第四周期的元素镓(Ga)、锗(Ge).、砷(As)、硒(Se)都在高科技尖端科学特别是信息...

第四周期的元素镓(Ga)、锗(Ge).、砷(As)、硒(Se)都在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。试回答下列问题：

（1）基态锗原子的价电子排布式为______________________。

（2）沸点：NH3_______AsH3（填“＞”、“＜”或“=”），原因是_____________________。

（3）某砷的氧化物俗称“砒霜”，其分子结构如图甲所示，该化合物的分子式为___________________，As原子采取_____________杂化。

（4）H2SeO4和H2SeO3是硒的两种含氧酸，请根据结构与性质的关系，解释H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因________________________________________。

（5）砷化镓可由(CH3)2Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________________________；砷化镓的晶胞结构如图乙所示，其晶胞边长为apm，则每立方厘米该晶体中所含砷元素的质量为_____g(用NA表示阿伏加德罗常数的值)。

高二化学综合题困难题查看答案及解析

第四周期的元素镓(Ga)、锗(Ge).、砷(As)、硒(Se)都在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。试回答下列问题：

（1）基态锗原子的价电子排布式为______________________。

（2）沸点：NH3_______AsH3（填“＞”、“＜”或“=”），原因是_____________________。

（3）某砷的氧化物俗称“砒霜”，其分子结构如图甲所示，该化合物的分子式为___________________，As原子采取_____________杂化。

（4）H2SeO4和H2SeO3是硒的两种含氧酸，请根据结构与性质的关系，解释H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因________________________________________。

（5）砷化镓可由(CH3)2Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________________________；砷化镓的晶胞结构如图乙所示，其晶胞边长为apm，则每立方厘米该晶体中所含砷元素的质量为_____g(用NA表示阿伏加德罗常数的值)。

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[2017·新课标Ⅲ]砷（As）是第四周期ⅤA族元素，可以形成As2S3、As2O5、H3AsO3、H3AsO4等化合物，有着广泛的用途。回答下列问题：

（1）画出砷的原子结构示意图____________。

（2）工业上常将含砷废渣（主要成分为As2S3）制成浆状，通入O2氧化，生成H3AsO4和单质硫。写出发生反应的化学方程式________。该反应需要在加压下进行，原因是________________________。

（3）已知：As(s)+H2(g)+2O2(g)=H3AsO4(s)　　　　　　 ΔH1

H2(g)+O2(g)=H2O(l)　　　　　　　　　　　　 ΔH2

2As(s)+O2(g) =As2O5(s)　　　　　　　　　　 ΔH3

则反应As2O5(s) +3H2O(l)= 2H3AsO4(s)的ΔH =_________。

（4）298 K时，将20 mL 3x mol·L−1 Na3AsO3、20 mL 3x mol·L−1 I2和20 mL NaOH溶液混合，发生反应：(aq)+I2(aq)+2OH−(aq)(aq)+2I−(aq)+ H2O(l)。溶液中c()与反应时间（t）的关系如图所示。

①下列可判断反应达到平衡的是__________（填标号）。

a．溶液的pH不再变化

b．v(I−)=2v()

c．c()/c()不再变化

d．c(I−)=y mol·L−1

②tm时，v正_____ v逆（填“大于”“小于”或“等于”）。

③tm时v逆_____ tn时v逆（填“大于”“小于”或“等于”），理由是_____________。

④若平衡时溶液的pH=14，则该反应的平衡常数K为___________。

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砷（As）是第四周期ⅤA族元素，可以形成As2S3、As2O5、H3AsO3、H3AsO4等化合物，有着广泛的用途。回答下列问题：

（1）画出砷的原子结构示意图____________；

（2）工业上常将含砷废渣（主要成分为As2S3）制成浆状，通入O2氧化，生成H3AsO4和单质硫。写出发生反应的化学方程式_______________________________________；

（3）已知：As(s)+H2(g)+2O2(g)=H3AsO4(s)　　　　 ΔH1

H2(g)+O2(g)=H2O(l)　　　　　　　　　　　　 ΔH2

2As(s)+O2(g) =As2O5(s)　　　　　　　　　　 ΔH3

则反应As2O5(s) +3H2O(l)= 2H3AsO4(s)的ΔH =__________________；

（4）298 K时，将20 mL 3x mol·L−1 Na3AsO3、20 mL 3x mol·L−1 I2和20 mL NaOH溶液混合，发生反应：(aq)+I2(aq)+2OH−(aq)(aq)+2I−(aq)+ H2O(l)。溶液中c()与反应时间（t）的关系如图所示。

①下列不可判断反应达到平衡的是__________（填标号）；

a．溶液的pH不再变化　　　　　　 b．v(I−)=2v()

c．c()/c()不再变化　　　　　 　　 d．c(I−)=y mol·L−1

②tm时，v逆_____ v正（填“大于”“小于”或“等于”）；

③tn时v逆_____ tm时v逆（填“大于”“小于”或“等于”）；

④若平衡时溶液的pH=14，则该反应的平衡常数K为___________；

（5）H3AsO3和H3AsO4水溶液中含砷的各物种的分布分数(平衡时某物种的浓度占各物种浓度之和的分数)与pH的关系分别如图- 1和图- 2所示：

①以酚酞为指示剂(变色范围pH 8.0 ~ 10.0)，将NaOH溶液逐滴加入到H3AsO3溶液中，当溶液由无色变为浅红色时停止滴加。该过程中主要反应的离子方程式为____________；

②H3AsO4第一步电离方程式H3AsO4H2AsO4-+H+的电离常数为Ka1,则pKa1=_________(p Ka1 = -lg Ka1 )；

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砷（As）是第四周期ⅤA族元素，可以形成As2S3、As2O5、H3AsO3、H3AsO4等化合物，有着广泛的用途。回答下列问题：

（1）画出砷的原子结构示意图____________；

（2）工业上常将含砷废渣（主要成分为As2S3）制成浆状，通入O2氧化，生成H3AsO4和单质硫。写出发生反应的化学方程式________；

（3）已知：As(s)+ H2(g)+2O2(g)=H3AsO4(s)　　 ΔH1

H2(g)+ O2(g)=H2O(l)　　 ΔH2

2As(s)+ O2(g) =As2O5(s)　　 ΔH3

则反应As2O5(s) +3H2O(l)= 2H3AsO4(s)的ΔH =_________；

（4）298 K时，将20 mL 3x mol·L−1 Na3AsO3、20 mL 3x mol·L−1 I2和20 mL NaOH溶液混合，发生反应： (aq)+I2(aq)+2OH−(aq) (aq)+2I−(aq)+ H2O(l)。溶液中c()与反应时间（t）的关系如图所示。

①下列不可判断反应达到平衡的是__________（填标号）；

a．溶液的pH不再变化　　　　　　　　　　　　　　 b．v(I−)=2v()

c．c()/c()不再变化　　　　　　　　 d．c(I−)=y mol·L−1

②tm时，v逆_____ v正（填“大于”“小于”或“等于”）；

③tn时v逆_____ tm时v逆（填“大于”“小于”或“等于”）；

④若平衡时溶液的pH=14，则该反应的平衡常数K为___________；

（5）H3AsO3和H3AsO4水溶液中含砷的各物种的分布分数(平衡时某物种的浓度占各物种浓度之和的分数)与pH的关系分别如题图-1和题图-2所示：

①以酚酞为指示剂(变色范围pH 8.0 ~ 10.0)，将NaOH溶液逐滴加入到H3AsO3溶液中，当溶液由无色变为浅红色时停止滴加。该过程中主要反应的离子方程式为____________；

②H3AsO4第一步电离方程式H3AsO4H2AsO4-+H+的电离常数为Ka1,则pKa1=_________(p Ka1 = -lg Ka1)；

（6）溶液的pH对吸附剂X表面所带电荷有影响，pH =7．1时，吸附剂X表面不带电荷；pH > 7.1时带负电荷，pH越高，表面所带负电荷越多；pH<7.1时带正电荷，pH越低，表面所带正电荷越多。pH不同时吸附剂X对三价砷和五价砷的平衡吸附量(吸附达平衡时单位质量吸附剂X吸附砷的质量)如题图-3所示：

试问，提高吸附剂X对三价砷去除效果可采取的措施是______________________。

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砷(As)是第四周期ⅤA族元素，可以形成As2S3、As2O5、H3AsO3、H3AsO4等化合物，有着广泛的用途回答下列问题：

（1）写出砷的原子序数______________

（2）工业上常将含砷废渣（主要成分为As2S3）制成浆状，通入O2氧化，生成H2AsO4和单质硫,写出发生反应的化学方程式 _____________________________________________;该反应需要在加压下进行，原因是 _______________________________________

（3）已知：As(s)+3/2H2(g)+2O2(g)=H3AsO4 (s)　 △H1

H2(g)+1/2O2(g)=H2O(l)　　 △H2

2As(s)+5/2O2(g)=As2O5(s)　　　 △H3

则反应As2O5(s)+3H2O(l)=2H3AsO4 (s)的△H= ________________________

（4）298K时，将20mL 3xmol·L－1Na3AsO3、20mL 3xmol·L－1I2和20mL NaOH溶液混合，发生反应：AsO33－(aq)＋I2(aq)＋2OH－AsO43－(aq)＋2I－(aq)＋H2O(l)溶液中c(AsO43－)与反应时间（t）的关系如图所示．

①下列可判断反应达到平衡的是 ______ （填标号）．

a.溶液的pH不再变化　　　　　　　　　　　　　 b.v(I－)=2v(AsO33－)

c. c(AsO43－)/c(AsO33－)不再变化　　　　　　　  d.c(I－)=ymol·L－1

②tm时，v正______v逆　 （ 填“大于”“小于”或“等于”）

③tm时，v逆 ______tn时v逆（填“大于”“小于”或“等于”），理由是 ____________________

④若平衡时溶液pH=14，则该反应的平衡常数K为 ______________

高二化学填空题困难题查看答案及解析

镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料，应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题：

(1)硒常用作光敏材料，基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______；与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____种；SeO3的空间构型是_______。

(2)根据元素周期律，原子半径Ga ___As，第一电离能Ga _____As。(填“大于”或“小于”)

(3)水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位数是______，硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等，与氯、溴结合能形成SiCl4 、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________，丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___。

(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因___。

(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。

①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____。

②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为cm3，GaN晶体的密度为____g/cm3(用a、NA表示)。

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锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：

（1）基态 Ge 原子的简化电子排布式为_____，有_____个未成对电子，它在周期表的位置是_____，_____区。

（2）Ge 与 C 是同族元素，C 原子之间可以形成双键、叁键，但 Ge 原子之间难以形成双键或叁键。从 原子结构角度分析，原因是_____。

（3）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_____。

（4）光催化还原 CO2 制备 CH4 反应中，带状纳米 Zn2GeO4 是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O 电负性由大至小的顺序是_______________。

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下列比较中，错误的是

A.原子半径：K>Ga>Se>S B.第－电离能：Si>Al>Mg>Na

C.电负性：O>N>P>As D.非金属性：P>Si>Ge>Ga

高二化学单选题简单题查看答案及解析

下列说法正确的是（　　 ）

A.硼酸(H3BO3)分子中含有3个羟基，因此硼酸为三元酸

B.Ga、Ge、As、Se四种基态原子的第一电离能由小到大的顺序为Ga＜Ge＜Se＜As

C.Cu3N形成的晶体结构如图所示，则与N3-等距离且最近的Cu+有3个

D.第二周期元素电负性由小到大顺序排列，B元素应位于第2位

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