根据信息回答以下与金属元素相关的问题。I .镁、钙和锶(Sr)都属于碱土金属，具有相似的化...

根据信息回答以下与金属元素相关的问题。

I .镁、钙和锶(Sr)都属于碱土金属，具有相似的化学性质。

(1)钙在周期表中的位置为__________。锶比钙的金属性更强，它们的单质都能和水反应放出氢气，则锶与水反应的化学方程式为_____________。颗粒状的单质锶与稀硫酸反应，反应现象不如钠和水反应那么剧烈，原因是__________。

(2)锶在一定条件下分别与N2、H2发生反应，生成Y、Z两种锶的化合物，Y、Z与水反应均可放出气体。0.0lmolY溶于l00mL盐酸恰好完全反应，生成氯化物混合溶液，则盐酸的物质的量浓度为___________, Z的电子式为_____________________。

II. KmnO4常用作氧化剂、防腐剂、消毒剂、漂白剂和水处理剂等。

(3)工业上，通常以软锰矿(主要成分是MnO2)与KOH的混合物在铁坩埚(熔融池)中混合均匀，小火加热至熔融，即可得到绿色的K2MnO4，化学方程式为_________________。此过程不用瓷坩埚的原因是_________________________。

(4)髙锰酸钾在酸性介质中还原产物为Mn2+，废液中c(Mn2+)浓度较大时会污染水体。实验室可以用过二硫酸铵[(NH4)2S2O8]溶液检验废水中Mn2+，实验现象是溶液变紫红色(还原产物为SO42- )，写出检验Mn2+的离子方程式_________________。

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碱土金属(ⅡA族)元素单质及其相关化合物的性质、合成一直以来是化学界研究的重点。回答下列问题：

（1）对于碱土金属元素Be、Mg、Ca、Sr、Ba，随着原子序数的增加，以下性质呈单调递减变化的是___。

A.原子半径　　　 B.单质的硬度　　　 C.第一电离能

（2）①铍与相邻主族的___　 元素性质相似。下列有关铍和该元素的叙述正确的有___填标号。

A.都属于p区主族元素

B.电负性都比镁大

C.第一电离能都比镁大

D.氯化物的水溶液pH均小于7

②(NH4)2BeF4是工业制备金属铍过程中的重要中间产物，其阳离子含有的化学键类型为__，阴离子中心原子杂化方式为___。

（3）Sr是人体必需的微量元素，SrCO3是其重要的化合物之一。Sr2+的电子排布式为___判断SrCO3的热分解温度___（填“大于”/“小于”）CaCO3的热分解温度，理由是____。

（4）MgH2和金属Ni在一定条件下用球磨机研磨，可制得化学式为Mg2NiH4的储氢化合物，其立方晶胞结构如图所示：

①Mg原子周围距离最近且相等的Ni原子有___个，若晶胞边长为646pm，则Mg—Ni核间距为___pm（结果保留小数点后两位，取1.73）。

②若以晶胞中氢的密度与液态氢密度之比定义储氢材料的储氢能力，则该化合物的储氢能力为___（列出计算式即可。假定该化合物中所有的H可以全部放出，液氢密度为dg/cm3；设NA代表阿伏伽德罗常数的值）。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序(稀有气体除外)，以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强　　　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：____。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是____。

a．NH3　 b．HI　 c．SO2　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式：____。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是___。

a．原子半径和离子半径均减小　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．单质的熔点降低　　　　　　　　　 d．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___，氧化性最弱的简单阳离子是___。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是___；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料．由粗硅制纯硅过程如下：

Si（粗）SiCl4SiCl4（纯）Si（纯）

写出SiCl4的电子式：___；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式___。

（5）下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是___。

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1：1．写出该反应的化学方程式：___。

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（15分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　 。

a．原子半径和离子半径均减小

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水化物碱性减弱，酸性增强

d．单质的熔点降低

（2）氧化性最弱的简单阳离子的结构示意图是　　　　　　　　　　　　　 。

（3）晶体硅（熔点1410 ℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12 kg纯硅需吸收a kJ热量，写出该反应的热化学方程式　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）Na2S溶液长期放置有硫析出，原因为　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （用离子方程式表示）。

（5）已知：2SO2(g)＋O2(g)2SO3(g)　　 平衡常数为K1

2NO(g)＋O2(g)2NO2(g)　　 平衡常数为K2

则反应NO2(g)＋SO2(g)SO3(g)＋NO(g)的平衡常数为K3＝　　　　　　　　 （用K1、K2来表达）

一定条件下，将NO2与SO2以体积比1:2置于密闭容器中发生上述反应，下列能说明反应达到平衡状态的是　　　　　　　　　　　　 。

a．体系压强保持不变　　　　　　　　　　

b．混合气体颜色保持不变

c．SO2和NO的体积比保持不变　　

d．每消耗1 mol SO3的同时生成1 mol NO2

测得上述反应平衡时NO2与SO2体积比为1∶6，则平衡常数K＝　　　　　　　　 。

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400 ℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式　　　　　　　　 　　　　　 。

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　　　　　　 b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　 d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为　　　　　　　　 ，氧化性最弱的简单阳离子是　　 。

（3）已知：

工业制镁时，电解MgCl2而不电解MgO的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　　　　　　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，写出该反应的热化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的是　　　　　　　 。

a． NH3　　　　　 b． HI　　　　　 c． SO2　　　　 d ． CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。　　　　

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（14分）元素单质及其化合物有广泛用途，请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题：

（1）按原子序数递增的顺序（稀有气体除外），以下说法正确的是　　　　　　　　　　 。

a．原子序数和离子半径均减小　　　　

b．金属性减弱，非金属性增强

c．氧化物对应的水合物碱性减弱，酸性增强　　

d．单质的熔点降低

（2）原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为

（3）已知：

工业制镁时的反应方程式是　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ；制铝时，电解Al2O3不电解AlCl3的原因是　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 。

（4）晶体硅（熔点1410℃）是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下：

写出SiCl4的电子式：　　 ；在上述由SiCl4制纯硅的反应中，测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量，该反应的热化学方程式：

（5）P2O5是非氧化性干燥剂，下列气体不能用浓硫酸干燥，可用P2O5干燥的：

a．NH3　　　　　 b．HI　　　　　 c．SO2　　　 　　 d．CO2

（6）KClO3可用于实验室制O2，若不加催化剂，400℃时分解只生成两种盐，其中一种是无氧酸盐，另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。写出该反应的化学方程式：　　　　　　　　　　　　　　　 。

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（13分）X、Y、Z、W是周期表前四周期中的常见元素，它们的原子序数依次增大，其相关信息如下表：

请根据以上信息回答下列问题：

（1）X元素所在族中的两种短周期元素形成的原子晶体的化学式为________；其熔点比X、Y两元素形成的化合物的熔点________（填“高”或“低”）。

（2）Z元素与Y元素所形成的原子个数比为1：1的化合物的电子式为________。

（3）W元素基态原子的价电子排布式为________；W或W的化合物，是中学化学课本中常见反应的催化剂，请写出其中一个用W或W的化合物做催化剂的化学反应的化学方程式：

________。

则X（s）与Y₂（g）反应生成XY（g）的热化学反应方程式为：________。

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