(10分)短周期元素W、X、Y、Z在元素周期表中的位置如右图所示。其中Z的单质是一种重要半导体材料,广泛应用于电子工业的各个领域。
(1)W在元素周期表中的位置是 。
(2)Z的原子结构示意图为 。
(3)下列选项中,能证明元素非金属性X强于W的是 。
A.原子序数:X>W
B.最低化合价:X>W
C.最简单氢化物的稳定性:X>W
D.最高价氧化物的水化物酸性:X>W
(4)元素周期表中与Z同周期的某金属元素形成的单质A,可发生如下图所示的转化:
其中化合物D是一种白色沉淀,则B中溶质的化学式为 ;C转化生成D的离子方程式为 。
(5)表中Y的最高价氧化物对应水化物的化学式为Y(OH)n ,在T℃时,其饱和溶液能使酚酞试液变红,原因是其溶液中的c(OH—) = mol·L—1 (填计算数值,已知:T℃,Ksp[Y(OH) n]=4.0×l0-12)。
高三化学填空题困难题
(10分)短周期元素W、X、Y、Z在元素周期表中的位置如图所示。
其中Z的单质是一种重要半导体材料,广泛应用于电子工业的各个领域。
(1)W在元素周期表中的位置是 。
(2)Z的原子结构示意图为 。
(3)下列选项中,能证明元素非金属性X强于W的是 。
A.原子序数:X>W
B.最低化合价:X>W
C.最简单氢化物的稳定性:X>W
D.最高价氧化物的水化物酸性:X>W
(4)元素周期表中与Z同周期的某金属元素形成的单质A,可发生如下图所示的转化:
其中化合物D是一种白色沉淀,则B中溶质的化学式为 ;
C转化生成D的离子方程式为 。
(5)表中Y的最高价氧化物对应水化物的化学式为Y(OH)n ,在T℃时,其饱和溶液能使酚酞试液变红,原因是其溶液中的c(OH—) = mol·L—1 (填计算数值,已知:T℃,Ksp[Y(OH) n]=4.0×l0-12)。
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(10分)短周期元素W、X、Y、Z在元素周期表中的位置如右图所示。其中Z的单质是一种重要半导体材料,广泛应用于电子工业的各个领域。
(1)W在元素周期表中的位置是 。
(2)Z的原子结构示意图为 。
(3)下列选项中,能证明元素非金属性X强于W的是 。
A.原子序数:X>W
B.最低化合价:X>W
C.最简单氢化物的稳定性:X>W
D.最高价氧化物的水化物酸性:X>W
(4)元素周期表中与Z同周期的某金属元素形成的单质A,可发生如下图所示的转化:
其中化合物D是一种白色沉淀,则B中溶质的化学式为 ;C转化生成D的离子方程式为 。
(5)表中Y的最高价氧化物对应水化物的化学式为Y(OH)n ,在T℃时,其饱和溶液能使酚酞试液变红,原因是其溶液中的c(OH—) = mol·L—1 (填计算数值,已知:T℃,Ksp[Y(OH) n]=4.0×l0-12)。
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短周期元素 W、X、Y、Z 在元素周期表中的位置如右图所示。其中 Z 的单质是一种重要半导体材料,广泛应用于电子工业的各个领域。
(1)W 在元素周期表中的位置是____________。
(2)W、X、氢元素形成的三原子分子的电子式____________。
(3)下列选项中,能证明元素非金属性X强于W的是____________。
A.相对原子质量:X>W B.最低化合价:X>W
C.最简单氢化物的稳定性:X>W D.最高价氧化物的水化物酸性:X>W
(4)元素周期表中与 Z 同周期的某金属元素形成的单质 A,可发生如下图所示的转化:
其中化合物D是一种白色沉淀,则 B 中溶质的化学式为____________;
B与 C也可直接转化生成 D 写出对应的离子方程式为____________。
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短周期元素W、X、Y、Z在元素周期表中的位置如下表所示。其中Z的单质是一种重要的半导体材料,广泛应用于电子工业的各个领域。
W | X | ||
Y | Z |
(1)W在元素周期表中的位置是_____________________。
(2)r(Yn+)________r(Xm-)。(填“﹥”“﹦”“﹤”)
(3)下列选项中,能证明元素非金属性X强于W的是_________。
A.原子序数:X>W
B.最低化合价:X>W
C.最简单氢化物的稳定性:X>W
D.最高价氧化物的水化物酸性:X>W
(4)元素周期表中与Z同周期的某金属元素形成的单质A,可发生如下图所示的转化:
其中化合物D是一种白色沉淀,则A生成B的化学方程式为________________;B与C混合反应的离子方程式为_____________________。
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金属镓(Ga)应用广泛,在半导体和光电材料、合金、磁性材料等领域都有重要应用。镓与铝是同主族元素,性质相似。
(1)铝在元素周期表中的位置是_________。
(2)GaAs 是一种重要的半导体材料。As 与 Ga 同周期,As 与 N 同主族。
①下列事实不能用元素周期律解释的是___________(填字母)。
a. 碱性:Ga (OH)3> Al (OH)3 b. 非金属性:As>Ga c. 酸性:H3AsO4>H3AsO3
②GaAs 中,As 元素化合价为-3 价,用原子结构理论解释原因_________________。
③废弃含 GaAs 半导体材料可以用浓硝酸溶解 GaAs,生成 H3AsO4 和 Ga3+,写出该反应的化学方程式_________。
(3)工业上获取镓的方法之一是从闪锌矿冶锌后的残渣(主要含有 Zn、Pb、Fe、Ga 等元素)中提取,某科研单位设计下述流程提取镓,已知:Ga 在碱性溶液中以[Ga(OH)4]- 形式存在。
①试剂 a 是_____。
②写出得到滤液 3 的离子方程式_______________。
③写出电解制镓时的阴极电极反应式__________________。
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短周期主族元素X、Y、Z、W原子序数依次增大,X原子最外层有4个电子,Y是地壳中含量最高的元素,Z在周期表中处于周期序数等于族序数的位置,W的单质广泛用作半导体材料。下列叙述正确的是
A.X、Y、Z、W四种元素的最外层电子数之和为18
B.原子半径由大到小的顺序:W>Z>Y>X
C.单质的熔点:W>Z
D.简单气态氢化物的稳定性:X>Y>W
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短周期主族元素X、Y、Z、W原子序数依次增大,X原子最外层有6个电子,Y是至今发现的非金属性最强的元素,Z在周期表中处于周期序数等于族序数的位置,W的单质广泛用作半导体材料。下列叙述正确的是( )
A.原子最外层电子数由多到少的顺序:Y、X、W、Z
B.原子半径由大到小的顺序:W、Z、Y、X
C.元素非金属性由强到弱的顺序:Z、W、X
D.简单气态氢化物的稳定性由强到弱的顺序:X、Y、W
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短周期主族元素X、Y、Z、W原子序数依次增大,X原子最外层有6个电子,Y是至今发现的非金属性最强的元素,Z在周期表中处于周期序数等于族序数的位置,W的单质广泛用作半导体材料。下列叙述正确的是( )
A. 原子最外层电子数由多到少的顺序:Y、X、W、Z
B. 原子半径由大到小的顺序:W、Z、Y、X
C. 元素非金属性由强到弱的顺序:Z、W、X
D. 简单气态氢化物的稳定性由强到弱的顺序:X、Y、W
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短周期主族元素X、Y、Z、W原子序数依次增大,X原子最外层有6个电子,Y是至今发现的非金属性最强的元素,Z在周期表中处于周期序数等于族序数的位置,W的单质广泛用作半导体材料。下列叙述正确的是( )
A.原子最外层电子数由多到少的顺序:Y、X、W、Z
B.原子半径由大到小的顺序:W、Z、Y、X
C.元素非金属性由强到弱的顺序:Z、W、X
D.简单气态氢化物的稳定性由强到弱的顺序:X、Y、W
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短周期主族元素、、、的原子序数依次增大,是地壳中含量最多的元素,原子的最外层有2个电子,的单质晶体是应用最广泛的半导体材料,与位于同一主族。下列说法正确的是( )
A.原子半径:
B.由、组成的化合物可表示为
C.的最高价氧化物对应水化物的酸性比的强
D.的简单气态氢化物的热稳定性比的强
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