太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能...

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。

（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为________。

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为________（用元素符号表示）。

（3）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）在水溶液中能与水反应生成[B(OH)₄]^－而体现一元弱酸的性质。

①[B(OH)₄]^－中B的原子杂化类型为________________________；

②不考虑空间构型，[B(OH)₄]^－的结构可用示意图表示为________________________。

（4）单晶硅的结构与金刚石结构相似，若将金刚石晶体中一半的C原子换成Si原子且同种原子不成键，则得右图所示的金刚砂（SiC）结构；若在晶体硅所有Si—Si键中插入O原子即得SiO₂晶体。

①在SiC中，每个C原子周围最近的C原子数目为________________；

②判断a. SiO₂，b.干冰，c.冰3种晶体的熔点从小到大的顺序是 ________（填序号）。

高三化学填空题极难题查看答案及解析

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS（CIS中掺人Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。

（1）镓的基态原子的电子排布式是___________。

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为________（用元素符号表示）。

（3）H₂Se的酸性比H₂S____（填“强”或“弱”）。气态SeO₃分子的立体构型为____________。

（4）硅烷（Si_nH_2n+2）的沸点与其相对分子质量的变化关系如图所示，呈现这种变化关系的原因是________。

（5）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）在水溶液中能与水反应生成[B（OH）₄]^—而体现一元弱酸的性质，则[B（OH）₄]^—中B的原子杂化类型为________。

（6）金属Cu单独与氨水或单独与过氧化氢都不能反应，但可与氨水和过氧化氢的混合溶液反应，其原因是____，反应的离子方程式为________。

（7）一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积的结构。在晶脆中，Au原子位于顶点，Cu原子位于面心，则该合金中Au原子与Cu原子个数之比为________，若该晶胞的边长为a pm，则合金的密度为________g·cm^-3（已知lpm=10^-12m，只要求列算式，不必计算出数值，阿伏加塞罗常数为N_A）。

高三化学填空题极难题查看答案及解析

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGs（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。

（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为________。

（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为________（用元素符号表示）。

（3）Cu晶体的堆积方式是________（填堆积名称），其配位数为________；往Cu的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu(NH₃)₄]SO₄，下列说法正确的是_____

A．[Cu (NH₃)₄]SO₄中所含的化学键有离子键、极性键和配位键

B．在[Cu(NH₃)₄ ]²⁺中Cu²⁺给出孤对电子，NH₃提供空轨道

C．[Cu (NH₃)₄]SO₄组成元素中第一电离能最大的是氧元素

D．SO₄^2-与PO₄^3-互为等电子体，空间构型均为正四面体

（4）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水显弱酸性，但它却只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的电离平衡解释它只是一元弱酸的原因。

①H₃BO₃中B的原子杂化类型为________；

②写出硼酸在水溶液中的电离方程式________。

（5）硅与碳是同一主族元素，其中石墨为混合型晶体，已知石墨的层 间距为335pm,C-C键长为142pm,计算石墨晶体密度（要求写出计算过程，得出结果保留三位有效数字,N_A为6.02×10²³mol^-1）

高三化学填空题困难题查看答案及解析

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。亚铜离子(Cu+)基态时的价电子排布式表示为________。

高三化学填空题简单题查看答案及解析

多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示：

下列说法错误的是

A. Y、Z分别为H2、Cl2

B. 制取粗硅的过程中焦炭与石英会发生副反应生成碳化硅，在该副反应中，氧化剂与还原剂的物质的量之比为1：1

C. SiHCl3极易水解，其完全水解的产物为H2SiO3、H2、HCl，据此推测SiHCl3中硅元素的化合价为+2价

D. Y与SiHCl3制备多晶硅的反应属于置换反应

高三化学单选题困难题查看答案及解析

多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示：

下列说法错误的是

A. Y、Z分别为H2、Cl2

B. 制取粗硅的过程中焦炭与石英会发生副反应生成碳化硅，在该副反应中，氧化剂与还原剂的物质的量之比为1：1

C. SiHCl3极易水解，其完全水解的产物为H2SiO3、H2、HCl，据此推测SiHCl3中硅元素的化合价为+2价

D. Y与SiHCl3制备多晶硅的反应属于置换反应

高三化学单选题困难题查看答案及解析

当前材料科学的发展方兴未艾。B、N、Ti、Cu、Zn都是重要的材料元素，其单质和化合物在诸多领域都有广泛的应用。

(1)单晶硅太阳能电池片加工时一般掺杂微量的铜，二价铜离子的价电子排布式为_____________。在高温条件下Cu2O比CuO更稳定，试从铜原子核外电子结构变化角度解释__________________。

(2)BF3分子与NH3分子的空间构型为__________、___________，BF3与NH3反应生成的BF3·NH3分子中含有的化学键类型为_________________。

(3)金属Ti的性能优越，能与B、C、N、O等非金属元素形成稳定的化合物。电负性：C_____B(填“>”或“<”，下同)，第一电离能：N_______O。

(4)月球岩石——玄武岩的主要成分为钛酸亚铁(FeTiO3)，钛酸亚铁与浓硫酸反应生成TiSO4，SO42-中S原子的杂化方式为________，用价层电子对互斥理论解释SO32-的键角比SO42-键角小的原因__________________。

(5)ZnS在荧光体、涂料等行业中应用广泛。立方ZnS晶体结构如图所示，其晶胞边长为a cm，密度为__________g·cm-3

高三化学简答题中等难度题查看答案及解析

Ⅰ．第ⅢA、VA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。试回答：

（1）Ga的基态原子的价电子的轨道排布式为________。

（2）下列说法正确的是（选填序号）。

A．砷和镓都属于p区元素    B．GaN、GaP、GaAs均为分子晶体

C．电负性：As＞Ga                   D．第一电离能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定条件下制得，同时得到另一物质，该物质分子是________（填“极性分子”或“非极性分子”）。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为________。

Ⅱ．氧化钙晶体的晶胞如图所示，试回答：

（1）晶体中Ca²⁺的配位数为________。

（2）已知Ca²⁺的半径为a cm，O^2-的半径为b cm，N_A代表阿伏加德罗常数，

该晶体的密度为________g/cm³。（用含a、b、N_A的代数式表示）

高三化学填空题中等难度题查看答案及解析

（15分）太阳能电池是利用光电效应实现能量变化的一种新型装置，目前多采用单晶硅和多晶硅作为基础材料。高纯度的晶体硅可通过以下反应获得：

反应①（合成炉）：

反应②（还原炉）：

有关物质的沸点如下表所示：

请回答以下问题：

（1）太阳能电池的能量转化方式为　　　　　　 ；由合成炉中得到的SiHCl3往往混有硼、磷、砷、铝等氯化物杂质，分离出SiHCl3的方法是　　　　　 。

（2）对于气相反应，用某组分(B)的平衡压强(PB)代替物质的量浓度(cB)也可表示平衡常数（记作KP），则反应①的KP＝　　　　　　　　　 ；

（3）对于反应②，在0．1Mpa下，不同温度和氢气配比（H2/SiHCl3）对SiHCl3剩余量的影响如下表所示：

①该反应的△H2　　　　　 0（填“>”、“<”、“=”）

②按氢气配比5:1投入还原炉中，反应至4min时测得HCl的浓度为0．12mol·L—1，则SiHCl3在这段时间内的反应速率为　　　　　　　　　　 。

③对上表的数据进行分析，在温度、配比对剩余量的影响中，还原炉中的反应温度选择在1100℃，而不选择775℃，其中的一个原因是在相同配比下，温度对SiHCl3 剩余量的影响，请分析另一原因是　　　　　　　　　　 。

（4）对于反应②，在1100℃下，不同压强和氢气配比（H2/SiHCl3）对SiHCl3剩余量的影响如图27—1所示：

① 图中P1　　　　　　 P2（填“>”、“<”、“=”）

　　 ②在图27—2中画出氢气配比相同情况下，1200℃和1100℃的温度下，系统中SiHCl3剩余量随压强变化的两条变化趋势示意图。

高三化学填空题中等难度题查看答案及解析

常见的太阳能电池有单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、GaAs太阳能电池及铜铟镓硒薄膜太阳能电池等。

（1）Cu+在基态时的价电子排布式为______。

（2）砷、碲是第四周期的相邻元素，已知砷的第一电离能大于硒。请从原子结构的角度加以解释______。

（3）GaAs熔点1238℃，难溶于溶剂。其晶体类型为_________。

（4）AsF3的空间构型是：______________。

（5）硼酸（H3BO3）本身不能电离出H+，在水中易结合一个OH-生成[B(OH)4]-，而体现弱酸性。

①[B(OH)4]-中B原子的杂化类型为______。

②[B(OH)4]-的结构式为____________。

（6）金刚石的晶胞如下图，若以硅原子代替金刚石晶体中的碳原子，便得到晶体硅：若将金刚石晶体中一半的碳原子換成硅原子，且碳、硅原子交替，即得到碳化硅晶体（金刚砂）。

①金刚石、晶体硅、碳化硅的熔点由高到低的排列顺序是_______(用化学式表示)。

②立方氮化硼晶体的结构与金刚石相似，硬度与金刚石相当，晶胞边长为361.5pm。立方氮化硼的密度是___________g·㎝-3(B的相对原子质量为11，只要求列算式，不必计算出数值，阿伏伽徳罗常数为NA)。

高三化学简答题困难题查看答案及解析