下列状态的镁中，电离最外层一个电子所需能量最大的是A. B. C. D.

下列状态的镁中，电离最外层一个电子所需能量最大的是 ____________ (填标号)。

A.[Ne] B.[Ne] C.[Ne] D.[Ne]

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Al、Ti、Co、Cr、Zn 等元素形成的化合物在现代工业中有广泛的用途。回答下列问题：

(1)下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____(填标号)。

A．[Ne]3s1　　 B．[Ne]3s2　　 C．[Ne]3s23p1　　 D．[Ne] 3s13p2

(2)熔融 AlCl3 时可生成具有挥发性的二聚体 Al2Cl6，二聚体 Al2Cl6 的结构式为_____；(标出配位键)其中 Al 的配位数为_________。

(3)与钛同周期的所有副族元素的基态原子中，最外层电子数与基态钛原子相同的元素有_____种。

(4)Co2＋的价电子排布式_________。NH3 分子与 Co2＋结合成配合物[Co(NH3)6]2＋，与游离的氨分子相比，其键角∠HNH_____(填“较大”，“较小”或“相同”)，解释原因_____。

(5)已知 CrO5 中铬元素为最高价态，画出其结构式：_____。

(6)阿伏加德罗常数的测定有多种方法，X 射线衍射法就是其中的一种。通过对碲化锌晶体的 X 射线衍射图 象分析，可以得出其晶胞如图 1 所示，图 2 是该晶胞沿 z 轴的投影图，请在图中圆球上涂“●”标明 Zn 的位置_____。若晶体中 Te 呈立方面心最密堆积方式排列，Te 的半径为 a pm，晶体的密度为 ρg/cm3，阿伏加德罗常数 NA=_____mol-1（列计算式表达）。

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钙钛矿太阳能电池具有转化效率高、低成本等优点，是未来太阳能电池的研究方向。回答下列问题：

(1)下列状态的钙中，电离最外层一个电子所需能量最大的是__________(填字母标号)。

A.[Ar]4s1　　　 B.[Ar]4s2　　　 C.[Ar]4s14p1　　　 D.[Ar]4p1

(2)基态钛原子的核外价电子轨道表达式为____________。

(3)一种有机金属卤化钙钛矿中含有NH2－CH＝NH2＋，该离子中氮原子的杂化类型为___________，其对应分子NH2－CH＝NH的熔沸点高于CH3CH2CH＝CH2的熔沸点的原因为__________。

(4)一种无机钙钛矿CaxTiyOz的晶体结构如图所示，则这种钙钛矿化学式为___________，已知Ca和O离子之间的最短距离为a pm，设阿伏加德罗常数的值为NA，则这种钙钛矿的密度是___________g·cm－3(列出计算表达式)。

(5)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标，例如图中原子1的坐标为(，，)，则原子2和3的坐标分别为__________、__________。

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含镁、氮、磷、砷等元素的化合物在化工生产、药物化学及催化化学等领域应用广泛。回答下列问题:

(1)下列状态的镁中，电离最外层一个电子所需能量最大的是_____（填序号）。

A．　　　　 B．　　　 C．　　　　 D．

(2)晶格能又叫点阵能。它是1mol 离子化合物中的正、负离子从相互分离的气态结合成离子晶体时所放出的能量。MgO 晶格能可通过如图所示的Borm Haber循环计算得到。

Mg的第二电离能为______kJ·mol-1；MgO的晶格能为___________kJ·mol-1。

(3)乙二胺（H2NCH2CH2NH2） 是一种有机化合物，其中N原子的杂化类型是____，该有机化合物能与Mg2+、Cu2+等金属离子形成稳定环状离子，其原因是______，其中与乙二胺形成的化合物稳定性相对较高的是_______（填 “Mg2+ ”或“Cu2+” ）。

(4) PCl5是一种白色固体，加热到160°C不经过液态阶段就变成蒸气，测得180°C下的蒸气密度（折合成标准状况）为9.3g·L-1，分子的极性为零，P-Cl键长为204pm和211pm两种。在180°C下PCl5蒸气中存在的分子形式为____（填化学式），分子的空间构型为______，P、Cl的电负性由大到小顺序为________。

(5)砷和铟组成的一种化合物属于半导体材料，其晶胞结构如图所示。已知晶胞的参数为a pm，阿伏加德罗常数的值为NA，则该晶体的密度为_____g. cm-3 （用含a和NA的代数式表示）。

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坦桑石是一种世界公认的新兴宝石，这种宝石于1967年首次在赤道雪山脚下的阿鲁沙地区被发现。坦桑石的主要化学成分为，还可含有V、Cr、Mn等元素。

下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最大的是________填序号。

①　 ②　 ③　 ④

烟酸铬是铬的一种化合物，其合成过程如下：

核外电子排布式为________。

、C、N、O的电负性由大到小的顺序是_________。

烟酸中碳、氮原子的杂化方式分别为________、________。

分子中的大键可用符号表示，其中m代表参与形成大键的原子数，n代表参与形成大键的电子数如二氧化碳分子中的大键可表示为，则烟酸中的大键应表示为___________。

、都极易水解。、都属于______填“极性”或“非极性”分子，其熔点的关系为________填“”“”或“”。

将Mn掺入GaAs晶体图甲可得到稀磁性半导体材料图乙，图甲、图乙晶体结构不变。

图乙中a点和b点的原子坐标参数分别为0，和1，，则c点的原子坐标参数为________。

设图甲晶体的密度为，用表示阿伏加德罗常数的数值，则该晶胞中距离最近的两个镓原子之间的距离为________________pm。

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坦桑石的主要化学成分为Ca2Al3(SiO4)3(OH)，还可含有V、Cr、Mn等元素。

(1)下列状态中的铝微粒，电离最外层的一个电子所需能量最大的是____________。

①②③④

(2)烟酸铬是铬的一种化合物，其合成过程如下：

①Cr原子的价层电子排布图为 _______________。这样排布电子遵循的原则是 ______________。

②烟酸中所含元素的第一电离能I1(N)_____ I1(O)，原因是_________________ 。　　　　　

③烟酸中碳、氮原子的杂化方式分别为 _________________、__________________。

(3)SiCl4、SiF4都极易水解。二者都属于______(填“极性”或“非极性”)分子，其熔点关系为SiF4 ______SiCl4(填“>”“<”或“=”)。

(4)将Mn掺入GaAs晶体(图甲)可得到稀磁性半导体材料(图乙)，图甲、图乙晶体结构不变。

①图乙中a点和b点的原子坐标参数分别为(0，0，0)和(1，1，0)，则c点的原子坐标参数为_______。

②设图甲晶体的密度为ρg·cm-3，用NA表示阿伏伽德罗常数的数值，则该晶胞中距离最近的两个砷原子之间的距离为 ___________ pm。(用含ρ、NA的关系式表示最简化的计算式即可)

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]____________；下列状态的铝元素中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是______________(填标号)。

A．　　　　 B．　　　　 C．　　　　 D．

(2)8—羟基喹啉合铝（分子式C27H18AlN3O3）用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为______________； 8—羟基喹啉合铝中所含元素电负性最大的是______________（填元素符号，下同），第一电离能最大的是__________（填元素符号），N原子的杂化方式为_____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

①表格中卤化物的熔点产生差异的原因是_______________________________________________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6分子，分子中每个原子最外层均达到8电子，二聚体Al2Cl6的结构式为______________________________；其中Al的配位数为_________。

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________，下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。

A. 　　 B. 　　 C.[Ne]　 D.

(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______；所含元素中电负性最大的是___(填元素符号)，C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6，二聚体Al2Cl6的结构式为_______；其中Al的配位数为_________。

(4)GaAs的晶胞结构如图所示，紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y，则 =________。

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GaN是制造5G芯片的材料，氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题：

(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]________，下列状态的铝中，电离最外层的一个电子所需能量最小的是_____________(填标号)。

A. 　　 B. 　　 C.[Ne]　 D.

(2)8—羟基喹啉铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料，可由LiAlH4与 (8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为_______；所含元素中电负性最大的是___(填元素符号)，C、N、O的杂化方式依次为 _____、_________和____________。

(3)已知下列化合物的熔点：

①表中卤化物的熔点产生差异的原因是____________。

②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6，二聚体Al2Cl6的结构式为_______；其中Al的配位数为_________。

(4)GaAs的晶胞结构如图所示，紧邻的As原子之间的距离为x,紧邻的As、Ga原子之间的距离为y，则 =________。

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下列说法正确的是（　　）

A. Na、Mg、Al的第一电离能逐渐增大

B. V、Cr、Mn的最外层电子数逐渐增大

C. S2﹣、Cl﹣、K+的半径逐渐减小

D. O、F、Ne的电负性逐渐增大

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