。
①晶胞中砷与镓原子间的化学键类型有___________。
②一个镓原子周围所有距离最近且相等的砷原子形成的空间构型是___________。
③一个晶胞的组成为___________。
④已知晶胞棱长a=5.64×10-10m，则该晶胞密度为ρ=___________。
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2010年上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管（LED）。目前市售LED品片，材质基本以GaAs（砷化镓）、AlGaInP（磷化铝镓铟）、lnGaN（氮化铟镓）为主。已知镓是铝同族下一周期的元素。砷化镓的晶胞结构如右图。试回答：
（1）镓的基态原子的电子排布式是________。
（2）砷化镓晶胞中所包含的砷原子（白色球）个数为________，与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为________。
（3）N、P、As处于同一主族，其氢化物沸点由高到低的顺序是________。 (用氢化物分子式表示)
（4）砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。
（5）比较二者的第一电离能：As______Ga（填“<”、“>”或“=”）
（6）下列说法正确的是________（填字母）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．GaP与GaAs互为等电子体
C．电负性：As>Ga D．砷化镓晶体中含有配位键
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