CrSi、Ge-GaAs、ZnGeAs2、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。...

CrSi、Ge-GaAs、ZnGeAs2、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。回答下列问题：

(1)基态铬原子的核外电子排布式为___________，其中未成对电子数为____________。

(2) Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为_______________。ZnGeAs2中 Zn、Ge、As 的电负性从大到小的顺序为________________。

(3) 聚吡咯的单体为吡咯()，该分子中氮原子的杂化轨道类型为__________；分子中σ键与π键的数目之比为________________。

(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：

分析熔点变化规律及其差异的原因：__________________________________________________。

(5)氧化亚铜的熔点为1235℃，其固态时的单晶胞如下图所示。

①氧化亚铜属于__________晶体。

②已知Cu2O的晶胞参数a=425.8pm,则其密度为__________ g·cm-3 (列出计算式即可)。

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呋喃()和吡咯()是较常见的杂环化合物呋喃通过下列反应可转化为吡咯：

回答下列问题：

(1)呋喃和吡咯所含元素中：电负性最大的是___________(填元素符号)，第一电离能最大的元素的基态原子电子排布图是______________________。

(2)呋喃分子中，碳原子的杂化方式是___________，1mol吡咯分子中含________molσ键。

(3)NH3与H2O可与Zn2+形成配合物[Zn(NH3)3(H2O)]2+。与Zn2+形成配位键的原子是___________(填元素符号)；H2O的空间构型为___________；写出一种与NH3互为等电子体的阳离子：___________(填化学式)。

(4)NH3的相对分子质量比N2O的小，但其沸点却比N2O的高，其主要原因是___________。

(5)ZnO晶体随着环境条件的改变能形成不同结构的晶体，其中一种的晶胞结构如图所示，已知该ZnO晶体密度为ag·cm－3，NA表示阿伏加德罗常数。则该晶体中与Zn2+等距离且最近的Zn2+共有___________个，该ZnO晶胞中相邻两个O2－之间的距离为___________nm。

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下列有关硅及其化合物性质和用途的说法正确的是

A. 单晶硅是电子工业中重要的半导体材料，也能用于制作太阳能电池

B. 二氧化硅制成的玻璃纤维，因导电能力强而用于制造通讯光缆

C. 因为高温时二氧化硅与碳酸钠反应生成二氧化碳，故硅酸的酸性比碳酸强

D. 二氧化硅不溶于水，所以硅酸不是二氧化硅对应的水化物

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下列说法正确的是(　　)

A. 氯水和过氧化钠都具有漂白作用，其漂白原理相似

B. 硅和二氧化硅都是重要的半导体材料

C. 蛋白质和油脂的水解都是由高分子化合物生成小分子化合物的过程

D. MgO和Al₂O₃在工业上用于制作耐高温材料，也用于电解法冶炼镁、铝金属

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AlN 氮化铝是重要的半导体材料，Ga(镓)、P、As(砷)都是形成化合物半导体材料的重要元素。回答下列问题：

(1)As基态原子的电子占据了______个能层，最高能级的电子排布式为______。和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有______种。

(2)元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是______ (填元案符号)。Si、P、S三种元素的 第一电离能由大到小的顺序是______。

(3)NH3、PH3、AsH3三者的沸点由高到低的顺序是______。原因是______。

(4)白磷是由P4分子形成的分子晶体，P4分子呈正四面体结构，P原子位于正四面体的四个顶点，则P原子的杂化形式为_____，白磷易溶于CS2，难溶于水，原因是__________________。

(5)采用GaxIn1-xAs(镓铟砷)等材料，可提高太阳能电池的效率。GaxIn1-xAs立方体形晶胞中每个顶点和面心都有一个原子，晶胞内部有4 个原子，则该晶胞中含有_________个砷原子。

(6)AlN晶体的晶胞结构与金刚石相似(见下图)，设晶胞的边长为ɑ pm，NA表示阿伏加德罗常数，则该晶体的密度为__________g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

（1）基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能（单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____（填“大”或“小”）。

（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因是____________________。

（4）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

（5）砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________（设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可）g·cm-3。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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镍与第VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，其中应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：

（1）基态N原子的核外电子排布式为______，基态Ga原子核外有_______个未成对电子。

（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol－1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镓_____(填“大”或“小”)。

（3）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为____。

（4）砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3在700℃时制得。(CH3)3Ga中镓原子的杂化方式为________。

（5）GaAs为原子晶体，密度为ρg·cm－3，其晶胞结构如图所示。Ga与As以_______键键合。Ga和As的原子半径分别为apm和bpm，设阿伏加德罗常数的值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_______(列出计算式，可不化简)。

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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_____，基态As原子核外有_________个未成对电子。

(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镍____(填“大”或“小”)。

(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________________________。

GaF3的熔点超过1000 ℃，可能的原因___________________________________________。

(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为______________。

(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_________，晶体的密度为___________(设NA为阿伏加德罗常数的数值,列出算式即可)g·cm-3。

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