N和S是重要的非金属元素,聚氮化硫(SN)x是重要的超导材料,目前己成为全球材料行业研究的热点。回答下列问题:
(1)下列电子排布图能表示氮原子的最低能量状态的是_____(填字母)。
A. B.
C. D.
(2)S原子的基态原子核外有____个未成对电子,有__________种不同形状的电子云。
(3) S、N、O三种元素的第一电离能由大到小的顺序为________,列举一种与SCN-互为等电子体的分子为_______。
(4) (CH3)3N中N原子杂化方式为_______;As与N是同主族元素,AsH3的相对分子质量比NH3大,实验测得AsH3沸点比NH3低,其原因是___________。
(5) GaN是一种重要的半导体材料,其晶胞结构和金刚石类似,其晶胞结构如图。
①氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_______。
②GaN晶体的晶胞边长为a pm,摩尔质量为M g/mol,阿伏加德罗常数的值为NA,则GaN晶体的密度为_______g•cm-3 (只要求列算式,不必计算出结果,1pm=l0-12m)。
高三化学综合题困难题
N和S是重要的非金属元素,聚氮化硫(SN)x是重要的超导材料,目前己成为全球材料行业研究的热点。回答下列问题:
(1)下列电子排布图能表示氮原子的最低能量状态的是_____(填字母)。
A. B.
C. D.
(2)S原子的基态原子核外有____个未成对电子,有__________种不同形状的电子云。
(3) S、N、O三种元素的第一电离能由大到小的顺序为________,列举一种与SCN-互为等电子体的分子为_______。
(4) (CH3)3N中N原子杂化方式为_______;As与N是同主族元素,AsH3的相对分子质量比NH3大,实验测得AsH3沸点比NH3低,其原因是___________。
(5) GaN是一种重要的半导体材料,其晶胞结构和金刚石类似,其晶胞结构如图。
①氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_______。
②GaN晶体的晶胞边长为a pm,摩尔质量为M g/mol,阿伏加德罗常数的值为NA,则GaN晶体的密度为_______g•cm-3 (只要求列算式,不必计算出结果,1pm=l0-12m)。
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N和S是重要的非金属元素,聚氮化硫(SN)x是重要的超导材料,目前己成为全球材料行业研究的热点。回答下列问题:
(1)下列电子排布图能表示氮原子的最低能量状态的是_____(填字母)。
A. B.
C. D.
(2)S原子的基态原子核外有____个未成对电子,有__________种不同形状的电子云。
(3) S、N、O三种元素的第一电离能由大到小的顺序为________,列举一种与SCN-互为等电子体的分子为_______。
(4) (CH3)3N中N原子杂化方式为_______;As与N是同主族元素,AsH3的相对分子质量比NH3大,实验测得AsH3沸点比NH3低,其原因是___________。
(5) GaN是一种重要的半导体材料,其晶胞结构和金刚石类似,其晶胞结构如图。
①氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_______。
②GaN晶体的晶胞边长为a pm,摩尔质量为M g/mol,阿伏加德罗常数的值为NA,则GaN晶体的密度为_______g•cm-3 (只要求列算式,不必计算出结果,1pm=l0-12m)。
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N和S是重要的非金属元素,聚氮化硫(SN)x是重要的超导材料,目前己成为全球材料行业研究的热点。回答下列问题:
(1)下列电子排布图能表示氮原子的最低能量状态的是_____(填字母)。
A. B.
C. D.
(2)S原子的基态原子核外有____个未成对电子,有__________种不同形状的电子云。
(3) S、N、O三种元素的第一电离能由大到小的顺序为________,列举一种与SCN-互为等电子体的分子为_______。
(4) (CH3)3N中N原子杂化方式为_______;As与N是同主族元素,AsH3的相对分子质量比NH3大,实验测得AsH3沸点比NH3低,其原因是___________。
(5) GaN是一种重要的半导体材料,其晶胞结构和金刚石类似,其晶胞结构如图。
①氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为_______。
②GaN晶体的晶胞边长为a pm,摩尔质量为M g/mol,阿伏加德罗常数的值为NA,则GaN晶体的密度为_______g•cm-3 (只要求列算式,不必计算出结果,1pm=l0-12m)。
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【物质结构与性质】
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题:
(1)镓为元素周期表第31号元素,镓原子价层电子排布图为___________。
(2)氮所在主族中第一电离能最大的元素是________(填元素符号,下同),镓所在主族中电负性最大的元素是____________________。
(3)传统的氮化镓制备方法是采用GaCl3与NH3在一定条件下反应,该反应的化学方程式为______________。
(4)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构,氮化镓中氮原子与镓原子之间以____相结合,氮化镓属于_______晶体。
(5)下图是氮化镓的晶胞模型:
①氮化镓中镓原子的杂化方式为__________,氮原子的配位数为___________。
②氮化镓为立方晶胞,氮化镓的密度为d g/cm3。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式:a=_______cm。
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以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题:
(1)镓为元素周期表第31号元素,镓原子价层电子排布图为__________________。
(2)氮所在主族中第一电离能最大的元素是___________(填元素符号,下同),镓所在主族中电负性最大的元素是_____________________。
(3)传统的氮化镓制备方法是采用CaCl3与NH3在一定条件下反应,该反应的化学方程式为_________________。
(4)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构,氮化镓中氮原子与镓原子之间以__________相结合,氮化镓属于______________晶体。
(5)下图是氮化镓的晶胞模型:
①氮化镓中镓原子的杂化方式为_______________,氮原子的配位数为__________________。
②氮化镓为立方晶胞,氮化镓的密度为。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式:a=_______cm。
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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点,如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能即为10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。请回答下列问题:
(1)基态镓原子的价电子排布式为___。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位:kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192,由此可推知镓的主要化合价为__和+3。砷的电负性比镓__(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高,分析其变化原因:__。
镓的卤化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaF3的熔点超过1000℃,可能的原因是__。
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的,该反应在700℃进行,反应的方程式为:___。
②反应物AsH3分子的几何构型为__,(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为__。
(5)砷化镓熔点为1238℃,立方晶胞结构如图所示,晶胞参数为a=565pm,As的配位数为__,晶体的密度为__(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。
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以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点,如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能即为10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。请回答下列问题:
(1)镓为元素周期表第31号元素,基态镓原子的电子排布式为__________________,核外电子占据最高能层符号为________。
(2)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构,氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合,氮化镓属于_______晶体。
(3)下列说法正确的是________
A.第一电离能:As < Ga B.砷和镓都属于p区元素
C.电负性:As < Ga D.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(4)① 砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的,该反应在700℃进行,反应的方程式为:______________________________。
②反应物AsH3分子的几何构型为_________,(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为___。
(5)实验测得AsH3沸点比NH3低,其原因是:___________________________。
(6)下图是氮化镓的晶胞模型,氮化镓为立方晶胞,氮化镓的密度为d g/cm3。列式计算氮化镓晶胞边长a的表达式:a=______cm。
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聚氮化硫(SN)x和K3C60是两种不同类型的超导材料。回答下列问题:
(1)在基态K原子中,能量最低的空轨道的符号是_____________。
(2)S、N、K三种元素的第一电离能由大到小的顺序是____________。
(3)(SN)x具有类似黄铜的金属光泽和导电性,其结构如下图:
以S2Cl2为原料可制取(SN)x:S2Cl2→…S4N4 S2N2 (SN)x
①(SN)x中N 原子的杂化方式是 _________; (SN)x的晶体类型是______;
②S2Cl2的结构式为________;
③Ag元素位于周期表第5周期、IB族,基态Ag原子的价电子排布式为__________。
(4)K3C60是由足球烯(C60) 与金属钾反应生成的盐。
①在K3C60晶胞中,C603-堆积方式为面心立方结构,每个晶胞中形成4 个八面体空隙和8个四面体空隙,K+填充在空隙中。晶胞中被K+占据的空隙百分比为___________。
②C60与金刚石互为同素异形体,比较两者的熔沸点并说明理由____________。
③C60的结构是一种多面体,如图。多面体的顶点数、面数和棱边数的关系遵循欧拉定律:顶点数+面数-棱边数=2。C60分子中所含的五边形和六边形的个数分别为_____、______。
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聚氮化硫(SN)x和K3C60是两种不同类型的超导材料。回答下列问题:
(1)在基态K原子中,能量最低的空轨道的符号是_____________。
(2)S、N、K三种元素的第一电离能由大到小的顺序是____________。
(3)(SN)x具有类似黄铜的金属光泽和导电性,其结构如下图:
以S2Cl2为原料可制取(SN)x:S2Cl2→…S4N4 S2N2 (SN)x
①(SN)x中N 原子的杂化方式是 _________; (SN)x的晶体类型是______;
②S2Cl2的结构式为________;
③Ag元素位于周期表第5周期、IB族,基态Ag原子的价电子排布式为__________。
(4)K3C60是由足球烯(C60) 与金属钾反应生成的盐。
①在K3C60晶胞中,C603-堆积方式为面心立方结构,每个晶胞中形成4 个八面体空隙和8个四面体空隙,K+填充在空隙中。晶胞中被K+占据的空隙百分比为___________。
②C60与金刚石互为同素异形休,比较两者的熔沸点并说明理由____________。
③C60的结构是一种多面体,如图。多面体的顶点数、面数和棱边数的关系遵循欧拉定律:顶点数+面数-棱边数=2。C60分子中所含的五边形和六边形的个数分别为_____、______。
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“循环经济”和“低碳经济”是目前备受关注的课题,因而对碳、硫及其化合物的综合利用 成为研究的热点。
(1)下列事实中,能用来比较碳元素和硫元素的非金属性强弱的是____________(填字母)。
A.SO2具有漂白性而CO2没有
B.少量H2SO3可与Na2C03反应生成NaHCO3
C.SO2能使酸性KMnO4溶液褪色而CO2不能
D.Na2CO3溶液显碱性,而Na2SO4溶液显中性
(2)通过热循环进行能源综合利用的反应系统的原理如下图所示。
系统(Ⅱ)制取氢气的热化学方程式为________________________;
两个系统制得等量的H2时所需能量较少的是________________________。
(3)向10L恒容密闭容器中充入2 molCO和1molSO2,发生反应2CO(g)+SO2(g)S(g)+2CO2(g)。CO和CO2的平衡体积分数()与温度(T)的变化关系如下图所示。
①图中表示CO的平衡体积分数与温度的变化关系的曲线为_____________(填“L1”或“L2”)。
②T1℃时,SO2的平衡转化率a1=_____________,反应的平衡常数K1=_____________。
③只改变下列条件,既能加快该反应的反应速率,又能增大CO的平衡转化率的是_____________(填字母)。
A.增大压強
B.充入一定量的H2S
C.充入一定量的SO2
D.加入适当催化剂
④向起始溢度为T1℃的10L绝热容器中充入2molCO和1molSO2,重复实验,该反应的平衡常数K2___(填“>”“<”或“=”)K1,理由为______________________。
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