下列对元素周期表说法不正确的是A、在第ⅥB和第ⅦB族附近可以找到耐高温金属材料B、第ⅣA族...

下列对元素周期表说法不正确的是

A、在第ⅥB和第ⅦB族附近可以找到耐高温金属材料

B、第ⅣA族所有含氧酸的钠盐，溶于水均呈碱性

C、如果已知元素的最外层电子数为2，由此不能判断该元素在周期表中的位置

D、目前已知发现的第ⅣA族元素为5种，所以该族元素共有5种单质

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在元素周期表中，在金属元素与非金属元素的分界线附近可以找到  （       ）

  A、作为催化剂的材料  B、电子工业上的半导体材料  C、制造农药的材料    D、制造耐高温材料

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在元素周期表中，主族元素自ⅢA族的硼到ⅦA族的砹连一条斜线，即为金属和非金属的分界线，从分界线附近可以找到(　 )

A．耐高温材料　　 B．半导体材料　　 C．新型农药材料　　 D．新型催化剂材料

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下列说法中正确的是　 　

A. CO2、NH3、BF3中，所有原子都满足最外层8电子的稳定结构

B. 在元素周期表中金属和非金属交界处可以找到半导体材料

C. 由非金属元素组成的化合物一定是共价化合物

D. 第ⅠA族元素和第ⅦA 族元素的原子之间都能形成离子键

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短周期元素X原子核外的电子处于n个电子层上，最外层电子数为（2n+1），核内质子数为（2n²－1）。有关X的说法中不正确的是

A．X元素气态氢化物的水溶液呈酸性

B．X能形成化学式为NaXO₃的含氧酸钠盐

C．X原子的最外层电子数和核电荷数不可能为偶数

D．X元素常见单质的化学式为X₂

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下列说法中错误的是（ ）

A.在元素周期表金属与非金属分界线附近能找到制半导体材料的元素

B.离子键、共价键、氢键都是化学键

C.元素周期律是元素原子核外电子排布周期性变化的必然结果

D.卤族单质，随着相对分子量的增大，分子间作用力增强，熔沸点也相应升高

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四种短周期元素A、B、C、D在元素周期表中的相对位置如图所示，其中D形成的两种氧化物都是常见的大气污染物。下列有关判断不正确的是

A.A的简单氢化物是天然气的主要成分

B.元素A、B、C对应的含氧酸的钠盐水溶液不一定显碱性

C.单质B既可以与酸反应，又可以与碱反应，所以是两性单质

D.最高价氧化物对应的水化物的酸性：D>C

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四种短周期元素A、B、C、D在元素周期表中的相对位置如图所示，其中D形成的两种氧化物都是常见大气污染物。下列有关判断不正确的是（　 ）

A. 简单氢化物的热稳定性：C　　 B. A、C、D的含氧酸的钠盐水溶液均显碱性

C. 单质B可用于铁轨的焊接　　 D. 最高价氧化物对应水化物的酸性：D>C

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（14分）高纯硅晶体是信息技术的重要材料。

（1）在周期表的以下区域中可以找到类似硅的半导体材料的是______（填字母）。

A．过渡元素区域　　　　　　　 B．金属和非金属元素的分界线附近

（2）工业上用石英和焦炭可以制得粗硅。已知：

写出用石英和焦炭制取粗硅的热化学方程式　　　　　　　　　　 ______。

（3）某同学设计下列流程制备高纯硅：

①Ｙ的化学式为______。

②写出反应Ⅰ的离子方程式　　　　　　　　　　 。

③写出反应Ⅳ的化学方程式　　　　　　　　　　 。

④步骤Ⅵ中硅烷(SiH4)分解生成高纯硅，已知甲烷分解的温度远远高于硅烷，用原子结构解释其原因是　　　　　　　　　　 。

（4）将粗硅转化成三氯硅烷(SiHCl3)，进一步反应也可以制得粗硅。其反应：

SiHCl3 (g) + H2(g) Si(s) + 3HCl(g)，不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比（反应初始时各反应物的物质的量之比）的变化关系如图所示。下列说法正确的是　　　　　　　　　　 (填字母)。

A．该反应是放热反应

B．横坐标表示的投料比应该是

C．该反应的平衡常数随温度升高而增大

D．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可以适当增大压强

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部分短周期元素化合价与原子序数的关系可用右图表示，下列说法正确的是

A．原子半径：Z＞Y＞X

B．X和Z形成的化合物能溶于NaOH溶液

C．Q和X形成的化合物不能与酸反应

D．R元素的含氧酸和W元素的含氧酸，酸性一定前者强

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