以下是一些元素的信ο，其中有一种元素不在短周期．根据信ο完成问题： 元素A 元素B 元素C...

高三化学解答题中等难度题查看答案及解析

以下是一些元素的信息，其中有一种元素不在短周期。

根据上述信息回答下列问题：

（1）写出A元素基态原子的核外电子排布式________。

（2）B、C、X的简单离子半径由大到小的顺序为________（填离子符号）。

（3）H−X与H−Y两种共价键中，键的极性较强的是________，键长较长的是________

（X、Y用元素符号表示）。

（4）X、Y二种元素第一电离能从大到小的顺序是________（填元素符号）；Y的常见氢化物易液化的主要原因是。

（5）X常见氢化物的蒸气与A 的粉末在高温条件下充分反应，生成一种黑色磁性固态化合物和一种气体单质，此反应的化学方程式是________。

高三化学填空题极难题查看答案及解析

（本题10分）

元素的单质及其化合物有着广泛的用途。请根据元素周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题。

完成下列填空：

23．按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是 　 　 　 。

A．原子半径和简单离子半径均减小　　

B．金属性减弱，非金属性增强

C．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　

D．单质的熔点降低

24．原子最外层电子数与次外层中p亚层电子数相同的元素名称是__________，磷元素原子最外层电子排布的轨道表示式是________________________________。

25．已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是_______________________________；

制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___________________________________。

26．晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式：___________________________________。

27．KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式： _______________

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（15分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　 。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）氧化性最弱的简单阳离子的结构示意图是　　　　　　　　　　　　　 。

（3）晶体硅（熔点1410 ℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）Na2S溶液长期放置有硫析出，原因为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （用离子方程式表示）。

（5）已知：2SO2(g)＋O2(g)2SO3(g)　　 平衡常数为K1

2NO(g)＋O2(g)2NO2(g)　　 平衡常数为K2

则反应NO2(g)＋SO2(g)SO3(g)＋NO(g)的平衡常数为K3＝　　　　　　　　 （用K1、K2来表达）

一定条件下，将NO2与SO2以体积比1:2置于密闭容器中发生上述反应，下列能说明反应达到平衡状态的是　　　　　　　　　　　　 。

a．体系压强保持不变　　　　　　　　　　

b．混合气体颜色保持不变

c．SO2和NO的体积比保持不变　　

d．每消耗1 mol SO3的同时生成1 mol NO2

测得上述反应平衡时NO2与SO2体积比为1∶6，则平衡常数K＝　　　　　　　　 。

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式　　　　　　　　 　　　　　 。

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　 。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是　　　　　　　 。

a． NH3　　　　　 b． HI　　　　　 c． SO2　　　　 d ． CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。　　　　

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为

（3）已知：

工业制镁时的反应方程式是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，该反应的热化学方程式：

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的：

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　 　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　　　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：____。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是____。

a．NH3　 b．HI　 c．SO2　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：____。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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Ⅰ.元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素知识回答问题：

(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是_________。

a.原子半径和离子半径均减小

b.金属性减弱，非金属性增强

c.氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d.单质的熔点降低

(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素为__________(填名称)；氧化性最弱的简单阳离子是________________(填离子符号)。

(3)P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是_________(填字母)。

a.NH3　　　　　　 b.HI　　　　　　 c.SO2　　　　　　 d.CO2

(4)KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：__________。

Ⅱ.氢能源是一种重要的清洁能源。现有两种可产生H2的化合物甲和乙，甲和乙是二元化合物。将6.00 g甲加热至完全分解，只得到一种短周期元素的金属单质和6.72 L H2(已折算成标准状况)。甲与水反应也能产生H2，同时还产生一种白色沉淀物， 该白色沉淀可溶于NaOH溶液。化合物乙在催化剂存在下可分解得到H2和另一种单质气体丙，丙在标准状态下的密度为1.25 g/L。请回答下列问题：

(5)甲的化学式是___________________；乙的电子式是___________。

(6)甲与水反应的化学方程式是______________________。

(7)判断：甲与乙之间____________(填“可能”或“不可能”)发生反应产生H2。

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