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E、G、M、Q、T是五种原子序数依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于p区的同一周期的元素，M的价层电子排布为ns2np2n，E与M原子核外的未成对电子数相等；QM2与GM2-具有相等的价电子总数；T为过渡元素，其原子核外没有未成对电子。请回答下列问题：

（1）T元素原子的价电子排布式是__________。

（2）E、G、M三种元素的第一电离能由大到小的顺序为__　　　　（用元素符号表示），其原因为________。

（3）E、G、M的最简单氢化物中，键角由大到小的顺序为　　　　　（用分子式表示），其中G的最简单氢化物的分子立体构型名称为_____　　　　　　　　 ___，M的最简单氢化物的分子中中心原子的杂化类型为　　　　　　　　。M和Q的最简单氢化物的沸点大小顺序为__________（写化学式）。

（4）EM、GM+、G2互为等电子体，EM的结构式为（若有配位键，请用“→”表示）。E、M电负性相差1.0，由此可以判断EM应该为极性较强的分子，但实际上EM分子的极性极弱，请解释其原因：　　　　　　　　　　　。

（5） TQ在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方TQ晶体结构如图所示，该晶体的密度为pg·cm-3。如果TQ的摩尔质量为Mg．mol-1，阿伏加德罗常数为NA mol-1，则a、b之间的距离为_______cm。

高三化学填空题困难题

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试题答案

试题解析

相关试题

X、Y、Z、W为短周期元素，且原子序数依次增大，X2-和Y+核外电子排布相同，X、Z位于同一主族，Z、W位于同一周期，W的最外层电子数是X、Y最外层电子数之和。下列说法不正确的是
A. 原子半径Y>Z>X
B. X 分别与Y、Z形成的化合物均至少有两种
C. 最高价氧化物对应水化物的酸性：W>Z
D. 氢元素在与X、Y、Z分别形成的化合物中，化合价均为+1

高三化学单选题中等难度题查看答案及解析
X、Y、Z、Q、R五种元素的原子序数依次增大．其中：X的最外层电子排布为；Y是元素周期表中电负性最大的元素；Y、Z位于同一主族；Q基态原子核外的M能层中有两个未成对电子和三个空轨道；R位于第四周期ⅥB族。
请回答下列问题：
元素基态原子的电子排布式为 ______ ，它的最高价氧化物的水化物的化学式为 ______ 。
分子的立体构型是 ______ ，中心原子的杂化方式是 ______ 。
与氮元素形成的一种化合物晶胞如图所示，该化合物的化学式为 ______。该晶体中与氮原子距离相等且最近的氮原子有 ______ 个。
化合物熔点为，沸点为，熔融态不导电，可知的晶体类型是 ______ 与热水反应的化学方程式为 ______ 。

高三化学推断题中等难度题查看答案及解析
（12分）已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A与B；C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子， B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X,，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
（1）写出A元素的基态原子价电子排布式　　　　　　　　　　；F离子电子排布式　　　　　　　　。
（2）写出X的化学式　　　　　　　　　　　　和化学名称　　　　　　　　　。
（3）写出X涉及化工生产中的一个化学方程式　　　　　　　　　　　　　　　。
（4）试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：　　　　　　　　。
（5）CE、FA的晶格能分别为786 KJ/mol l、3401KJ/mo，试分析导致两者晶格能差异的主要原因是：　　　　　　　　　　　　　　　。
（6）F与B可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示： F与B形成离子化合物的化学式为____________；该离子化合物晶体的密度为a g/cm3，则晶胞的体积是(只要求列出算式)。

高三化学填空题困难题查看答案及解析
已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A、B与C；D、E与F分别位于同一周期。A原子L层上有3个未成对电子，B的简单负二价离子与C原子核外电子排布相同、含有D元素的盐的焰色反应火焰为黄色，EF3是由活泼金属和活泼非金属组成的共价化合物，G有多种氧化物，其中一种氧化物有磁性，填写下列空白
(1)元素的第一电离能最大的是________，属于过渡元素的是________(填写元素符号)
(2)写出B元素的基态原子价电子排布式__________________，F离子电子排布式_________________。
(3)AF3分子中A原子的杂化类型是________，AF3分子的几何构型为___________。
(4)已知E2B3的晶格比DF的晶格能大得多，试分析导致两者晶格能差异的主要原因是：________________________________________________________。
(5)构成G晶体的微粒是________，G的晶胞结构如下图甲所示，G的晶胞为________结构。若G原子的半径为1.27×10－10 m，G金属晶体中的晶胞长度，即下图乙中AB的长度为________m。

高三化学简答题中等难度题查看答案及解析
位于元素周期表前四周期的五种元素A、B、C、D、E，原子序数依次增大．A元素原子的最外层电子排布可表示为：as^aap^2a，B元素在地壳中含量居第二位，C与B位于同一周期，且是该周期元素中电负性最大的元素，D元素的+3价离子的3d亚层为半充满，E元素基态原子的M层全充满，N层没有成对电子，只有一个未成对电子．
根据以上信息回答下列问题：
（1）E的元素符号为______，其基态原子的电子排布式为______．
（2）A的氢化物比下周期同族元素的氢化物沸点还要高，其原因是______．
（3）B元素可分别与A元素、C元素形成两种常见化合物，这两种化合物的熔沸点高低顺序为______（用化学式表示），原因是______．
（4）D元素的单质晶体在不同温度下有两种堆积方式，晶胞分别如下图所示．面心立方晶胞和体心立方晶胞中实际含有的D原子个数之比为______，两种堆积模型中与该元素一个原子等距离且最近的原子数之比为：______．

高三化学解答题中等难度题查看答案及解析
已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素，A与B；C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子， B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
（1）写出A元素的基态原子价电子排布式____________。
（2）试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：___________。
（3）许多＋l价铜的配合物溶液能吸收CO和烯烃（如C2H4等）， CH3CH= CH 2 分子中3个C原子采取的杂化方式依次为___________。
（4）在硫酸铜溶液中逐滴滴加氨水至过量，先出现蓝色沉淀，最后沉淀完全溶解。写出此蓝色沉淀溶解的离子方程式：_____________；
（5）B的氢化物比氨气的熔沸点略高，请解释原因：_____________；
（6）1996年诺贝化学奖授予对发现C60有重大贡献的三位科学家。C60分子是形如球状的多面体(如图)，该结构的建立基于以下考虑：
①C60分子中每个碳原子只跟相邻的3个碳原子形成化学键；
②C60分子只含有五边形和六边形；
③多面体的顶点数、面数和棱边数的关系，遵循欧拉定理：顶点数＋面数－棱边数＝2。
据上所述，可推知C60分子有12个五边形和20个六边形。
请回答下列问题：
1）试估计C60跟F2在一定条件下，能否发生反应生成C60F60(填“可能”或“不可能”)__________，并简述其理由：_______________。
2）C70和C60结构类似，则分子中含有______个六边形和______个五边形。

高三化学综合题中等难度题查看答案及解析
【化学——选修3：物质结构与性质】
E、G、M、Q、T是五种原子序数依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于P区的同一周期的元素，M的价层电子排布为nsnnp2n，E与M原子核外的未成对电子数相等；QM2与GM2－为等电子体；T为过渡元素，其原子核外没有未成对电子。请回答下列问题：
（1）与T同区、同周期元素原子价电子排布式是　　　　　　　　　　。
（2）E、G、M均可与氢元素形成氢化物，它们的最简单氢化物在固态时都形成分子晶体，其中晶胞结构与干冰不一样的是　　　　　　　（填分子式）。
（3）E、G、M的最简单氢化物中，键角由大到小的顺序为　　　　　　　　　（用分子式表示），其中G的最简单氢化物的VSEPR模型名称为　　　　　　　，M的最简单氢化物的分子立体构型名称为　　　　　　。
（4）EM、GM+、G2互为等电子体，EM的结构式为(若有配位键，请用“→”表示)　　　　　　　。E、M电负性相差1.0，由此可以判断EM应该为极性较强的分子，但实际上EM分子的极性极弱，请解释其原因　　　　　　　　　。
（5）TQ在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方TQ晶体结构如下图所示，该晶体的密度为ρ g·cm-3。如果TQ的摩尔质量为M g/mol，阿伏加德罗常数为NA mol-1，则a、b之间的距离为　　　　　 cm。

高三化学填空题中等难度题查看答案及解析
已知A、B、C、D、E、F为元素周期表中原子序数依次增大的前20号元素。A与B，C、D与E分别位于同一周期。A原子L层上有2对成对电子，B、C、D的核外电子排布相同的简单离子可形成一种C3DB6型离子晶体X，CE、FA为电子数相同的离子晶体。
(1)写出A元素的基态原子价电子排布式__________；F离子电子排布式为__________。
(2)写出X的化学式__________________________，化学名称为_________________。
(3)写出X涉及金属冶炼中的一个化学方程式_______________________________。
(4)试解释工业冶炼D不以DE3而是以D2A3为原料的原因：
________________________________________________________________________。
(5)CE、FA的晶格能分别为786 kJ·mol－1、3 401 kJ·mol－1，试分析导致两者晶格能差异的主要原因是_______________________________________
(6)F与B可形成离子化合物，其晶胞结构如图所示：F与B形成离子化合物的化学式为________；该离子化合物晶体的密度为a g·cm－3，则晶胞的体积是________________(只要求列出算式)。

高三化学填空题困难题查看答案及解析
E、G、M、Q、T是五种原子序数依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于P区的同一周期的元素，M的价层电子排布为nsnnp2n，E与M原子核外的未成对电子数相等；QM2与GM2－为等电子体；T为过渡元素，其原子核外没有未成对电子。请回答下列问题：
（1）与T同区、同周期元素原子价电子排布式是　　　　。
（2）E、G、M均可与氢元素形成氢化物，它们的最简单氢化物在固态时都形成分子晶体，其中晶胞结构与干冰不一样的是　　　（填分子式）。
（3）E、G、M的最简单氢化物中，键角由大到小的顺序为　　　　（用分子式表示），其中G的最简单氢化物的VSEPR模型名称为　　　　　　　，M的最简单氢化物的分子立体构型名称为　　　。
（4）EM、GM+、G2互为等电子体，EM的结构式为(若有配位键，请用“→”表示) 　　。E、M电负性相差1.0，由此可以判断EM应该为极性较强的分子，但实际上EM分子的极性极弱，请解释其原因　　　　　　　。
（5）TQ在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方TQ晶体结构如图所示，该晶体的密度为ρ g·cm-3。如果TQ的摩尔质量为M g/mol，阿伏加德罗常数为NA mol-1，则a、b之间的距离为　　　　 cm。

高三化学填空题困难题查看答案及解析
E、G、M、Q、T是五种原子序数依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于p区的同一周期的元素，M的价层电子排布为ns2np2n，E与M原子核外的未成对电子数相等；QM2与GM2-具有相等的价电子总数；T为过渡元素，其原子核外没有未成对电子。请回答下列问题：
（1）T元素原子的价电子排布式是__________。
（2）E、G、M三种元素的第一电离能由大到小的顺序为__　　　　（用元素符号表示），其原因为________。
（3）E、G、M的最简单氢化物中，键角由大到小的顺序为　　　　　（用分子式表示），其中G的最简单氢化物的分子立体构型名称为_____　　　　　　　　 ___，M的最简单氢化物的分子中中心原子的杂化类型为　　　　　　　　。M和Q的最简单氢化物的沸点大小顺序为__________（写化学式）。
（4）EM、GM+、G2互为等电子体，EM的结构式为（若有配位键，请用“→”表示）。E、M电负性相差1.0，由此可以判断EM应该为极性较强的分子，但实际上EM分子的极性极弱，请解释其原因：　　　　　　　　　　　。
（5） TQ在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方TQ晶体结构如图所示，该晶体的密度为pg·cm-3。如果TQ的摩尔质量为Mg．mol-1，阿伏加德罗常数为NA mol-1，则a、b之间的距离为_______cm。

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