C、N和Si能形成多种高硬度材料,如Si3N4,C3N4,SiC.
(1)Si3N4和C3N4中硬度较高的是______,理由是_________.
(2)C和N能形成一种类石墨结构材料,其合成过程如下图所示。该类石墨结构材料化合物的化学式为_________。其合成过程中有三聚氰胺形成,三聚氰胺中N原子的杂化方式有_____________。
(3)C和N还能形成一种五元环状有机物咪唑(im),其结构为。化合物[Co(im)6]SiF6的结构示意图如下:
①Co原子的价层电子轨道表达式(价层电子排布图)为_____。N与Co之间的化学键类型是___,判断的理由是__________。
②阴离子SiF62-中心原子Si的价层电子对数为______。阳离子(Co(im)6]2+和SiF62-之间除了阴阳离子间的静电作用力,还存在氢键作用,画出该氢键的表示式_______。
例如水中氢键的表示式为:
(4)SiC为立方晶系晶体,晶胞參数为a,已知Si原子半径为rSi,C原子半径为rC,该晶胞中原子的分数坐标为:
则SiC立方晶胞中含有____个Si原子、____个C原子,该晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________(列出计算式即可)。
高三化学综合题困难题
C、N和Si能形成多种高硬度材料,如Si3N4,C3N4,SiC.
(1)Si3N4和C3N4中硬度较高的是______,理由是_________.
(2)C和N能形成一种类石墨结构材料,其合成过程如下图所示。该类石墨结构材料化合物的化学式为_________。其合成过程中有三聚氰胺形成,三聚氰胺中N原子的杂化方式有_____________。
(3)C和N还能形成一种五元环状有机物咪唑(im),其结构为。化合物[Co(im)6]SiF6的结构示意图如下:
①Co原子的价层电子轨道表达式(价层电子排布图)为_____。N与Co之间的化学键类型是___,判断的理由是__________。
②阴离子SiF62-中心原子Si的价层电子对数为______。阳离子(Co(im)6]2+和SiF62-之间除了阴阳离子间的静电作用力,还存在氢键作用,画出该氢键的表示式_______。
例如水中氢键的表示式为:
(4)SiC为立方晶系晶体,晶胞參数为a,已知Si原子半径为rSi,C原子半径为rC,该晶胞中原子的分数坐标为:
则SiC立方晶胞中含有____个Si原子、____个C原子,该晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为__________(列出计算式即可)。
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C、N 和Si 能形成多种高硬度材料,如Si3N4,C3N4、SiC。
(1) Si3N4和C3N4中硬度较高的是_________,理由是____________________。
(2) C和N能合成三聚氰胺(如图所示),其中N原子的杂化方式为________________。
(3) C 和N 还能形成一种五元环状有机物咪唑(im),其结构为。化合物[Co(im)6]SiF6的结构示意图如图所示:
①基态Co 原子的次外层电子排布式为___________。N 与Co2+之间的化学键类型是_________________,判断的理由是__________________。
②阴离子[SiF6]2-中心原子Si 的价层电子对数为___________________。阳离子[Co(im)6]2+和[SiF6]2-之间除了阴阳离子间的静电作用力,还存在氢键作用,画出该氢键的表示式_______。(例如,水中氢键的表示式为: )。
(4)β-SiC 为立方晶系晶体,晶胞参数为a,已知Si 原子半径为rSi,C原子半径为rC,该晶胞中原子的分数坐标为:
C:(0,0,0);(1/2,1/2,0);(1/2,0,1/2);(0,1/2,1/2);……
Si:(1/4,1/4,1/4);(1/4,3/4,3/4);(3/4,1/4,3/4);(3/4,3/4,1/4)。
则β-SiC 立方晶胞中含有____个Si 原子、___个C 原子;该晶跑中原子的体积占晶胞体积的百分率为______________(列出计算式即可)。
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C、N和Si能形成多种高硬度材料,如SiN4、C3N4、SiC
(1)Si3N4和C3N4中硬度较高的是________,理由是_____________。
(2)C和N能形成一种类石墨结构材料,其合成过程如下图所示。该类石墨结构材料化合物的化学式为_______,其合成过程中有三聚氰胺形成,三聚氰胺中N原子的杂化方式有________。
(3)C和N能形成一种五元环状有机物咪唑(简写为im),其结构为。化合物[Co(im)6]SiF6的结构示意图如下:
①阳离子[Co(im)6]2+和SiF62—之间除了阴阳离子间的静电作用力,还存在氢键作用写出该氢键的表示式:_______。(例如水中氢键的表示式为)
②多原子分子中各原子若在同一平面,且有相互平行的p轨道,则p电子可在多个原子间运动,形成“离域π键”,如SO2分子中存在“离域π键” π34,则im分子中存在的“离域π键”是______。
(4)-SiC为立方晶系晶体,该晶胞中原子的坐标参数为
C:(0,0,0);;;;……
Si:;;;
则-SiC立方晶胞中含有_____个Si原子、________个C原子。
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已知C3N4晶体很可能具有比金刚石更大的硬度,且原子间均以单键结合。
下列关于C3N4晶体的说法正确的是
A、C3N4晶体是分子晶体
B、C3N4晶体中C—N键长比金刚石中C—C要长
C、C3N4晶体中每个C原子连接4个N原子,而每个N原子连接3个C原子
D、C3N4晶体中微粒间通过离子键结合
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已知C3N4晶体很可能具有比金刚石更大的硬度,且原子间均以单键结合。下列关于C3N4晶体的说法正确的是
A、C3N4晶体是分子晶体
B、C3N4晶体中C—N键长比金刚石中C—C要长
C、C3N4晶体中每个C原子连接4个N原子,而每个N原子连接3个C原子
D、C3N4晶体中微粒间通过离子键结合
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C、N和Si能形成多种高硬度材料,如、、SiC
(1)和中硬度较高的是______,理由是______。
(2)和N能形成一种类石墨结构材料,其合成过程如图1所示。该类石墨结构材料化合物的化学式为______,其合成过程中有三聚氰胺形成,三聚氰胺中N原子的杂化方式有______。
(3)和N能形成一种五元环状有机物咪唑简写为,其结构为化合物的结构示意图如图2:
①阳离子和之间除了阴阳离子间的静电作用力,还存在氢键作用写出该氢键的表示式:______。例如水中氢键的表示式为
②多原子分子中各原子若在同一平面,且有相互平行的p轨道,则p电子可在多个原子间运动,形成“离域键”,如分子中存在“离域键”,则im分子中存在的“离域键”是______。
(4)为立方晶系晶体,该晶胞中原子的坐标参数为
C:;;0,,;;
Si:;;;
则立方晶胞中含有______个Si原子、______个C原子。
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C、N和Si能形成多种高硬度材料,如、、SiC
(1)和中硬度较高的是______,理由是______。
(2)和N能形成一种类石墨结构材料,其合成过程如图1所示。该类石墨结构材料化合物的化学式为______,其合成过程中有三聚氰胺形成,三聚氰胺中N原子的杂化方式有______。
(3)和N能形成一种五元环状有机物咪唑简写为,其结构为化合物的结构示意图如图2:
①阳离子和之间除了阴阳离子间的静电作用力,还存在氢键作用写出该氢键的表示式:______。例如水中氢键的表示式为
②多原子分子中各原子若在同一平面,且有相互平行的p轨道,则p电子可在多个原子间运动,形成“离域键”,如分子中存在“离域键”,则im分子中存在的“离域键”是______。
(4)为立方晶系晶体,该晶胞中原子的坐标参数为
C:;;0,,;;
Si:;;;
则立方晶胞中含有______个Si原子、______个C原子。
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C3N4和Sl3N4晶体中结构相似,是新型的非金属高温陶瓷材料,下列说法正确的是
( )
A.C3N4和Sl3N4晶体中N的化合价为+3价
B.C3N4和Si3N4 晶体中含有共价键
C.C3N4晶体的硬度比Si3N4晶体的硬度小
D.C3N4和Si3N4晶体均为分子晶体
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氮化碳结构如下图所示,其硬度超过金刚石晶体,成为首屈一指的超硬新材料。下列有关氮化碳的说法不正确的是 ( )
A.氮化碳属于原子晶体
B.氮化碳中碳显-4价,氮显+3价
C.氮化碳的化学式为C3N4
D.每个碳原子与四个氮原子相连,每个氮原子与三个碳原子相连
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硅是构成无机非金属材料的一种主要元素,下列有关硅的化合物的叙述错误的是( )。
A.氮化硅陶瓷是一种新型无机非金属材料,其化学式为Si3N4
B.碳化硅(SiC)的硬度大,熔点高,可用于制作高温结构陶瓷和轴承
C.光导纤维是一种新型无机非金属材料,其主要成分为SiO2
D.二氧化硅为立体网状结构,其晶体中硅原子和硅氧单键的个数之比为1∶2
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