根据元素周期表回答下列问题：
（1）写出元素Cu的基态原子的电子排布式：____________________。
（2）某元素A的核外价电子排布式为nsnnpn＋1，该元素A原子核外最外层电子中成对电子共有________对。此元素A原子与O的第一电离能的相对大小为：A________ O(填“<”“>”或“＝”)。
（3）元素C形成的最高价氧化物中含有________个π键。C和Cl形成化合物的电子式为_____________,此化合物中C的杂化方式为________。
（4）已知元素钒形成单质的晶胞如下图所示，则其原子的配位数是________，假设晶胞的边长为d cm、密度为ρ g·cm－3，则元素钒的相对原子质量为_____________ (NA为阿伏加德罗常数)。
高三化学填空题困难题
高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
根据元素周期表回答下列问题：
（1）写出元素Cu的基态原子的电子排布式：____________________。
（2）某元素A的核外价电子排布式为nsnnpn＋1，该元素A原子核外最外层电子中成对电子共有________对。此元素A原子与O的第一电离能的相对大小为：A________ O(填“<”“>”或“＝”)。
（3）元素C形成的最高价氧化物中含有________个π键。C和Cl形成化合物的电子式为_____________,此化合物中C的杂化方式为________。
（4）已知元素钒形成单质的晶胞如下图所示，则其原子的配位数是________，假设晶胞的边长为d cm、密度为ρ g·cm－3，则元素钒的相对原子质量为_____________ (NA为阿伏加德罗常数)。
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【物质结构与性质】
根据元素周期表中第四周期元素的相关知识，回答下列问题：
（1）第四周期元素的基态原子的电子排布中4s轨道上只有1个电子的元素有________种；写出Cu+的核外电子排布式________。
（2）按电子排布，可将周期表里的元素划分成五个区域，第四周期元素中属于s区的元素有________种，属于d区的元素有________种。
（3）CaO晶胞如所示，CaO晶体中Ca2+的配位数为________________________________ ；CaO的焰色反应为砖红色，许多金属或它们的化
合物都可以发生焰色反应，其原因是_______。
（4）由叠氮化钾（KN3）热分解可得纯N2：2KN3(s)=2K(l)+3N2(g)，下列有关说法正确的是_______（填选项字母）。
A NaN3与KN3结构类似，前者晶格能较小
B晶体钾的晶胞结构如图所示：
，每个晶胞中分摊2个钾原子
C氮的第一电离能大于氧
D氮气常温下很稳定，是因为氮的电负性小
（5）二氧化钛(TiO2)是常用的、具有较高催化活性和稳定性的光催化剂。O2在其催化作用下，可将CN-氧化成CNO-。CN-的电子式为_______,CNO-的中心原子的杂化方式为______。
（6）在CrCl3溶液中，一定条件下存在组成为[CrCln(H2O)6－n]x＋ (n和x均为正整数）的配离子，将其通过氢离子交换树脂（R-H)，可发生离子交换反应：
[CrCln(H2O)6-n]X++ xR-
Rx[CrCln(H2O)6－n]+xH+。将含0.0015 mol[CrCln(H2O)6－n]x＋的溶液，与R-H完全交换后，中和生成的H+需浓度为0.1200 mol·L-1NaOH溶液25.00 mL，则该配离子的化学式为_______。
高三化学简答题中等难度题查看答案及解析
根据元素周期表中第四周期元素的相关知识，回答下列问题：
（1）第四周期元素的基态原子的电子排布中4s轨道上只有1个电子的元素有________种；写出Cu+的核外电子排布式________。
（2）按电子排布，可将周期表里的元素划分成五个区域，第四周期元素中属于s区的元素有________种，属于d区的元素有________种。
（3）CaO晶胞如右图所示，CaO晶体中Ca2+的配位数为________；CaO的焰色反应为砖红色，许多金属或它们的化合物都可以发生焰色反应，其原因是________________
（4）由叠氮化钾(KN3)热分解可得纯N2：2KN3(s)=2K(l)+3N2(g)，下列有关说法正确的是________(填选项字母）。
A．NaN3与KN3结构类似，前者晶格能较小
B．晶体钾的晶胞结构如图所示：
，每个晶胞中分摊2个钾原子
C．氮的第一电离能大于氧
D．氮气常温下很稳定，是因为氮的电负性小
（5）二氧化钛(TiO2)是常用的、具有较高催化活性和稳定性的光催化剂。O2在其催化作用下，可将CN-氧化成CNO-。CN-的电子式为_______,CNO-的中心原子的杂化方式为_______
（6）在CrCl3溶液中，一定条件下存在组成为[CrCln(H2O)6－n]x＋ (n和x均为正整数）的配离子，将其通过氢离子交换树脂（R-H)，可发生离子交换反应：[CrCln(H2O)6－n]x＋+xR-H
Rx[CrCln(H2O)6－n]+xH+。将含0.0015 mol[CrCln(H2O)6－n]x＋的溶液，与R-H完全交换后，中和生成的H+需浓度为0.1200 mol·L-1 NaOH溶液25.00 mL，则该配离子的化学式为_______。
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[选修3：物质结构与性质]
根据元素周期表中第四周期元素的相关知识，回答下列问题：
（1）第四周期元素的基态原子的电子排布中4s轨道上只有1个电子的元素有____________种；写出Cu+的核外电子排布式____________。
（2）按电子排布，可将周期表里的元素划分成五个区域，第四周期元素中属于s区的元素有_________种，属于d区的元素有____________种。
（3）CaO晶胞如下图所示，CaO晶体中Ca2+的配位数为____________；
（4）由叠氮化钾(KN3)热分解可得纯N2：2KN3(s)=2K(l)+3N2(g)，下列有关说法正确的是________(填选项字母）。
| A．NaN3与KN3结构类似，前者晶格能较小 |
| B．晶体钾的晶胞结构如图所示： |
| C．氮的第一电离能大于氧 |
| D．氮气常温下很稳定，是因为氮的电负性小 |
（5）二氧化钛(TiO2)是常用的、具有较高催化活性和稳定性的光催化剂。O2在其催化作用下，可将CN-氧化成CNO-。CN-的电子式为___________，CNO-的中心原子的杂化方式为___________。
（6）在CrCl3溶液中，一定条件下存在组成为[CrCln(H2O)6－n]x＋(n和x均为正整数）的配离子，将其通过氢离子交换树脂（R－H)，可发生离子交换反应：
[CrCln(H2O)6－n]x＋+xR-H→Rx[CrCln(H2O)6－n]+xH+。
将含0.0015mol[CrCln(H2O)6－n]x＋的溶液，与R－H完全交换后，中和生成的H＋需浓度为0.1200 mol/LNaOH溶液25.00 mL，则该配离子的化学式为_____________________。
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【化学——选修3：物质结构】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式 。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为 ，其中As的杂化轨道类型为 。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77．9℃，其原因是 。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为
，其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为
和
，原子半径分别为
和
，阿伏加德罗常数值为
，则
晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。（已知1m=1012pm）
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
高三化学综合题困难题查看答案及解析
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
(1)写出基态As原子的核外电子排布式 ____________。
(2)根据元素周期律，原子半径Ga______As，第一电离能Ga_____As。(填“大于”或“小于”)
(3)AsCl3分子的立体构型为____________，其中As的杂化轨道类型为____________。
(4)GaF3的熔点高于1 000 ℃，GaCl3的熔点为77.9 ℃，其原因是__________________。
(5)GaAs的熔点为1 238 ℃，密度为ρ g·cm－3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________，Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏加德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________。
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，每个晶胞中分摊2个钾原子