根据物质结构有关性质和特点，回答下列问题：
（1）Ti基态原子核外电子排布式为 _____基态铝原子核外电子云形状有_________（填名称）。
（2）丙烯腈（CH2=CH-CN）分子中α键和
键的个数比为_____,分子中碳原子轨道的杂化类型是___
（3）写出与NH4+互为等电子体的一种分子和一种离子的化学式______、_______。
（4）钛存在两种同素异构体，
采纳六方最密堆积，
采纳体心立方堆积，鉴别两种钛晶体可以用_____法，由转变为晶体体积_____（填“膨胀”或“收缩”）。
（5）处于一定空间运动状态的电子在原子核外出现的概率密度分布可用____________形象化描述。
（6）Cu与O元素形成的某种化合物的晶胞结构如图所示，晶胞中氧原子的配位数为____，若阿伏伽德罗常数为NA，晶胞的边长为a pm,该晶体的密度为__g•cm﹣3．
高三化学填空题中等难度题
[物质结构与性质]
根据物质结构有关性质和特点，回答下列问题：
(1)Ti基态原子核外电子排布式为__________，基态铝原子核外电子云形状有_______(填形状名称)
(2)丙烯腈(CH2=CH－CN)分子中σ键和π键的个数比为_______，分子中碳原子轨道的杂化类型是________。
(3)写出与NH4+互为等电子体的一种分子和一种离子的化学式________、_______。
(4)钛存在两种同素异构体，α－Ti为六方最密堆积，β－Ti为体心立方堆积，鉴别两种钛晶体可以用_______法，由α－Ti转变为β－Ti晶体体积_________(填“膨胀”或“收缩”)。
(5)处于一定空间运动状态的电子在原子核外出现的概率密度分布可用_________形象化描述。
(6)Cu与O元素形成的某种化合物的晶胞结构如图所示，晶胞中氧原子的配位数为_________，若阿伏加德罗常数为NA，晶胞的边长为apm，该晶体的密度为_________g·cm－3
高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
根据物质结构有关性质和特点，回答下列问题：
（1）Ti基态原子核外电子排布式为 _____基态铝原子核外电子云形状有_________（填名称）。
（2）丙烯腈（CH2=CH-CN）分子中α键和键的个数比为_____,分子中碳原子轨道的杂化类型是___
（3）写出与NH4+互为等电子体的一种分子和一种离子的化学式______、_______。
（4）钛存在两种同素异构体，采纳六方最密堆积，采纳体心立方堆积，鉴别两种钛晶体可以用_____法，由转变为晶体体积_____（填“膨胀”或“收缩”）。
（5）处于一定空间运动状态的电子在原子核外出现的概率密度分布可用____________形象化描述。
（6）Cu与O元素形成的某种化合物的晶胞结构如图所示，晶胞中氧原子的配位数为____，若阿伏伽德罗常数为NA，晶胞的边长为a pm,该晶体的密度为__g•cm﹣3．
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
根据物质结构有关性质和特点，回答下列问题：
(1)Ti基态原子核外价电子排布式为____________，基态镁原子核外电子有____________种不同的空间运动状态。
(2)钛存在两种同素异形体，α—Ti采纳六方最密堆积，β—Ti采纳体心立方堆积，由α—Ti转变为β—Ti晶体体积____________(填“膨胀”或“收缩”)。
(3)写出与NH4+互为等电子体的一种分子和一种离子的化学式____________、____________。
(4)丙烯腈(CH2=CH-CN)分子中
键和π键的个数比为____________，分子中碳原子轨道杂化类型是____________。
(5)请写出H、C、N、O元素电负性由大到小的顺序____________。
(6)金属Na的熔点、沸点都比金属Mg低的原因是________________________。
(7)Cu与O元素形成的某种化合物的晶胞结构如图所示，晶胞中氧原子的配位数为___________，若阿伏加德罗常数值为NA，晶胞的边长为apm，该晶体的密度为___________g·cm-3.
高三化学综合题困难题查看答案及解析
（题文）根据物质结构有关性质和特点，回答以下问题：
（1）过渡元素Co 基态原子价电子轨道表达式为_______________________________。第四电离能I4 (Co) < I4 (Fe) ，其原因是__________________________________________。
（2）磷的氯化物有两种：PCl3和PCl5 ，PCl3中磷原子的杂化类型为__________，PCl3的立体构型为__________，其中PCl3的沸点________（填“大于”或“小于”）PCl5，原因是__________。
（3）酞菁铟是有机分子酞菁与金属铟形成的复杂分子，结构简式如下图所示，该分子中存在的化学键为___________（填选项字母）
a．σ键 b．π键 c．离子键 d．配位键
（4）氯有多种含氧酸，其电离平衡常数如下：
| 化学式 | HClO4 | HClO3 | HClO2 | HClO |
| Ka | 1×1010 | 1×10 | 1×10‾2 | 4×10‾8 |
从物质结构的角度解释以上含氧酸 Ka 依次减小的原因________________________。
（5）钴的一种化合物的晶胞结构如下图所示：
①已知A点的原子坐标参数为（0，0，0），C 点为（1/2，1/2，1/2），则B点的原子坐标参数为___________。
②已知晶胞参数 a = 0.5485 nm，则该晶体的密度为_______________g/cm3。（列出计算表达式即可）
高三化学填空题困难题查看答案及解析
（题文）根据物质结构有关性质和特点，回答以下问题：
（1）过渡元素Co 基态原子价电子轨道表达式为_______________________________。第四电离能I4 (Co) < I4 (Fe) ，其原因是__________________________________________。
（2）磷的氯化物有两种：PCl3和PCl5 ，PCl3中磷原子的杂化类型为__________，PCl3的立体构型为__________，其中PCl3的沸点________（填“大于”或“小于”）PCl5，原因是__________。
（3）酞菁铟是有机分子酞菁与金属铟形成的复杂分子，结构简式如下图所示，该分子中存在的化学键为___________（填选项字母）
a．σ键 b．π键 c．离子键 d．配位键
（4）氯有多种含氧酸，其电离平衡常数如下：
| 化学式 | HClO4 | HClO3 | HClO2 | HClO |
| Ka | 1×1010 | 1×10 | 1×10‾2 | 4×10‾8 |
从物质结构的角度解释以上含氧酸 Ka 依次减小的原因________________________。
（5）钴的一种化合物的晶胞结构如下图所示：
①已知A点的原子坐标参数为（0，0，0），C 点为（1/2，1/2，1/2），则B点的原子坐标参数为___________。
②已知晶胞参数 a = 0.5485 nm，则该晶体的密度为_______________g/cm3。（列出计算表达式即可）
高三化学填空题困难题查看答案及解析
| 元素 | A | B | C | D |
| 性质 结构 信息 | 原子核外有两个电子层，最外层有3个未成对的电子 | 原子的M层有1对成对的p电子 | 原子核外电子排布为[Ar]3d104sx， 有+1、+2两种常见化合价 | 有两种常见氧化物，其中有一种是冶金工业常用的还原剂 |
”表示上述相关元素的原子中除去最外层电子的剩余部分，“
”表示氢原子，小黑点“•”表示没有形成共价键的最外层电子，短线表示共价键．
高三化学解答题中等难度题查看答案及解析
（选考）【选修3：物质结构与性质】（10分）
四种常见元素的性质或结构信息如下表。试根据信息回答有关问题。
| 元素 | A | B | C | D |
| 性质 结构 信息 | 原子核外有两个电子层，最外层有3个未成对的电子 | 原子的M层有1对成对的p电子 | 原子核外电子排布为[Ar]3d104sx，有+1、+2两种常见化合价 | 有两种常见氧化物，其中有一种是冶金工业常用的还原剂 |
（1）A元素与其同周期相邻两种元素原子的第一电离能由大到小的顺序为 （用元素符号表示）；
（2）B元素的低价氧化物分子中心原子的杂化方式为 ，B元素与D元素形成分子空间构型为 ；
（3）D元素最高价氧化物的熔点比同主族相邻元素最高价氧化物的熔点 （填“高”或“低”），其原因是______________________________________；
（4）往C元素的硫酸盐溶液中逐滴加入过量A元素的氢化物水溶液，
观察到的现象为 ；
（5）C晶体的堆积方式如图所示，设C原子半径为r cm，阿伏伽德罗常数用NA表示，则晶胞中C原子的配位数为_______，C晶体的密度为 g·cm-3（要求写表达式，可以不化简）。
高三化学填空题困难题查看答案及解析
| 元素 | A | B | C | D |
| 性质 结构 信息 | 基态原子核外有两个电子层，最外层有3个未成对的电子 | 基态原子的M层有1对成对的p电子 | 基态原子核外电子排布为[Ar]3d104s2 | 有两种常见氧化物，其中有一种是冶金工业常用的还原剂 |
高三化学解答题中等难度题查看答案及解析
【化学选修3：物质结构与性质】
四种常见元素的性质或结构信息如下表，试根据信息回答有关问题．
| 元素 | A | B | C | D |
| 性质 结构信息 | 原子核外有两个电子层，最外层有3个未成对的电子 | 原子的M层有1对成对的p电子 | 原子核外电子排布为[Ar]3d104sx，有+1、+2两种常见化合价 | 有两种常见氧化物，其中有一种是冶金工业常用的还原剂 |
（1）A元素与其同周期相邻两种元素原子的第一电离能由大到小的顺序为________(用元素符号表示)；试解释其原因________。
（2）B元素的低价氧化物分子中心原子的杂化方式为________，B元素的最高价氧化物分子VSEPR模型为________，B元素与D元素形成分子空间构型为________。
（3）D元素最高价氧化物的熔点比同主族相邻元素最高价氧化物的熔点________(填“高”或“低”)，其原因是________。
（4）往C元素的硫酸盐溶液中逐滴加入过量A元素的氢化物水溶液，观察到的现象为________；后一现象的化学反应方程式为________。
（5）某同学根据上述信息，推断A基态原子的核外电子排布为：
该同学所画的电子排布图违背了___________________。
（6）C晶体的堆积方式如图所示，设C原子半径为r cm，阿伏伽德罗常数用NA表示，则晶胞中C原子的配位数为________________，C晶体的密度为______________g•cm-3(要求写表达式，可以不化简)。
高三化学填空题困难题查看答案及解析
【化学选修2：物质结构与性质】四种常见元素的性质或结构信息如下表，根据信息回答有关问题。
| 元素 | A | B | C | D |
| 性质或结 构信息 | 原子核外有两个电子层，最外层有3个未成对电子 | 原子的M层有1对成对的p电子 | 原子核外电子排布为：[Ar]3d104sx，有+1、+2两种常见化合价 | 有两种常见氧化物，其中一种是冶炼金属工业的常用还原剂 |
（1）A元素与其同周期相邻两种元素原子的第一电离能由大到小的顺序为 （用元素符号表示）；试解释原因 。
（2）B元素的低价氧化物分子中心原子的杂化方式为 ，B元素的最高价氧化物分子的VSEPR构型为 ；B元素与D元素形成分子空间构型为 ；
（3）D元素最高价氧化物的熔点比同主族相邻元素最高价氧化物的熔点 （填“高”或“低”），其原因是 ；
（4）往C元素的硫酸盐溶液中逐滴加入过量A元素的氢化物水溶液，观察到的现象为 ；后一现象的离子方程式为： 。
（5）C晶体的堆积方式如图所示，设晶胞边长为a cm，阿伏伽德罗常数用NA表示，则晶胞中C原子的配位数为 ，C晶体的密度为 g·cm—3（要求写表达式，可以不简化）。
高三化学填空题困难题查看答案及解析