氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位.请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为 .
(2)氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化方式为 .
(3)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域.工业上用氮气、氧化铝和碳在一定条件下反应生成CO和X (X的晶体结构如图所示),工业制备X的化学方程式为 .
(4)X晶体中包含的化学键类型为 (填字母标号).
A.离子键 B.共价键 C.配位键 D.金属键
(5)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,其原因是 .
(6)若X的密度为ρg/cm3,则晶体中最近的两个Al原子的距离为 cm (阿伏加德罗常数用 NA表示,不必化简).
高三化学填空题简单题
(15分) 【化学 ― 选修 3 物质结构与性质】
氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位。请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为 。
(2)氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化方式为 。
(3)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域。工业上用氮气、氧化铝和碳在一定条件下反应生成CO和X (X的晶体结构如图所示),工业制备 X 的化学方程式为 。
(4)X晶体中包含的化学键类型为 (填字母标号)。
A .离子键 B .共价键 C .配位键 D .金属键
(5)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,其原因 是 。
(6)若X的密度为ρg/cm3,则晶体中最近的两个Al 原子的距离为 cm (阿伏加德罗常数用 NA表示,不必化简)。
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【化学-物质结构与性质】氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位。请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为 。
(2)氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化方式为 。
(3)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域。工业上用氮气、氧化铝和碳在一定条件下反应生成CO和X (X的晶体结构如图所示),工业制备 X 的化学方程式为 。
(4)X晶体中包含的化学键类型为 (填字母标号)。
A .离子键 B .共价键 C .配位键 D .金属键
(5)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,其原因是 。
(6)若X的密度为ρg/cm3,则晶体中最近的两个Al 原子的距离为 cm (阿伏加德罗常数用 NA表示,不必化简)。
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【化学-物质结构与性质】氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位。请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为 。
(2)氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化方式为 。
(3)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域。工业上用氮气、氧化铝和碳在一定条件下反应生成CO和X (X的晶体结构如图所示),工业制备 X 的化学方程式为 。
(4)X晶体中包含的化学键类型为 (填字母标号)。
A .离子键 B .共价键 C .配位键 D .金属键
(5)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,其原因是 。
(6)若X的密度为ρg/cm3,则晶体中最近的两个Al 原子的距离为 cm (阿伏加德罗常数用 NA表示,不必化简)。
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[化学——选修3物质结构与性质](15分)氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位。请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为______。氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化轨道类型为 。
(2)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域。工业上用氮气与氧化铝和碳在一定条件下反应生成X和CO,X的晶体结构如图所示,工业制备X的化学方程式为_______。
(3)X晶体中包含的化学键类型为______。(填字母标号)
A.离子键 B.共价键 C.配位键 D.金属键
(4)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,可能的原因是______
(5)若X的密度为pg/cm3,则晶体中最近的两个N原子的距离为______cm(阿伏加德罗常数用NA表示,不必化简)。
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氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位.请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为 .
(2)氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化方式为 .
(3)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域.工业上用氮气、氧化铝和碳在一定条件下反应生成CO和X (X的晶体结构如图所示),工业制备X的化学方程式为 .
(4)X晶体中包含的化学键类型为 (填字母标号).
A.离子键 B.共价键 C.配位键 D.金属键
(5)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,其原因是 .
(6)若X的密度为ρg/cm3,则晶体中最近的两个Al原子的距离为 cm (阿伏加德罗常数用 NA表示,不必化简).
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(15分)氮的化合物在无机化工领域有着重要的地位。请回答下列问题:
(1)基态氮原子的价电子排布图为______。氮的最高价氧化物为无色晶体,它由两种离子构成:已知其阴离子构型为平面正三角形,则其阳离子的构型为 形,阳离子中氮的杂化轨道类型为 。
(2)某氮铝化合物X具有耐高温、抗冲击、导热性好等优良性质,广泛用于陶瓷工业等领域。工业上用氮气与氧化铝和碳在一定条件下反应生成X和CO,X的晶体结构如图所示,工业制备X的化学方程式为____。
(3)X晶体中包含的化学键类型为______。(填字母标号)
A.离子键 B.共价键 C.配位键 D.金属键
(4)已知氮化硼与X晶体类型相同,且氮化硼的熔点比X高,可能的原因是______
(5)若X的密度为pg/cm3,则晶体中最近的两个N原子的距离为______cm(阿伏加德罗常数用NA表示,不必化简)。
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碳、 氮、磷、砷和硼的相关化合物在化工、医药、农药、材料等领域有着广泛的应用。锂、钠、铝、铁等金属在日常生活、工业生产中也占有举足轻重的地位,请回答下列问题:
(1)基态As原子的电子排布式为[Ar]______________________;
(2)氮化硼(BN)有多种晶型,其中立方氮化硼与金刚石的构型类似,则其晶胞中B—N—B之间的夹角是___________________(填角度)。
(3)砷化硼(BAs)是ⅢA一VA族半导体材料的重要成员之一,其晶体结构与金刚石相似。
①BAs晶体中,每个As与____________个B相连,As的杂化形式为_______________;
②已知B原子的电负性比As原子的电负性大,则As与B之间存在的化学键有____________(填字母)。
A.离子键 B.金属键 C.极性键 D.氢键 E.配位键 F.σ键 G.π键
(4)铁的另一种配合物Fe(CO)5熔点为-20.5℃,沸点为103℃,易溶于CCl4,据此可以判断Fe(CO)5晶体属于________________________________(填晶体类型)。
(5)金属晶体的四种堆积如下图,金属钠的晶体堆积模型为___________(填字母)。
(6)石墨晶体的结构如下图,石墨的密度为________________________________(只列式不化简不计算)
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磷和砷的相关化合物在化工、医药、材料等领域有着广泛的应用。回答下列问题:
(1)基态As原子的核外电子排布式为[Ar]_________;As 原子的逐级电离能(kJ/mol)数据如下:
第一电离能 | 第二电离能 | 第三电离能 | 第四电离能 | 第五电离能 | 第六电离能 |
947.0 | 1798 | 2735 | 4837 | 6043 | 12310 |
第五电离能与第六电离能相差显著的原因:_____________________________________。
(2)红磷是巨型共价分子,无定型结构。能证明红磷是非晶体的最可靠方法是__________。
A.质谱 B.原子发射光谱 C.核磁共振谱 D.X 射线衍射
(3)黑磷是新型二维半导体材料,具有类似石墨一样的片层结构(如图),层与层之间以_____结合。从结构上看,单层磷烯导电性优于石墨烯的原因是____________________________。
(4)白磷(P4) 分子是正四面体结构,3.1g 白磷中σ键的数目为________;白磷(P4)易溶于二硫化碳,难溶于水,其原因是_____________________________________________。
(5)GaAs 的熔点为1238℃,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_________,Ga 原子的杂化方式为______________,每个 As原子周围最近的As原子数目为________。已知GaAs的密度为dg/cm3,摩尔质量为M g/mol,则晶胞中最近的As 和Ga原子核间距为_____(阿伏加德罗常数值用NA表示,列出算式即可)nm。
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Ga、As、Al、C的相关化合物在化工和医学领域有着广泛的应用。回答下列问题:
(1)写出基态Ga原子的核外电子排布式:_________,有_____个未成对电子。
(2)合金砷化镓在现代工业中被广泛应用,Ga、As电负性由大到小排序为______________。
(3)1个丙二烯分子中σ键总数为___个,C原子的杂化方式为______。分子中的大π键可以用符号пmn表示,其中m代表参与形成大π键的原子数,n代表参与形成大π键的电子数(如苯分子中的大π键可表示为п66),则丙二烯中的大π键应表示为____________。
(4)氮化镓是第三代半导体材料,其晶体结构和单晶硅相似,晶胞结构如图所示:
①原子坐标参数是表示晶胞内部各原子的相对位置,其中原子坐标参数A为(0, 0, 0);B为(1/2,1/2,0);C为(1,0,1)。则D原子的坐标参数为_________________。
②已知氮化镓晶胞的边长为a nm,其密度为d g/cm3,则阿伏加德罗常数NA =____(用a、d表示)
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氮、磷、砷、硼的相关化合物在化工、医药、农药、材料等领域有着广泛的应用。回答下列问题:
(1)基态As原子的电子排布式为__________。N、P、As的第一电离能的大小顺序为 _______。
(2)氮化硼(BN)有多种晶体,其中立方氮化硼与金刚石的构型类似,则其晶胞中B-N-B之间的夹角是_________(填角度)。
(3)砷化硼(BAs)是Ⅲ-V族半导体材料的重要成员之一,其晶体结构与金刚石相似。
①BAs晶体中,每个As与_____个B相连,As的杂化形式为______;
②已知B原子的电负性比As原子的电负性大,则As与B之间存在的化学键有_______(填字母)。
A.离子键 B. 金属键 C.极性键 D.氢键 E.配位键F. 键G. 键
(4)磷化硼(BP)是一种有价值的耐磨硬涂层材料,这种陶瓷材料可作为金属表面的保护薄膜,它是通过在高温(T>750℃)氢气氛围下BBr3和PBr3反应制得的,BBr3的空间构型为______,BP晶胞的结构如图所示,当晶胞晶格参数为478pm(即图中立方体的每条边长为478pm)时,BP中B和P之间的最近距离为_____。
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