已知A、B、C、D、E都是元素周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．B...

已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数依次递增。B原子的P轨道半充满，形成氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的。D原子得到一个电子后3P轨道全充满。A+比D原子形成的离子少一个电子层。C与A形成A2C型离子化合物。E的原子序数为31，F与B属同一主族，E与F形成的化合物常用于制造半导体。根据以上信息，回答下列问题：

（1）A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为　　　　　　　　　 （用元素符号表示）。

（2）化合物BD3的分子空间构型是　　　　　　　　　 。

（3）上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)，其材料是E与F形成的化合物甲（属于第三代半导体），用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞结构如右图（白球代表F，黑球代表E）。试回答：

①该晶胞中所包含的F原子(白色球)个数为　　　　 。

②与同一个E原子相连的F原子构成的空间构型为 　　　　　　　　　　 。

③下列说法正确的是　　　　　　 。

A．该晶胞结构与NaCl相同　　 B．半导体EB与EF互为等电子体

C．电负性：F>E　　　　　 D．EF晶体中含有配位键

④ (CH3)3E中E原子的杂化方式为　　　　　　 。

⑤该晶体中紧邻的F原子之间与紧邻的F、E两原子之间距离的比值为　　　　 （写出计算过程）

高二化学填空题极难题查看答案及解析

已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数依次递增。B原子的P轨道半充满，形成氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的。D原子得到一个电子后3P轨道全充满。A⁺比D原子形成的离子少一个电子层。C与A形成A₂C型离子化合物。E的原子序数为31，F与B属同一主族，E与F形成的化合物常用于制造半导体。根据以上信息，回答下列问题：

（1）A、B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为________（用元素符号表示）。

（2）化合物BD₃的分子空间构型是________。

（3）上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)，其材料是E与F形成的化合物甲（属于第三代半导体），用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞结构如右图（白球代表F，黑球代表E）。试回答：

①该晶胞中所包含的F原子(白色球)个数为________。

②与同一个E原子相连的F原子构成的空间构型为 ________。

③下列说法正确的是________。

A．该晶胞结构与NaCl相同   B．半导体EB与EF互为等电子体

C．电负性：F>E             D．EF晶体中含有配位键

④ (CH₃)₃E中E原子的杂化方式为________。

⑤该晶体中紧邻的F原子之间与紧邻的F、E两原子之间距离的比值为________

（写出计算过程）

高二化学填空题中等难度题查看答案及解析

已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数位次递增。B原子的p轨道半充满，形成氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的是。D原子得到一个电子后3p轨道全充满。A+比D原子形成的离子少一个电子层．C与A形成A2C型离子 化合物．E的原子序数为31，F与B属同一主族，E与F形成的化合物常用于制造半导体． 请根据以上信息，回答下列问题：

（1）B、C、D的第一电离能由小到大的顺序为_______________________(用元素符号表示)；

（2）写出比D的原子序数大7的Q原子的电子排布式_______________；

（3）化合物BD3的空间构型是_______________；

（4）上海世博会场馆，大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管(LED)，其材料是E与F形成的化合物甲(属于第三代半导体)，用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞结构如图(白球代表F，黑球代表E)。试回答：

①该晶胞中所包含的F原子个数为___________；

②与同一个E原子相连的F原子构成的空间构型为___________；

③下列说法正确的是___________；

a．E、F处于同一周期
b．该晶胞结构与NaCl相同
c．电负性：F＞E
d．EF晶体中含有配位键

④(CH3)3E中E原子的杂化方式为___________；

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已知A、B、C、D、E都是元素周期表中的前四周期元素，它们原子序数的大小关系为A<C<B<D<E。又知A原子的p轨道为半充满，其形成的简单氢化物的沸点是同主族非金属元素的氢化物中最高的。D原子得到一个电子后其3p轨道将全充满。B＋离子比D原子形成的离子少一个电子层。C与B可形成BC型的离子化合物。E的原子序数为29。

请回答下列问题：

(1) 元素A简单氢化物中A原子的杂化类型是________，B、C、D的电负性由小到大的顺序为______(用所对应的元素符号表示)。C的气态氢化物易溶于水的原因是____________________。

(2)E原子的基态电子排布式为________。元素E的单质晶体在不同温度下可有两种堆积方式，晶胞分别如图a和b所示，则其面心立方堆积的晶胞与体心立方堆积的晶胞中实际含有的E原子的个数之比为____________。

(3)实验证明：KCl、MgO、CaO、TiN这4种晶体的结构与NaCl晶体结构相似(如图所示)，其中3种离子晶体的晶格能数据如下表：

则该4种离子晶体(不包括NaCl)熔点从高到低的顺序是：________。

(4)金属阳离子含未成对电子越多，则磁性越大，磁记录性能越好。离子型氧化物V2O5和CrO2中，适合作录音带磁粉原料的是________。

(5)温室效应，科学家设计反应：CO2＋4H2—→CH4＋2H2O以减小空气中CO2。若有1 mol CH4生成，则有________mol σ键和________mol π键断裂。

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A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素。已知A原子的p轨道中有3个未成对电子，其气态氢化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氢化物中最大。B 的基态原子占据两种形状的原子轨道，且两种形状轨道中的电子总数均相同，B位于元素周期表的s区。C元素原子的外围电子层排布式为ns^n—1np^n—1。 D原子M能层为全充满状态，且最外层无成对电子，E为第四周期未成对电子数最多的元素。请回答下列问题：

（1）写出E基态原子的电子排布式________；E在周期表中的位置是________ ，其基态原子有________种能量不同的电子。

（2）某同学根据上述信息，推断B的核外电子排布如右图所示，

该同学所画的电子排布图违背了________。

（3）已知A和C形成的化合物X中每个原子的最外层均为8电子稳定结构，则X的化学式为 ________，X是一种超硬物质，耐磨损、抗腐蚀能力强，推测X的晶体类型为________ 。

（4）B的单质与A的最高价含氧酸的稀溶液反应，能将A还原至最低价态，写出该反应的化学方程式 ________。

（5） 已知D晶体的粒子堆积方式为面心立方最密堆积，若该晶体中一个晶胞的边长为a cm，则D晶体的密度为________g/cm³（写出含a的表达式，用N_A表示阿伏加德罗常数的值）。若D的原子半径为r ，则在D晶胞中用r表示出这种堆积模型的空间利用率为________。（列式表示，不需化简）

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已知：A、B、C、D、E、F、G七种元素的核电荷数依次增大，属于元素周期表中前四周期的元素。其中A原子在基态时p轨道半充满且电负性是同族元素中最大的；D、E原子核外的M层中均有两个未成对电子；G原子核外价电子数与B相同，其余各层均充满。B、E两元素组成化合物B2E的晶体为离子晶体。C、F的原子均有三个能层，C原子的第一至第四电离能(KJ·mol－1)分别为578、1 817、2 745、11 575；C与F能形成原子数目比为1∶3、熔点为190 ℃的化合物Q。

（1）B的单质晶体为体心立方堆积模型，其配位数为____________；E元素的最高价氧化物分子的立体构型是________________。F元素原子的核外电子排布式是_______________，G的高价离子与A的简单氢化物形成的配离子的化学式为________________。

（2）试比较B、D分别与F形成的化合物的熔点高低并说明理由________________。

（3）A、G形成某种化合物的晶胞结构如图所示。若阿伏加德罗常数为NA，该化合物晶体的密度为a g·cm－3，其晶胞的边长为________ cm。

（4）在1.01×105 Pa、T1 ℃时，气体摩尔体积为53.4 L·mol－1，实验测得Q的气态密度为5.00 g·L－1，则此时Q的组成为________________。

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（12分）已知：A、B、C、D、E、F、G七种元素的核电荷数依次增大，属于元素周期表中前四周期的元素。其中A原子在基态时p轨道半充满且电负性是同族元素中最大的；D、E原子核外的M层中均有两个未成对电子；G原子核外价电子数与B相同，其余各层均充满。B、E两元素组成化合物B2E的晶体为离子晶体。C、F的原子均有三个能层，C原子的第一至第四电离能(KJ·mol－1)分别为578、1817、2745、11575；C与F能形成原子数目比为1∶3、熔点为190 ℃的化合物Q。

(1)B的单质晶体为体心立方堆积模型，其配位数为____________；E元素的最高价氧化物分子的立体构型是________________。F元素原子的核外电子排布式是_______________，G的高价离子与A的简单氢化物形成的配离子的化学式为________________。

(2)试比较B、D分别与F形成的化合物的熔点高低并说明理由________________。

(3)A、G形成某种化合物的晶胞结构如图所示。若阿伏加德罗常数为NA，该化合物晶体的密度为a g·cm－3，其晶胞的边长为________ cm。

(4)在1.01×105 Pa、T1 ℃时，气体摩尔体积为53.4 L·mol－1，实验测得Q的气态密度为5.00 g·L－1，则此时Q的组成为________________。

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A、B、C、D、E、F为前四周期的元素．其中，A元素和B元素的原子都有一个未成对电子，A3+比B-少一个电子层，B原子得一个电子后3p轨道全充满；C原子的p轨道中有3个未成对电子，其气态氢化物在水中的溶解性在同族元素所形成的氢化物中最大；D的最高化合价与最低化合价代数和为4，其最高价氧化物对应的水化物可以用于制取炸药和制作铅蓄电池；E元素的基态原子核外有六种运动状态的电子；F元素的单质为紫红色固体，可通过“湿法冶金”而得．请回答下列问题：

（1）CB3分子中心原子的杂化类型是_________ ；

（2）如图所示为F与Au以3：1形成的合金晶胞图，在图中的括号内写出对应的元素符号．

（3）B、D元素最高价氧化物对应的水化物的酸性强弱：_________（填化学式）．

（4）用导线将A和F的单质做成的电极连接起来，插入到盛有C的最高价氧化物的水化物的浓溶液中构成原电池，试写出在单质A表面发生反应的电极反应式：_________；

（5）分子R是由C元素与氢元素形成的18电子分子，R的电子式为_________；

（6）24g E的单质在33．6L氧气（标准状况）中燃烧，至反应物全部耗尽，放出x kJ热量．则1mol E与O2反应生成E的低价氧化物时的热化学方程式为_________（已知：E的燃烧热为y kJ/mol）

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已知X、Y、Z、W四种短周期元素的原子序数依次增大，其中X与Y、Z、W所形成的常见化合物在常温下均呈气态，在周期表中Z与W左右相邻，Y的最高价氧化物的水化物与其氢化物反应生成盐，且Y的核电荷数与W的最外层电子数相同。请回答下列问题：

（1）Z的离子结构示意图是________；

（2）X、Y、W可组成一化合物，其原子个数之比为4：1：1。其化学式中含有的化学键有________。

（3）YX₃分子的空间构型是________，Z的氢化物的稳定性比W的氢化物的稳定性_____ （填“强”或“弱”）。

（4）Z₂W₂分子中，W与Z均满足8e^-稳定结构，则Z ₂W₂的电子式为。

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已知X、Y、Z、W四种短周期元素的原子序数依次增大，其中X与Y、Z、W所形成的常见化合物在常温下均呈气态，在周期表中Z与W左右相邻，Y的最高价氧化物的水化物与其氢化物反应生成盐，且Y的核电荷数与W的最外层电子数相同。请回答下列问题：

（1）Z基态原子的核外电子排布式是________；

（2）X、Y可组成一化合物，其原子个数之比为5：1。其化学式中含有的化学键有________。

（3）YX₃分子的空间构型是________，中心原子的杂化方式是________；Y的氢化物的沸点比W的氢化物的沸点________（填“高”或“低”）。

（4）Z₂W₂分子中，W与Z均满足8e^-稳定结构，则Z ₂W₂的电子式为________。

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