完成下列问题。（1）多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓（GaAs）、硫...

完成下列问题。

（1）多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）薄膜电池等．

①As的基态原子的电子排布式[Ar]_______________.

②第一电离能：As___Ga（填“＞”、“＜”或“=”）．

（2）配合物Fe(CO)5常温下呈液态,熔点为-20.5 ℃,易溶于 CCl4 中,则Fe(CO)5是______分子（非极性或极性）。

（3）BF3常温下是气体，有强烈的接受孤电子对的倾向。BF3与NH3相遇，立即生成白色固体。BF3的杂化轨道类型为：____ ；写出该白色固体的结构式，并标注出其中的配位键___________。

（4）下列有关说法不正确的是____。

A．沸点：NH3 >PH3，CH3OH > HCHO

B．SO2与CO2的化学性质有些类似，但空间结构与杂化方式不同

C．熔、沸点: SiF4< SiCl4< SiBr4 <SiI4 , 原因是分子中共价键键能逐渐增大

D．熔点: CaO > KCl > KBr，原因是晶格能逐渐减小

（5）钠钾合金属于金属晶体，某种合金的晶胞结构如图所示，晶体中K 原子的配位数为______；已知金属原子半径r（Na）、r（K），计算晶体的空间利用率 __________（假设原子是刚性球体）

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太阳能电池可分为：硅太阳能电池，化合物太阳能电池，如砷化镓(GaAs)、铜铟镓硒(CIGS)、硫化镉(CdS)，功能高分子太阳能电池等，Al-Ni常作电极。据此回答问题：

(1)镍(Ni)在周期表中的位置为______；S原子的价电子排布式为________；Ga、As和Se的第一电离能由大到小的顺序是________。

(2)Na3As3中As原子的杂化方式为_____；AsCl3的空间构型为____。

(3)GaAs熔点为1238℃，GaN熔点约为1500°，GaAs熔点低于GaN的原因为__________。

(4)写出一种与SO42-互为等电子体的分子_________。

(5)GaAs的晶胞结构如图所示，其中As原子形成的空隙类型有正八面体形和正四面体形，该晶胞中Ga原子所处空隙类型为_____。已知GaAs的密度为ρg/cm3，Ga和As的摩尔质量分别为 MGa g/mol和MAsg/mol，则GaAs晶胞中Ga之间的最短距离为________pm。

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太阳能电池可分为：硅太阳能电池，化合物太阳能电池，如砷化镓(GaAs)、铜铟镓硒(CIGS)、硫化镉(CdS)，功能高分子太阳能电池等，Al-Ni常作电极。据此回答问题：

(1)镍(Ni)在周期表中的位置为______；S原子的价电子排布式为________；Ga、As和Se的第一电离能由大到小的顺序是________。

(2)Na3As3中As原子的杂化方式为_____；AsCl3的空间构型为____。

(3)GaAs熔点为1238℃，GaN熔点约为1500°，GaAs熔点低于GaN的原因为__________。

(4)写出一种与SO42-互为等电子体的分子_________。

(5)GaAs的晶胞结构如图所示，其中As原子形成的空隙类型有正八面体形和正四面体形，该晶胞中Ga原子所处空隙类型为_____。已知GaAs的密度为ρg/cm3，Ga和As的摩尔质量分别为 MGa g/mol和MAsg/mol，则GaAs晶胞中Ga之间的最短距离为________pm。

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太阳能电池可分为：硅太阳能电池，化合物太阳能电池，如砷化镓(GaAs)、铜铟镓硒(CIGS)、硫化镉(CdS)，功能高分子太阳能电池等，Al-Ni常作电极。据此回答问题：

(1)镍(Ni)在周期表中的位置为______；S原子的价电子排布式为________；Ga、As和Se的第一电离能由大到小的顺序是________。

(2)Na3As3中As原子的杂化方式为_____；AsCl3的空间构型为____。

(3)GaAs熔点为1238℃，GaN熔点约为1500°，GaAs熔点低于GaN的原因为__________。

(4)写出一种与SO42-互为等电子体的分子_________。

(5)GaAs的晶胞结构如图所示，其中As原子形成的空隙类型有正八面体形和正四面体形，该晶胞中Ga原子所处空隙类型为_____。已知GaAs的密度为ρg/cm3，Ga和As的摩尔质量分别为 MGa g/mol和MAsg/mol，则GaAs晶胞中Ga之间的最短距离为________pm。

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常见的太阳能电池有单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、砷化镓（GaAs）太阳能电池及铜铟镓硒薄膜太阳能电池等。　　

(1)镓元素位于元素周期表的____周期_____族，砷原子核外的电子有___种运动状态。

(2)Si、P、S 的第一电离能由大到小的顺序是 _____________， 二氧化硅和干冰晶体的熔点差别很大，其原因是________________________________________________。

(3)与AsF3互为等电子体的分子为___________（只写一中），其空间构型为_________。

(4)硼酸(H3BO3)本身不能电离出H+，在水溶液中易结合一个OH－生成[B(OH)4]－，而体现弱酸性。

①[B(OH)4]－中B原子的杂化类型为______________。

②[B(OH)4]－的结构式为________________。

(5)金刚石的晶胞如图所示，若以硅原子代替金刚石晶体中的碳原子，便得到晶体硅；若将金刚石晶体中一半的碳原子换成硅原子，且碳、硅原子交替，即得到碳化硅晶体(金刚砂)。

①金刚石、晶体硅、碳化硅的熔点由高到低的排列顺序是________________(用化学式表示)；

②金刚石的晶胞参数为a pm(1 pm＝10－12 m)。 金刚石晶胞的密度为_________g/cm3(只要求列算式，阿伏加德罗常数为NA)。

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【化学——选修3：物质结构】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）写出基态As原子的核外电子排布式　　　　　　　　 。

（2）根据元素周期律，原子半径Ga　　 As，第一电离能Ga　　 As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立体构型为　　　　　　 ，其中As的杂化轨道类型为　　　　 。

（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77．9℃，其原因是　　　　　　　　　　 。

（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为，其晶胞结构如图所示。

该晶体的类型为　　　 。Ga与As的摩尔质量分别为和，原子半径分别为和，阿伏加德罗常数值为，则晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为　　　　　　 。（已知1m=1012pm）

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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料或用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下:

回答下列问题:

（1）六种元素中，非金属性最强的元素是:________.写出As原子的最外层的电子排布式_________,As原子核外有_____个未成对电子。

（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_____As。(选填“>”、  “<”或“=”)。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式:________________

（3）NH3 的分子构型是_______。GaF3的熔点高于1000°C,GaCl3的熔点为77.9°C,可能的原因是_______.写出C2H2的电子式为:_________

（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因___________

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砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。部分元素在周期表中位置如下：

回答下列问题：

（1）六种元素中，非金属性最强的元素是：_______。写出 As 原子的最外层的电子排布式_______，As 原子核外有_______个未成对电子。

（2）根据元素周期律，可判断原子半径Ga_______As。（选填“＞”、“＜”或“=”）。写出铝的最高价氧化物对应水化物的电离方程式：______。

（3）NH3 的 分 子 构 型 是_____。 GaF3 的 熔 点 高 于 1000℃ ， GaCl3 的 熔 点 为 77.9℃ ， 可 能 的 原 因 是_____。写出 C2H2 的电子式为：____。

（4）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_____。

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[化学——选修3：物质结构与性质]

砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。

（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。

（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。

（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1 和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。

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[化学——选修3：物质结构与性质]砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：

（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。

（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）

（3）AsCl3分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。

（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77.9℃，其原因是_____________________。

（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol-1和MAs g·mol-1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。

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