太阳能光伏发电系统是被称为“21世纪绿色光源”的半导体照明(LED)系统(如下图)。已知发...

太阳能光伏发电系统是被称为“21世纪绿色光源”的半导体照明(LED)系统(如图)。已知发出白光的LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG，化学式：Y3Al5O12)芯片封装在一起做成。下列说法中不正确的是（　　 ）

A．光伏发电是将太阳能转变为电能

B．上图中N区半导体为负极，P区半导体为正极，电流从a流向b

C．YAG中钇显＋3价

D．Ga与N在元素周期表中不处于同一主族

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太阳能光伏发电系统是被称为“21世纪绿色光源”的半导体照明(LED)系统(如下图)。已知发出白光的LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG，化学式：Y₃Al₅O₁₂)芯片封装在一起做成。下列说法中正确的是（　　）

A．光伏发电是将电能转变为太阳能

B．右图中N型半导体为负极，P型半导体为正极，电流从a流向b

C．YAG中钇显+3价

D．₃₁Ga与N位于元素周期表的同一主族

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光伏并网发电并使用半导体（LED）照明可以节约大量能源。已知发出白光的LED是由氮化镓（GaN）芯片和钇铝石榴石（YAG，化学式：Y3Al5O12）芯片封装在一起做成的，如图所示。

（1）砷与氮位于同主族，砷化镓也是半导体材料，它的化学式为________。

（2）用简单氧化物形式表示YAG的组成：________。

（3）下列有关光伏并网发电的叙述正确的是________（填序号）。

①LED是新型无机高分子材料

②电流从a流向b

③光伏电池是将太阳能直接转化为电能

④图中N型半导体为正极，P型半导体为负极

⑤如果工业上用光伏电池并网发电精炼粗铜，a极连接精铜电极

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上海世博会中国馆、主题馆等建筑使用光伏并网发电,总功率达4兆瓦,是历届世博会之最。已知发出白光的LED是由氮化镓GaN芯片与钇铝石榴石(YAG,化学式:Y3Al5O12)芯片封装在一起做成的。下列有关叙述正确的是(　　)

A.光伏电池实现了太阳能和电能的相互转化

B.图中N型半导体为正极,P型半导体为负极

C.电流从a流向b

D.LED中的Ga和Y都显+3价

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态Ga原子的核外电子排布式为[Ar]____。

(2)根据元素周期律，元素的电负性Ga____ (填“大于”或“小于”，下同)As。

(3)科学家合成了一种阳离子为“N5n+”，其结构是对称的，5个N排成“V”形，每个N原子都达到8电子稳定结构，且含有2个氮氮三键；此后又合成了一种含有“N5n+”化学式为“N8”的离子晶体，其电子式为____，其中的阴离子的空间构型为____。

(4)组成相似的CaF3和GaCl3晶体，前者属于离子晶体，后者属于分子晶体。从F-和Cl-结构的不同分析其原因是________。

(5)原子晶体GaAs的晶胞参数a=xpm，它的晶胞结构如下图所示。该晶胞内部存在的共价键数为 ___；紧邻的As原子之间的距离为b，紧邻的As、Ca原子之间的距离为d，则b：d=____，该晶胞的密度为__g ▪cm-3。(阿伏加德罗常数用NA表示)

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氮化镓( GaN)是制造SG芯片的材料，氮化铝LED灯可发出紫外光。回答下列问题：

(1) Ga的价电子排布式为____，该基态原子占据最高能级的电子云轮廓图形状为________。

下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是____（填字母）。

(2)8 -羟基喹啉铝常用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_____________，所含元素中电负性最大的是____（填元素符号），N的杂化方式为________________

(3)金属晶体Al、Ga的熔点分别为660℃、30℃，Al比Ga熔点高的原因是____________

(4)氮化镓为六方晶胞，结构如右图所示。该晶体密度为ρg/cm3，晶胞参数a=b≠c（单位：pm)，a、b夹角为120°，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶胞参数c=____pm（用含a、ρ、NA的代数式表示）。

(5)在立方晶胞中，与晶胞体对角线垂直的面在晶体学中称为(1，1，1)晶面。如右图，该立方晶胞中(1，1，1)晶面共有____个。

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]____________；下列状态的铝元素中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是______________(填标号)。

A．　　　　 B．　　　　 C．　　　　 D．

(2)8—羟基喹啉合铝（分子式C27H18AlN3O3）用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为______________； 8—羟基喹啉合铝中所含元素电负性最大的是______________（填元素符号，下同），第一电离能最大的是__________（填元素符号），N原子的杂化方式为_____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

①表格中卤化物的熔点产生差异的原因是_______________________________________________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6分子，分子中每个原子最外层均达到8电子，二聚体Al2Cl6的结构式为______________________________；其中Al的配位数为_________。

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________，下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。

A. 　　 B. 　　 C.[Ne]　 D.

(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______；所含元素中电负性最大的是___(填元素符号)，C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6，二聚体Al2Cl6的结构式为_______；其中Al的配位数为_________。

(4)GaAs的晶胞结构如图所示，紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y，则 =________。

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________，下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。

A. 　　 B. 　　 C.[Ne]　 D.

(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______；所含元素中电负性最大的是___(填元素符号)，C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6，二聚体Al2Cl6的结构式为_______；其中Al的配位数为_________。

(4)GaAs的晶胞结构如图所示，紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y，则 =________。

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